4. TEMPERATURE DEPENDENCE OF VCCS T

4. TEMPERATURE DEPENDENCE OF VCCS TRANSCONDUCTANCE

Using design knowledge about matched devices the BJT small-signal parameters can be substituted by the follow- ing relations, where UT = kT/eo denotes the thermal voltage.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

4. อุณหภูมิอาศัยของ VCCS TRANSCONDUCTANCEใช้ออกแบบความรู้เกี่ยวกับการจับคู่อุปกรณ์ที่สามารถใช้ทดแทนพารามิเตอร์สัญญาณเล็กภูมิใจไทย โดยอิงตามความสัมพันธ์ ที่ UT = kT/อี โอแสดงแรงดันความร้อน

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

4. อุณหภูมิพึ่งพาอาศัยกันของ VCCS transconductance การใช้ความรู้เกี่ยวกับพารามิเตอร์การออกแบบอุปกรณ์ที่ตรงกับบีเจทีขนาดเล็กสัญญาณสามารถทดแทนโดยความสัมพันธ์ของไอเอ็นจีต่อไปนี้ที่ยูทาห์ = โฮเทล / eo หมายถึงแรงดันความร้อน

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

4 .

ของทราน คอนดักแตนซ์ vccs โดยใช้การออกแบบความรู้เกี่ยวกับการจับคู่อุปกรณ์เชิงสัญญาณขนาดเล็กพารามิเตอร์สามารถทดแทน โดยตาม - ing ความสัมพันธ์พึ่งพาอุณหภูมิที่ UT = KT / ออ หมายถึง แรงดันความร้อน