particular, it is found that fully

particular, it is found that fully stoichiometric systems, such as
La8Sr2Si6O26, generally exhibit poor conductivity, whilst the doping of
subvalent cations (such as Ga3+ and Al3+) on the Si site or La (without
charge compensation) substoichiometry to create vacancies in the La
channels markedly improves the conductivity. The first report on the
beneficial doping on the silicon site was given by Abram et al. [46].
In their study, the authors studied oxygen stoichiometric systems of
composition La9.33 + x/3(SiO4)6 − x(AlO4)xO2. In this doping strategy,
the introduction of lower valence Al3+ on the Si4+ site is balanced
by the incorporation of excess La(x/3), such that the numbers of La vacancies
decrease (9.33 + x/3) with increasing doping level. The results
showed that as the “Al”-level increased (the number of cation vacancies
decreased), an initial increase in conductivity was observed,
reaching a maximum value for x = 1.5. The highest conductivities
are found for the samples containing oxygen excess, and it has thus
been suggested that interstitial oxide-ion conduction occurs along
the oxygen channels as shown in Fig. 1 [36 and references therein].
Conductivity of Al- and Fe-doped ATLS depends on the sample stoichiometry:
the highest conductivity is observed for the samples with
oxygen excess. The single-phase La10Si5FeO26.5 sample provides the
highest conductivity among studied Fe-doped samples that agree
with literature data [38,39].
Apatite-type lanthanum silicates (ATLS) are isostructural compounds
with well-known apatite and hydroxyapatite materials. In
general, the hexagonal apatite structure can be presented by crystallographic
formula M10(RO4)6X2, where M = La3+, Mg2+, Ca2+, etc.;
R=Si4+, Ge4+, P5+ etc.; X = O2−, OH−, F−, etc. It consists of isolated
tetrahedral RO4 anions and M cations located in nine-coordinated or
seven-coordinated sites. The seven-coordinated cations form channels
along the c axis in which anions are located. It is suggested that, these
anions, being oxide-ions, are responsible for the high anion conductivity
in rare-earth silicates with apatite structure.
For some doped ATLS, the electrical conductivity close to that of
Gd-doped ceria – one of the most perspective intermediate temperature
electrolyte – has been obtained [35]. This along with high stability
in both oxidizing and reducing condition, high transport numbers
etc. makes them promising materials for SOFC and other membrane
technologies.
It has been reported, that only systems possessing a defect structure
due to the presence of cation vacancies, i.e. La9.33Si6O26, and/or oxygen
excess, i.e. La9.67Si6O26.5 and La9SrSi6O26.5, show high ion conductivity,
while stoichiometric systems such as La8Sr2Si6O26 have rather low
conductivity [30].

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

เฉพาะ มันจะพบว่า stoichiometric เต็มระบบ เช่นLa8Sr2Si6O26 โดยทั่วไปแสดงจนนำ ในขณะที่โดปปิงค์ของเป็นของหายาก subvalent (เช่น Ga3 + Al3 +) ในไซต์ในการลาโดยไม่ต้องsubstoichiometry ค่าธรรมเนียมค่าตอบแทน) เพื่อสร้างตำแหน่งในการลาช่องปรับปรุงการนำอย่างเด่นชัด รายงานแรกเกี่ยวกับการประโยชน์โดปปิงค์บนไซต์ซิลิคอนได้รับโดยอับราฮัม et al. [46]ในการศึกษา ผู้สร้างศึกษาระบบ stoichiometric ออกซิเจนขององค์ประกอบ La9.33 + x / 3 (SiO4) − 6 x xO2 (AlO4) ในกลยุทธ์นี้ dopingแนะนำเวเลนซ์ล่าง Al3 + ในไซต์ Si4 + มีความสมดุลโดยจดทะเบียนของ La(x/3) ส่วนเกิน ให้หมายเลขของตำแหน่งลาลด (9.33 + x / 3) มีการเพิ่มระดับโดปปิงค์ ผลลัพธ์พบว่าเป็นการ "อัล" ระดับเพิ่มขึ้น (จำนวนของตำแหน่ง cationลดลง), ถูกสังเกตเพิ่มเริ่มต้นในนำถึงค่าสูงสุดสำหรับ x = 1.5 นำสูงสุดพบตัวอย่างที่ประกอบด้วยออกซิเจนเกิน และมีดังนั้นการแนะนำว่า ไอออนออกไซด์หลากจึงเกิดขึ้นตามออกซิเจนช่องเหมือนใน Fig. 1 [36 และอ้างอิง therein]นำของอัล - และ Fe-doped ATLS พึ่ง stoichiometry ตัวอย่าง:นำสูงสุดคือสังเกตตัวอย่างด้วยออกซิเจนส่วนเกิน ตัวอย่าง La10Si5FeO26.5 ดให้การนำสูงสุดระหว่างศึกษา Fe doped ตัวอย่างที่เห็นข้อมูลประกอบการ [38,39]อะพาไทต์ชนิด silicates แลนทานัม (ATLS) มีสาร isostructuralมีรู้จักอะพาไทต์และ hydroxyapatite วัสดุ ในทั่วไป สามารถแสดงโครงสร้างของอะพาไทต์หกเหลี่ยม โดย crystallographicM10 สูตร (RO4) 6 X 2 ที่ M = La3 + Mg2 + Ca2 + ฯลฯ .,R = Si4 + Ge4 + P5 + ฯลฯ X = O2−, OH−, F− ฯลฯ ประกอบด้วยแยกtetrahedral RO4 anions และ M เป็นของหายากอยู่ในเก้าประสานงาน หรือไซต์ที่สอดคล้องกันที่เซเว่น เป็นของหายากร่วมเจ็ดแบบช่องแกน c ที่ anions อยู่ แนะนำที่ เหล่านี้anions ถูกประจุ ออกไซด์ รับผิดชอบการนำ anion สูงในโลกหายาก silicates กับโครงสร้างของอะพาไทต์สำหรับบาง doped ATLS ค่าการนำไฟฟ้ากับที่ของGd doped ceria – หนึ่งในสุดมุมมองระดับกลางอุณหภูมิอิเล็กโทรได้การรับ [35] นี้พร้อมกับความมั่นคงสูงในการรับอิเล็กตรอน และลดเงื่อนไข หมายเลขขนส่งสูงฯลฯ ทำให้พวกเขาผลิตสัญญา SOFC และเยื่ออื่น ๆเทคโนโลยีมีรายงาน ระบบเดียวที่มีโครงสร้างบกพร่องเนื่องจากของ cation ตำแหน่ง เช่น La9.33Si6O26 หรือออกซิเจนส่วนเกิน เช่น La9.67Si6O26.5 และ La9SrSi6O26.5 แสดงนำไอออนสูงในขณะที่ระบบ stoichiometric เช่น La8Sr2Si6O26 มีค่อนข้างต่ำนำ [30]

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

โดยเฉพาะอย่างยิ่งจะพบว่าระบบ stoichiometric อย่างเต็มที่เช่น
La8Sr2Si6O26 ทั่วไปแสดงการนำความยากจนขณะยาสลบของ
ไพเพ subvalent (เช่น GA3 + และ Al3 +) บนเว็บไซต์ศรีหรือลา (โดยไม่ต้อง
ชดเชยค่าใช้จ่าย) substoichiometry เพื่อสร้างตำแหน่งงานว่างในลา
อย่างเห็นได้ชัดช่วยเพิ่มช่องทางการนำ รายงานครั้งแรกใน
ยาสลบประโยชน์ในเว็บไซต์ของซิลิกอนได้รับจากอับราฮัมและคณะ . [46]
ในการศึกษาของพวกเขาผู้เขียนศึกษาออกซิเจนระบบทฤษฎีของ
องค์ประกอบ La9.33 + x / 3 (SiO4) 6 - x (Ålö4) Xo2 ในกลยุทธ์ยาสลบนี้
การแนะนำของความจุที่ต่ำกว่า Al3 + บนเว็บไซต์ Si4 + จะมีความสมดุล
โดยการรวมตัวกันของส่วนเกิน La (x / 3) เช่นว่าตัวเลขของตำแหน่งงานว่างลา
ลดลง (+ 9.33 x / 3) มีระดับที่เพิ่มขึ้นยาสลบ ผล
การศึกษาพบว่าในขณะที่ "อัล" -level เพิ่มขึ้น (จำนวนตำแหน่งงานว่างไอออนบวก
ลดลง) เพิ่มขึ้นครั้งแรกในการนำถูกตั้งข้อสังเกต
ถึงค่าสูงสุดสำหรับ x = 1.5 นําสูงสุด
จะพบตัวอย่างที่มีส่วนเกินออกซิเจนและได้จึง
บอกว่าการนำออกไซด์ไอออนสิ่งของเกิดขึ้นพร้อม
ช่องออกซิเจนดังแสดงในรูป . 1 [36 และการอ้างอิงนั้น]
การนำไฟฟ้าของ Al- และ ATLS เฟเจือขึ้นอยู่กับปริมาณสารสัมพันธ์ตัวอย่าง:
การนำสูงสุดเป็นที่สังเกตสำหรับตัวอย่างที่มี
ออกซิเจนส่วนเกิน ตัวอย่างเฟสเดียว La10Si5FeO26.5 มี
การนำสูงสุดในการศึกษาตัวอย่างเฟเจือที่เห็นด้วย
กับข้อมูลจากเอกสารอ้างอิง [38,39].
อะพาไทต์ประเภทซิลิเกตแลนทานัม (ATLS) เป็นสารประกอบ isostructural
กับอะพาไทต์ที่รู้จักกันดีและวัสดุไฮดรอกซี ใน
ทั่วไปโครงสร้างอะพาไทต์หกเหลี่ยมสามารถนำเสนอโดย crystallographic
สูตร M10 (RO4) 6X2 ที่ M = LA3 +, Mg2 + Ca2 + ฯลฯ .;
R = Si4 + GE4 + P5 + ฯลฯ .; X = O2 อย่าง, OH-, F- ฯลฯ มันประกอบด้วยแยก
แอนไอออน tetrahedral RO4 และแคทไอออน M อยู่ในเก้าประสานงานหรือ
สถานที่เจ็ดการประสานงาน ไพเพอร์เจ็ดประสานงานช่องแบบฟอร์ม
ตามแกนคซึ่งตั้งอยู่แอนไอออน มันบอกว่าเหล่านี้
แอนไอออนเป็นออกไซด์ไอออนมีความรับผิดชอบในการนำไอออนสูง
ในซิลิเกตหายากของโลกที่มีโครงสร้างอะพาไทต์.
สำหรับบางเจือ ATLS, การนำไฟฟ้าใกล้เคียงกับ
Ceria Gd เจือ - มากที่สุดแห่งหนึ่ง มุมมองของอุณหภูมิกลาง
อิเล็กโทร - ได้รับ [35] นี้พร้อมกับความมั่นคงสูง
ทั้งในออกซิไดซ์และลดสภาพตัวเลขการขนส่งสูง
ฯลฯ ทำให้พวกเขามีแนวโน้มวัสดุสำหรับ SOFC และเมมเบรนอื่น ๆ
เทคโนโลยี.
มันได้รับรายงานว่าระบบเท่านั้นที่มีโครงสร้างข้อบกพร่อง
เพราะการปรากฏตัวของตำแหน่งงานว่างไอออนบวกคือ La9.33Si6O26 และ / หรือออกซิเจน
ส่วนเกินเช่น La9.67Si6O26.5 และ La9SrSi6O26 0.5 แสดงการนำไอออนสูง
ในขณะที่ระบบ stoichiometric เช่น La8Sr2Si6O26 มีค่อนข้างต่ำ
การนำ [30]

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

โดยเฉพาะ พบว่าอัตราส่วนเต็มระบบ เช่น
la8sr2si6o26 โดยทั่วไปมีความยากจน ขณะที่ผลงานของ
subvalent ไอออน ( เช่นและ GA3 al3 ) บนเว็บไซต์ หรือ ศรีลา ( โดยไม่คิดค่า substoichiometry
ค่าตอบแทน ) เพื่อสร้างที่ว่างใน La
ช่องทางอย่างเด่นชัด ช่วยนำ รายงานแรกที่
ประโยชน์การโด๊ปในซิลิคอนเว็บไซต์ได้รับโดยอับราม et al . [ 46 ] .
ในการศึกษาของพวกเขา ผู้เขียนได้ศึกษาอัตราส่วนขององค์ประกอบ la9.33 ออกซิเจนระบบ
x / 3 ( sio4 ) − 6 x ( alo4 ) xo2 . ในการแนะนำกลยุทธ์
2 ลด al3 บนเว็บไซต์ si4 สมดุล
โดยการส่วนเกินลา ( x / 3 ) เช่นว่าตัวเลขของ La งง
ลดลง ( 933 x / 3 ) กับการเพิ่มระดับ ผลลัพธ์
พบว่า " อัล " ในระดับที่เพิ่มขึ้น ( จำนวนประจุบวกงง
ลดลง ) เพิ่มขึ้นในค่าเริ่มต้นคือสังเกต
สูงสุดถึงค่า x = 1.5 ค่าสูงพบในตัวอย่าง
ที่มีส่วนเกิน ออกซิเจน และมันจึง
ได้รับการชี้ให้เห็นว่าการดูออกไซด์ไอออนที่เกิดขึ้นพร้อม
ออกซิเจนช่องดังแสดงในรูปที่ 1 [ 36 อ้างอิง ] .
นำอัล - และเหล็กเจือ atls ขึ้นอยู่กับจำนวนปริมาณสัมพันธ์ :
ไฟฟ้าสูงสุดเป็นสังเกตสำหรับตัวอย่างที่มี
ส่วนออกซิเจน ที่สามารถ la10si5feo26.5 ตัวอย่างให้นำไฟฟ้าระหว่างเรียน FE
สูงสุดด้วยตัวอย่างที่เห็นด้วยกับวรรณคดีข้อมูล 38,39 [

]อะพาไทต์ประเภทแลนทานัมซิลิเกต ( atls ) เป็นสารประกอบ isostructural
ด้วยอะพาไทต์ที่รู้จักกันดีและวัสดุไฮด . ใน
ทั่วไป โครงสร้างหกเหลี่ยม อะพาไทต์สามารถนำเสนอโดยทาง
สูตร M10 ( ro4 ) 6x2 ที่ M = LA3 mg2 , แคลเซียม , ฯลฯ ;
, r = si4 ge4 , P5 , ฯลฯ ; X = O2 F −−− , โอ้ , ฯลฯ มันประกอบด้วยแยก
แอน ro4 tetrahedral และไอออนอยู่ในเก้าประสานงานหรือประสานงาน
7 เว็บไซต์ 7 ประสานงานไอออนรูปแบบช่องทาง
ตามแกน C ที่แอนจะอยู่ . มันชี้ให้เห็นว่าแอนไอออนเหล่านี้
เป็นออกไซด์ไอออน รับผิดชอบสูง การนำไอออนในซิลิเกตที่มีโครงสร้างที่ยาก

บางอะพาไทต์ . เจือ atls , ค่าการนำไฟฟ้าของ
ใกล้กับGD เจือซีเรีย–หนึ่งในมุมมองมากที่สุดกลางอุณหภูมิ
อิเล็กโทรไลต์–ได้ [ 3 ] นี้พร้อมกับ
ความมั่นคงสูงทั้งออกซิไดซ์และลดภาวะสูง , ตัวเลขการขนส่ง
ฯลฯ ทำให้วัสดุที่มีศักยภาพและเทคโนโลยีเมมเบรนแบบ
.
มันได้รับรายงานว่ามีเพียงระบบโครงสร้างบกพร่อง
เนื่องจากการแสดงตนของการงาน ได้แก่la9.33si6o26 และ / หรือออกซิเจน
ส่วนเกิน เช่น la9.67si6o26.5 la9srsi6o26.5 และโชว์การนำไอออนสูง
ในขณะที่ระบบอัตราส่วนเช่น la8sr2si6o26 มีการนำความร้อนต่ำ
[ 30 ]