For a change from 20°C to 100°C, th

For a change from 20°C to 100°C, the level of I s increases from 10 nA to a value of 2.56 mA, which is a significant, 256- fold increase. Continuing to 200°C would result in a monstrous reverse saturation กระแส of 2.62 mA. For high-temperature applications one would therefore look for Si diodes with room-temperature I s closer to 10 pA, a level commonly available today, which would limit กระแส to 2.62 μA. It is indeed fortunate that both Si and GaAs have relatively small reverse saturation กระแส at room temperature. GaAs devices are available that work very well in the 200°C to 200°C temperature range, with some having maximum temperatures approaching 400°C. Consider, for a moment, how huge the reverse saturation กระแส would be if we started with a Ge diode with a saturation กระแส of 1 mA and applied the same doubling factor.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

สำหรับการเปลี่ยนแปลงจาก 20° C ถึง 100° C ระดับของผม s เพิ่มจาก 10 นาค่า 2.56 mA ซึ่งเป็นการเพิ่มขึ้นอย่างมีนัยสำคัญ 256-พับ ต่อเนื่องถึง 200° C จะส่งผลเป็นกระแสอิ่มตัวย้อนกลับมหึมาของ 2.62 mA สำหรับการใช้งานอุณหภูมิสูง หนึ่งจะดังนั้นหาไดโอดศรีกับอุณหภูมิห้องผม s ใกล้จะ 10 pA ระดับใช้ได้ทั่วไปในวันนี้ ซึ่งจะจำกัดกระแสให้สูงสุด Μa 2.62 โชคดีจริง ๆ ที่ศรีและ GaAs มีกระแสอิ่มตัวย้อนกลับค่อนข้างเล็กที่อุณหภูมิห้องได้ GaAs อุปกรณ์มีงานที่ดี ในการ 200° C ช่วงอุณหภูมิ 200° C มีบางส่วนมีใกล้ 400 องศาเซลเซียสอุณหภูมิสูงสุด พิจารณา ครู่ วิธีใหญ่กระแสอิ่มตัวย้อนกลับจะถ้าเราเริ่มต้นกับไดโอด Ge กับกระแสอิ่มตัวใน 1 mA และใช้ตัวเดียวกันเพิ่มขึ้นเท่านั้น

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

สำหรับการเปลี่ยนแปลงจาก 20 ° C ถึง 100 ° C, ระดับของฉัน s เพิ่มขึ้นจาก 10 nA ค่าเป็น 2.56 mA ซึ่งเป็นอย่างมีนัยสำคัญเพิ่มขึ้น 256 พับ อย่างต่อเนื่องถึง 200 องศาเซลเซียสจะส่งผลให้ความอิ่มตัวย้อนกลับมหึมากระแส 2.62 มิลลิแอมป์ สำหรับการใช้งานที่อุณหภูมิสูงหนึ่งจึงจะมองหาศรีไดโอดกับอุณหภูมิห้องฉัน s ใกล้ชิดกับ 10 PA, ระดับที่มีอยู่ทั่วไปในวันนี้ซึ่งจะ จำกัด กระแสเพื่อ 2.62 ต มันย่อมเป็นโชคดีที่ทั้งสองศรีและ GaAs มีความอิ่มตัวย้อนกลับที่ค่อนข้างเล็กกระแสที่อุณหภูมิห้อง อุปกรณ์ GaAs ที่มีอยู่งานที่ดีมากใน? 200 ° C ถึง? 200 ° C ช่วงอุณหภูมิมีบางส่วนอุณหภูมิสูงสุดมีใกล้ 400 ° C พิจารณาสักครู่วิธีใหญ่อิ่มตัวย้อนกลับกระแสจะเป็นอย่างไรถ้าเราเริ่มต้นด้วยไดโอดจีอีที่มีความอิ่มตัวของกระแส 1 มิลลิแอมป์และนำไปใช้เป็นปัจจัยการเสแสร้งเดียวกัน

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

สำหรับการเปลี่ยนแปลงจาก 20 ° C ถึง 100 ° C ) แต่เพิ่มขึ้นจาก 10 นาค่ามาต่อที่สําคัญ , 256 - พับขึ้น ต่อเนื่องถึง 200 องศา C จะส่งผลย้อนกลับอิ่มตัวกระแสมหึมามา 2.62 . สำหรับการใช้งานที่อุณหภูมิสูงจึงมองหาศรีไดโอดกับอุณหภูมิห้องผมใกล้ 10 PA ระดับวันนี้ที่มีอยู่ทั่วไป ซึ่งจะ จำกัด กระแสถึง 2.62 μ . ช่างโชคดีที่ทั้ง 2 จังหวัดนี้มีขนาดค่อนข้างเล็กและกระแสย้อนกลับอิ่มตัวที่อุณหภูมิ ห้อง ในอุปกรณ์ที่มีอยู่ว่าทำงานได้ดีมากใน 200 องศา C 200 องศา C อุณหภูมิ มีบาง มีอุณหภูมิสูงสุดถึง 400 องศา พิจารณาสักครู่ แล้วย้อนกลับอิ่มตัวกระแสจะเป็นยังไง ถ้าเราเริ่มต้นด้วยไดโอด GE กับความอิ่มตัวกระแส 1 มา และปัจจัยทางเดียวกันใช้ขนาดใหญ่