3.4. Electrical properties Fig. 7 s

3.4. Electrical properties
Fig. 7 shows the variations in electrical properties of the AZO films as a function of external magnetic field. It is found that, as the magnetic field increased from 0 to 6.0 mT, electrical resistivity decreased significantly, whereas both the Hall mobility and carrier concentration increased due to the variations observed in the grain size. The electrical resistivity of the films formed at without magnetic field condition (AZO-0) was found to 4.8 Ω cm. Further increase in the magnetic field to 6.0 mT, reaches to the lower electrical resistivity value 1.0 101 Ω cm because of better Hall mobility. The decreased electrical resistivity can be explained by the growth of better crystalline AZO films through the producing of more smooth and denser films. On the other hand, decreased electrical resistivity strongly depends on the formation of larger sized grains that greatly minimizes the electron scattering throughout the film surface. The increased grain size with smooth morphology helps to reduce the film porosity. This helps to provide a less electron scattering, thus it reduces the electrical resistivity value [21]. As mentioned above, the decreased electrical resistivity confirms the additional magnetic field not only influenced on the crystalline nature and optical properties of AZO films but also affected the electrical behavior. In addition, it is observed from the Hall analysis that, both the carrier concentration and Hall mobility showed an increasing tendency from 1.4 1018 to 7.0 1018 cm3 and 0.93–8.9 cm2 V1 s1 with increase of magnetic field from 0 to 6.0 mT respectively. It is obvious from the electrical results that, the mobility showed a better changes with the electrical resistivity than the charge carrier concentration. The sharp variation in mobility was the main reason for decreased electrical resistivity for the AZO-6.0 films. The increase in carrier concentration and Hall mobility is primarily associated with the better crystallinity and grain boundaries [22]. Among the deposited films, the effect of magnetic field on the AZO films was pronounced for the AZO-6.0 films, indicating the lowest electrical resistivity value, as well as the highest Hall mobility and carrier concentration than that of films deposited at lower deposition conditions.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

3.4. ไฟฟ้าคุณสมบัติ Fig. 7 shows the variations in electrical properties of the AZO films as a function of external magnetic field. It is found that, as the magnetic field increased from 0 to 6.0 mT, electrical resistivity decreased significantly, whereas both the Hall mobility and carrier concentration increased due to the variations observed in the grain size. The electrical resistivity of the films formed at without magnetic field condition (AZO-0) was found to 4.8 Ω cm. Further increase in the magnetic field to 6.0 mT, reaches to the lower electrical resistivity value 1.0 101 Ω cm because of better Hall mobility. The decreased electrical resistivity can be explained by the growth of better crystalline AZO films through the producing of more smooth and denser films. On the other hand, decreased electrical resistivity strongly depends on the formation of larger sized grains that greatly minimizes the electron scattering throughout the film surface. The increased grain size with smooth morphology helps to reduce the film porosity. This helps to provide a less electron scattering, thus it reduces the electrical resistivity value [21]. As mentioned above, the decreased electrical resistivity confirms the additional magnetic field not only influenced on the crystalline nature and optical properties of AZO films but also affected the electrical behavior. In addition, it is observed from the Hall analysis that, both the carrier concentration and Hall mobility showed an increasing tendency from 1.4 1018 to 7.0 1018 cm3 and 0.93–8.9 cm2 V1 s1 with increase of magnetic field from 0 to 6.0 mT respectively. It is obvious from the electrical results that, the mobility showed a better changes with the electrical resistivity than the charge carrier concentration. The sharp variation in mobility was the main reason for decreased electrical resistivity for the AZO-6.0 films. The increase in carrier concentration and Hall mobility is primarily associated with the better crystallinity and grain boundaries [22]. Among the deposited films, the effect of magnetic field on the AZO films was pronounced for the AZO-6.0 films, indicating the lowest electrical resistivity value, as well as the highest Hall mobility and carrier concentration than that of films deposited at lower deposition conditions.

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

3.4 คุณสมบัติทางไฟฟ้า
รูป 7 แสดงให้เห็นถึงการเปลี่ยนแปลงในคุณสมบัติทางไฟฟ้าของภาพยนตร์ AZO เป็นหน้าที่ของสนามแม่เหล็กภายนอกที่ นอกจากนี้ยังพบว่าเป็นสนามแม่เหล็กเพิ่มขึ้น 0-6.0 MT, ความต้านทานไฟฟ้าลดลงอย่างมีนัยสำคัญในขณะที่ทั้งความคล่องตัวและความเข้มข้นให้บริการฮอลล์เพิ่มขึ้นเนื่องจากการเปลี่ยนแปลงที่สังเกตได้ในขนาดของเมล็ดข้าว ต้านทานไฟฟ้าของฟิล์มที่เกิดขึ้นโดยไม่มีเงื่อนไขที่สนามแม่เหล็ก (AZO-0) พบว่า 4.8 Ωซม. เพิ่มขึ้นอีกในสนามแม่เหล็ก 6.0 MT, ถึงค่าความต้านทานไฟฟ้าต่ำกว่า 1.0 ซม. 101 Ωเพราะฮอลล์ของการเคลื่อนไหวที่ดีขึ้น ต้านทานไฟฟ้าลดลงสามารถอธิบายได้ด้วยการเจริญเติบโตของที่ดีกว่าภาพยนตร์ผลึก AZO ผ่านการผลิตของภาพยนตร์ได้อย่างราบรื่นมากขึ้นและแน่น บนมืออื่น ๆ ลดลงอย่างมากความต้านทานไฟฟ้าขึ้นอยู่กับการก่อตัวของเม็ดกลางขนาดใหญ่ที่ช่วยลดการกระเจิงอิเล็กตรอนทั่วพื้นผิวฟิล์ม ขนาดของเมล็ดข้าวเพิ่มขึ้นด้วยลักษณะทางสัณฐานวิทยาเรียบช่วยในการลดความพรุนภาพยนตร์ ซึ่งจะช่วยให้การกระเจิงอิเล็กตรอนน้อยจึงช่วยลดค่าความต้านทานไฟฟ้า [21] ดังที่ได้กล่าวข้างต้นต้านทานไฟฟ้าลดลงยืนยันสนามแม่เหล็กเพิ่มเติมไม่ได้รับอิทธิพลเฉพาะในลักษณะผลึกและคุณสมบัติทางแสงของภาพยนตร์ AZO แต่ยังส่งผลกระทบต่อพฤติกรรมการใช้ไฟฟ้า นอกจากนี้ยังเป็นที่สังเกตได้จากการวิเคราะห์ฮอลล์ที่ทั้งผู้ให้บริการและความเข้มข้นของการเคลื่อนไหวของฮอลล์แสดงให้เห็นแนวโน้มที่เพิ่มขึ้นจาก 1.4 1018-7.0 1018 cm3 และ 0.93-8.9 cm2 S1 V1 กับการเพิ่มขึ้นของสนามแม่เหล็ก 0-6.0 mT ตามลำดับ จะเห็นได้ชัดจากผลการไฟฟ้าที่เคลื่อนไหวแสดงให้เห็นการเปลี่ยนแปลงที่ดีขึ้นกับความต้านทานไฟฟ้ากว่าความเข้มข้นของค่าใช้จ่ายของผู้ให้บริการ รูปแบบที่คมชัดในการเคลื่อนย้ายเป็นเหตุผลหลักสำหรับความต้านทานไฟฟ้าลดลงเป็นภาพยนตร์ AZO-6.0 การเพิ่มขึ้นของความเข้มข้นของผู้ให้บริการและการเคลื่อนไหวของฮอลล์มีความสัมพันธ์เกี่ยวเนื่องกับที่ดีกว่าผลึกและข้าวเขตแดน [22] ในบรรดาภาพยนตร์ฝากผลของสนามแม่เหล็กในภาพยนตร์ AZO เด่นชัดสำหรับภาพยนตร์ AZO-6.0 แสดงให้เห็นค่าต่ำสุดต้านทานไฟฟ้าเช่นเดียวกับฮอลล์เคลื่อนไหวและผู้ให้บริการเข้มข้นสูงสุดกว่าที่ของภาพยนตร์ฝากที่สภาวะการสะสมต่ำกว่า