A. Lifetime EvaluationOur main goal

A. Lifetime Evaluation
Our main goal of using intra-set and intra-set movements is
to mitigate the shortcomings of STT-RAM writes. Figures 5a
shows the percent of the average write request that each
program directs to 16 ways of set-associative in 4MB hybrid
cache. Overall, our proposal aids redirecting up to 91.7% and
about 73%, on average, of writes to SRAM lines; which
intuitively improves dynamic energy, latency, and lifetime of
non-volatile region. Looking at bar charts of writes in hybrid
architecture, we found out writes to STT-RAM ways has welluniform
distribution
pattern
for
almost
all
applications.


for a STT-RAM cell [4]. To evaluate lifetime of the STT-RAM
region, we assume that an application runs forever and the
simulator keeps tracking writes till a set gets greater than 4
In this work, we assume the maximum write cycle of 10
13

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

อ.การประเมินอายุการใช้งานของเป้าหมายของเราหลักของการใช้การเคลื่อนไหวภายในกำหนด และภายในกำหนดคือ การลดของ STT RAM เขียน ตัวเลขของ 5aแสดงเปอร์เซ็นต์ของการเขียนเฉลี่ยขอแต่ละที่โปรแกรมกำหนดให้ 16 วิธีชุดสัมพันธ์ในไฮบริด 4MBแคช โดยรวม พื้นฐานของเราข้อเสนอถึง 91.7% เปลี่ยนทิศทาง และประมาณ 73% โดยเฉลี่ย การเขียน SRAM บรรทัด ซึ่งปรับปรุงแบบไดนามิกพลังงาน แฝง และอายุการใช้งานของหมดภูมิภาคที่ไม่ระเหย ดูที่แผนภูมิแท่งของการเขียนในแบบผสมผสานสถาปัตยกรรม เราพบเขียน STT-รามวิธีมี welluniformการแจกจ่ายรูปแบบการสำหรับเกือบทั้งหมดใช้งานสำหรับเซลล์ STT-ราม [4] การประเมินอายุการใช้งานของ STT RAMภูมิภาค เราสมมติว่า แอพลิเคชันทำงานตลอดและจำลองจะติดตามเขียนจนถึงชุดที่ได้รับมากกว่า 4 ในงานนี้ เราสมมติว่าวงจรการเขียนสูงสุด 1013

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

การประเมินอายุการใช้งานเอเป้าหมายหลักของเราในการใช้การเคลื่อนไหวภายในชุดและภายในชุดที่จะลดข้อบกพร่องของการเขียนSTT-แรม 5a ตัวเลขแสดงให้เห็นว่าร้อยละของการร้องขอการเขียนเฉลี่ยที่แต่ละโปรแกรมนำ16 วิธีในการตั้งสมาคมใน 4MB ไฮบริดแคช โดยรวม, ช่วยข้อเสนอของเราเปลี่ยนเส้นทางได้ถึง 91.7% และประมาณ73% โดยเฉลี่ยของการเขียนเส้น SRAM; ซึ่งสังหรณ์ใจช่วยเพิ่มพลังงานแบบไดนามิกแฝงและอายุการใช้งานของภูมิภาคไม่ระเหย มองไปที่แผนภูมิแท่งของการเขียนในไฮบริดสถาปัตยกรรมเราพบวิธีการเขียน STT-RAM มี welluniform กระจายรูปแบบสำหรับเกือบทุกการใช้งาน. สำหรับเซลล์ STT-RAM [4] เพื่อประเมินอายุการใช้งานของ STT-RAM ภูมิภาคเราคิดว่าโปรแกรมที่ทำงานตลอดไปและจำลองช่วยให้การติดตามการเขียนจนถึงชุดที่ได้รับมากขึ้นกว่า 4 ในงานนี้เราสมมติวงจรการเขียนสูงสุด 10 13

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

1 . ชีวิตการประเมิน
เป้าหมายหลักของเราการตั้งค่าการเคลื่อนไหวภายในและภายในชุด
เพื่อลดข้อบกพร่องของ stt-ram เขียน . ตัวเลข 5A
แสดงเปอร์เซ็นต์ของค่าเฉลี่ยเขียนขอให้แต่ละ
โปรแกรมสั่ง 16 วิธีตั้งค่าเชื่อมโยงใน 4MB ไฮบริด
แคช โดยรวม ข้อเสนอของเราช่วยส่งถึง 91.7 %
ร้อยละ 73 โดยเฉลี่ยของ SRAM ซึ่ง
เขียนเส้นสังหรณ์ใจปรับปรุงแบบไดนามิก พลังงาน เวลา และอายุการใช้งานของ
ไม่ระเหยภูมิภาค ดูที่แผนภูมิแท่งของเขียนในสถาปัตยกรรมพันธุ์ผสม
, เราพบ เขียน stt-ram วิธีได้ welluniform
จำหน่าย



สำหรับรูปแบบเกือบทั้งหมด



สำหรับการใช้งาน stt-ram เซลล์ [ 4 ] การประเมินอายุการใช้งานของ stt-ram
เขตเราสมมติว่าโปรแกรมวิ่งตลอดไป
จำลองช่วยติดตามเขียนจนตั้งได้มากกว่า 4
ในงานนี้ เราถือว่า สูงสุดรอบ 10
13 เขียน