The enhanced power density input in

The enhanced power density input in the discharge promotes the ionisation of sputtered material from the target and yields an increased instantaneous plasma density. The use of ionised sputtered target material from the plasma phase is an advantage to a number of applications such as substrate pre-treatment to provide crystalline coating-substrate interface with high adhesion and filling of trenches of semiconductor devices.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ป้อนข้อมูลความหนาแน่นเพิ่มอำนาจในการปล่อยออกส่งเสริม ionisation sputtered วัสดุจากเป้าหมาย และทำให้มีความหนาแน่นของพลาสมาที่กำลังเพิ่มขึ้น ใช้วัสดุ ionised sputtered เป้าหมายจากระยะพลาสมาคือ ข้อดีของโปรแกรมประยุกต์เช่นการรักษาพื้นผิวก่อนเพื่อให้อินเทอร์เฟซสำหรับเคลือบพื้นผิวผลึก มีไส้ของ trenches อุปกรณ์สารกึ่งตัวนำและการยึดเกาะสูง

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ใส่ความหนาแน่นของพลังงานที่เพิ่มขึ้นในการปฏิบัติส่งเสริม Ionisation ของวัสดุ sputtered จากเป้าหมายและผลตอบแทนถัวเฉลี่ยความหนาแน่นของพลาสม่าที่เพิ่มขึ้นทันที การใช้วัสดุ ionised sputtered เป้าหมายจากระยะพลาสม่าเป็นข้อได้เปรียบที่จำนวนการใช้งานเช่นพื้นผิวการรักษาก่อนที่จะให้ผลึกของอินเตอร์เฟซการเคลือบพื้นผิวด้วย-การยึดเกาะสูงและเติมร่องลึกของอุปกรณ์เซมิคอนดักเตอร์

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

เพิ่มความหนาแน่นพลังงานป้อนในการส่งเสริม ionisation ของ sputtered วัสดุจากเป้าหมายและผลผลิตเพิ่มขึ้นทันทีพลาสมาความหนาแน่นการใช้ ionised sputtered วัสดุเป้าหมายจากพลาสมาระยะที่เป็นประโยชน์ไปยังหมายเลขของโปรแกรมประยุกต์เช่นพื้นผิวและเคลือบพื้นผิวเพื่อให้อินเตอร์เฟซที่มีการยึดเกาะสูง ผลึก และเติมร่องลึกของอุปกรณ์เซมิคอนดักเตอร์