Wet EtchingIsotropic Wet EtchingIso

Wet Etching
Isotropic Wet Etching
Isotropic etchants etch in all crystallographic directions at the same rate; they
usually are acidic, such as ”HNA”, a mixture of hydrofluoric acid (HF), nitric acid
(HNO3), and acetic acid(CH3COOH), and lead to rounded isotropic features in
single crystalline silicon. The typical etch rate is several microns per minute. It is
widely used for removal of work-damaged surfaces, rounding of sharp anisotropically
etched corners to avoid stress concentration, removing of roughness and patterning.
Anisotropic Wet Etching
In anisotropic etching, the etch rate (ER) is much faster in certain direction than
in others, exposing the slowest etching crystal planes as etch time progresses, usually
the (111)planes of silicon. The ER dependence on orientation can be explained by
the crystal structure of silicon (see next chapter). The typical etch rate is about
1µm/min. Below is a scheme for both isotropic and anisotropic wet etching.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

เปียกน้ำกัดกัด isotropic เปียกIsotropic etchants กัดกระเจิดกระเจิง crystallographic ที่อัตราเดียวกัน พวกเขามักจะเป็นกรด เช่น "เฮชเอ็นเอ" ส่วนผสมของกรดไฮโดรฟลูออริก (HF), กรดไนตริก(HNO3), และ acid(CH3COOH) อะซิติก และตะกั่วลักษณะ isotropic มนในการซิลิคอนผลึกเดี่ยว อัตราปกติ etch เป็น microns หลายต่อนาที จึงใช้สำหรับกำจัดของเสียทำงานพื้นผิว การปัดเศษของชาร์ป anisotropicallyมุมสลักเพื่อหลีกเลี่ยงความเครียดความเข้มข้น ลบของความหยาบ และ patterningกัด anisotropic เปียกในกัด anisotropic อัตรา etch (ER) จะเร็วมากในบางทิศทางมากกว่าในอื่น ๆ คริสตัลกัดช้าที่สุดเปิดเผยเครื่องบินเป็นกัดเวลายะ ปกติเครื่องบิน (111) ของซิลิกอน พึ่งวาง ER ที่สามารถอธิบายความโครงสร้างผลึกของซิลิกอน (ดูบทถัดไป) อัตราปกติ etch เป็นเกี่ยวกับ1µm/นาที ด้านล่างเป็นโครงร่างสำหรับ isotropic และ anisotropic กัดเปียก

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

เปียกกัด
Isotropic เปียกกัด
Isotropic etchants กัดในทิศทาง crystallographic ทั้งหมดในอัตราเดียวกัน; พวกเขามักจะมีฤทธิ์เป็นกรดเช่น "HNA" มีส่วนผสมของกรดไฮโดรฟลูออริก (HF) เป็นกรดไนตริก (HNO3) และกรดอะซิติก (CH3COOH) และนำไปสู่คุณลักษณะ isotropic โค้งมนในผลึกซิลิคอนเดียว อัตราการกัดโดยทั่วไปคือหลายไมครอนต่อนาที มันถูกใช้กันอย่างแพร่หลายสำหรับการกำจัดของพื้นผิวการทำงานเกิดความเสียหายปัดเศษของคม anisotropically มุมแกะสลักเพื่อหลีกเลี่ยงความเข้มข้นความเครียดลบความหยาบและการเลียนแบบ. Anisotropic กัดเปียกในการแกะสลักanisotropic อัตราจำหลัก (ER) เป็นได้เร็วขึ้นมากในทิศทางที่แน่นอนกว่าใน คนอื่น ๆ ที่ช้าที่สุดเผยให้เห็นเครื่องบินคริสตัลแกะสลักเป็นเวลาจำหลักดำเนินมักนี้(111) เครื่องบินของซิลิกอน การพึ่งพาอาศัย ER ปฐมนิเทศสามารถอธิบายได้ด้วยโครงสร้างผลึกซิลิคอน(ดูบทต่อไป) อัตราการกัดโดยทั่วไปเป็นเรื่องเกี่ยวกับ1μm / นาที ด้านล่างเป็นรูปแบบการแกะสลักทั้งเปียกและ anisotropic isotropic

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ภาพเปียกแกะสลักแบบเปียกแบบ etchants กัดในทิศทางทั้งหมดในอัตราเดียวกัน ; พวกเขา
มักจะเป็นกรด เช่น " แฮนนาห์ " ส่วนผสมของกรดกัดแก้ว ( HF )
, กรดไนตริก ( กรดดินประสิว ) และกรดอะซิติก ( ส้ม ) , และทำให้คุณสมบัติใน
ซิลิคอนผลึกแบบกลม เดียว โดยทั่วไปอัตราการกัดหลายไมครอน ต่อ นาที มันคือ
ใช้กันอย่างแพร่หลายในการกำจัดของเสียพื้นผิวการปัดเศษของคม anisotropically
สลักมุมเพื่อหลีกเลี่ยงความเครียดและความขรุขระของ เอาของเลียนแบบ .

ในทิศทางการเปียก Anisotropic แกะสลัก , แกะสลักคะแนน ( ER ) เป็นเร็วในทิศทางที่แน่นอนกว่า
ในผู้อื่น ความช้าแกะสลักคริสตัลเครื่องบินเป็น etch ดําเนินการกับเวลา โดยปกติ
( 111 ) เครื่องบินของซิลิคอนเอ่อ พึ่งวางสามารถอธิบายโดย
โครงสร้างผลึกซิลิคอน ( ดูบทต่อไป ) โดยทั่วไปอัตราการกัดกร่อนเกี่ยวกับ
1 µเมตรต่อนาที ด้านล่างมีทั้งแบบเปียกและแบบ Anisotropic แกะสลัก .