Silicon carbide (SiC) particles wer

Silicon carbide (SiC) particles were synthesized by carbothermal reaction using HBO3, NH4Cl and nano-SiC as additives, and the effects of three additives on the microstructure of SiC particles were investigated by X-ray diffraction (XRD) and scanning electron microscopy (SEM). The three additives didn't affect the structural characteristics of SiC. HBO3 could promote the growth of resulting rod-like SiC, NH4Cl to some extent restricted the formation of rod-like SiC, and nano-SiC promoted the formation of rod-like SiC and decreased the radial size.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ซิลิคอนคาร์ไบด์ (SiC) อนุภาคถูกสังเคราะห์ โดยใช้ HBO3, NH4Cl และ SiC นาโนเป็นสารปฏิกิริยา carbothermal และผลของสาร 3 การต่อโครงสร้างจุลภาคของ SiC อนุภาคถูกตรวจสอบ โดยเอ็กซ์เรย์การเลี้ยวเบน (XRD) และ microscopy อิเล็กตรอนสแกน (SEM) สารทั้งสามไม่ได้มีผลกระทบต่อลักษณะโครงสร้างของ SiC HBO3 จะส่งเสริมการเติบโตของผลเช่นร็อด SiC, NH4Cl บ้างจำกัดการก่อตัวของ SiC ร็อดเหมือน และ SiC นาโนส่งเสริมการก่อตัวของ SiC เหมือนร็อด และลดขนาดรัศมี

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

คาร์ไบด์ซิลิกอน (SIC) อนุภาคถูกสังเคราะห์จากปฏิกิริยา carbothermal ใช้ HBO3, NH4Cl และนาโน SiC เป็นสารเติมแต่งและผลกระทบของสารเติมแต่งสามจุลภาคของอนุภาค SiC ถูกตรวจสอบโดย X-ray diffraction (XRD) และการสแกนกล้องจุลทรรศน์อิเล็กตรอน (SEM ) สามสารเติมแต่งที่ไม่ได้ส่งผลกระทบต่อลักษณะโครงสร้างของ SiC HBO3 สามารถส่งเสริมการเจริญเติบโตของผลแกนเหมือน SiC, NH4Cl ที่มีขอบเขต จำกัด การก่อตัวของก้านเหมือน SiC และนาโน SiC การเลื่อนตำแหน่งการก่อตัวของก้านเหมือน SiC และลดลงขนาดรัศมี

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ซิลิคอนคาร์ไบด์ ( sic ) อนุภาคถูกสังเคราะห์โดยปฏิกิริยา carbothermal ใช้ hbo3 4 . SIC , และนาโนเป็นสารเติมแต่ง และผลจากสามสารในโครงสร้างจุลภาคของ SIC อนุภาคได้ด้วยเครื่อง X-ray diffraction ( XRD ) และกล้องจุลทรรศน์อิเล็กตรอนแบบส่องกราด ( SEM ) 3 สารไม่มีผลต่อลักษณะโครงสร้างของ SiChbo3 สามารถส่งเสริมการเจริญเติบโตของผลร็อดเช่น Sic , 4 . มีขอบเขตจำกัด การก่อตัวของร็อดเช่น SiC , และส่งเสริมการก่อตัวของแท่งนาโน SIC เหมือน SIC และลดขนาดรัศมี