Palladium (2 nm) was deposited on t

Palladium (2 nm) was deposited on the GO film by thermal
evaporation, which lowered the resistance from 37 MV to 130V.
This sensor device responded to H2 but the behavior was strongly
affected by the temperature.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

พาลาเดียม (2 nm) ฝากฟิล์มไป โดยความร้อนระเหย ซึ่งลดลงความต้านทานจาก 37 MV ถึง 130Vอุปกรณ์เซนเซอร์นี้ตอบ H2 แต่ลักษณะการทำงานเป็นอย่างยิ่งผลกระทบจากอุณหภูมิ

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

Palladium (2 นาโนเมตร) ถูกวางลงบนฟิล์มไปโดยความร้อน
ระเหยซึ่งลดลงจากความต้านทาน 37 MV เพื่อ 130V.
อุปกรณ์เซ็นเซอร์นี้ตอบสนองต่อการ H2 แต่พฤติกรรมที่ถูกอย่างยิ่ง
ผลกระทบจากอุณหภูมิ

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

แพลเลเดียม ( 2 nm ) ฝากไปภาพยนตร์โดยความร้อนการระเหยซึ่งลดลงความต้านทานจาก 37 MV ที่จะ 130v .อุปกรณ์เซ็นเซอร์นี้ตอบ H2 แต่พฤติกรรมเป็นอย่างยิ่งผลกระทบจากอุณหภูมิ