The present work describes a method

The present work describes a method for the development of an efficient silver nanowire (AgNWs) embedded indium tin oxide (ITO) based silicon heterojunction solar cell. The working mechanism of the heterojunction solar cell is studied by using the current-voltage (J-V) and Impedance spectroscopy (IS) techniques. A relatively high efficiency has been achieved for AgNWs embedded ITO-Si heterojunction solar cell in which AgNWs network acts as a transparent buried contact. The value of m under dark and illumination are obtained as 2.81 and 2.79 respectively. A relatively higher value of m signifies the recombination current in space charge region of AgNWs embedded ITO and Si layer dominates the diode current. In the fabricated solar cell a higher value of RS is one of the reasons for a lower FF and performance of the device. Our study opens a path for the utilization of new architecture for various heterojunction solar cells without an additional doping process. Further improvements on the performance of device can be envisioned by further characterizing the material to show the origin of poor FF. Future studies will be done to improve the device performance by enhancing the light harvesting properties of ultrathin c-Si substrates using Si nanostructures, anti-reflection coatings or metallic nanoparticles.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

การทำงานปัจจุบันอธิบายวิธีการพัฒนามีประสิทธิภาพ nanowire เงิน (AgNWs) ฝังอินเดียมดีบุกออกไซด์ (ITO) ซิลิคอนตาม heterojunction อาทิตย์ มีศึกษากลไกการทำงานของเซลล์แสงอาทิตย์ heterojunction โดยใช้เทคนิคสเปกโทรสโก (IS) ความต้านทานและกระแสแรงดันไฟฟ้า (J V) ได้รับความประสิทธิภาพค่อนข้างสูงสำหรับ AgNWs ฝังเซลล์แสงอาทิตย์ heterojunction ศรีอิโตะใน AgNWs ซึ่งเครือข่ายที่ทำหน้าที่เป็นผู้ติดต่อฝังโปร่งใส ค่าของ m ที่มืดและสว่างได้รับเป็น 2.79 และ 2.81 ตามลำดับ ค่อนข้างสูงกว่าค่า m หมายถึงการรวมตัวกันปัจจุบันในภูมิภาคค่าพื้นที่ของ AgNWs ฝัง ITO และชั้นศรีกุมอำนาจปัจจุบันไดโอด ในเซลล์แสงอาทิตย์ประดิษฐ์ ค่าสูงกว่าอาร์เอสเป็นหนึ่งในเหตุผลสำหรับ FF และประสิทธิภาพของอุปกรณ์ลดลง ศึกษาของเราเปิดเส้นทางสำหรับการใช้ประโยชน์จากสถาปัตยกรรมใหม่สำหรับเซลล์แสงอาทิตย์ heterojunction ต่าง ๆ โดยไม่ต้องมีการยาสลบเพิ่มเติม การ ปรับปรุงประสิทธิภาพการทำงานของอุปกรณ์สามารถจะจินตนาการลเห็นเพิ่มเติมวัสดุเพื่อแสดงต้นกำเนิดของ FF. ไม่ดีอนาคตศึกษาจะทำการปรับปรุงประสิทธิภาพอุปกรณ์ โดยเพิ่มแสงที่เก็บคุณสมบัติของพื้นผิว c-ซีบางเฉียบใช้ Si nanostructures เคลือบป้องกันการสะท้อนแสง หรือเก็บกักโลหะ

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

เซลล์แสงอาทิตย์ปัจจุบันทำงานอธิบายวิธีการสำหรับการพัฒนาของเส้นลวดนาโนเงินที่มีประสิทธิภาพ (AgNWs) ฝังอินเดียมทินออกไซด์ (ITO) ตามซิลิกอนเฮเทอโร กลไกการทำงานของเซลล์แสงอาทิตย์เฮเทอโรที่มีการศึกษาโดยใช้กระแสไฟฟ้าแรงดัน (JV) และความต้านทานสเปกโทรสโก (IS) เทคนิค ประสิทธิภาพค่อนข้างสูงได้รับความสำเร็จสำหรับ AgNWs ฝัง ITO ศรีเฮเทอโรเซลล์แสงอาทิตย์ที่ทำหน้าที่ AgNWs เครือข่ายเป็นผู้ติดต่อฝังโปร่งใส ค่าของม. ภายใต้ความมืดและความสว่างจะได้รับเป็น 2.81 และ 2.79 ตามลำดับ ค่าค่อนข้างสูงขึ้นของ M หมายถึงการรวมตัวกันในปัจจุบันอยู่ในความดูแลพื้นที่ภาคเหนือของ AgNWs ฝัง ITO และศรีชั้นครอบงำไดโอดในปัจจุบัน ในเซลล์แสงอาทิตย์ประดิษฐ์มูลค่าที่สูงกว่าของอาร์เอสเป็นหนึ่งในเหตุผลสำหรับ FF ที่ต่ำกว่าและประสิทธิภาพการทำงานของอุปกรณ์ การศึกษาของเราเปิดเส้นทางสำหรับการใช้ประโยชน์จากสถาปัตยกรรมใหม่สำหรับเซลล์แสงอาทิตย์ต่างๆเฮเทอโรโดยไม่ต้องเป็นกระบวนการยาสลบเพิ่มเติม การปรับปรุงเพิ่มเติมประสิทธิภาพการทำงานของอุปกรณ์ที่สามารถจินตนาการต่อพัฒนาการของวัสดุที่จะแสดงที่มาของการที่ไม่ดีของ FF การศึกษาในอนาคตจะทำได้ในการปรับปรุงประสิทธิภาพการทำงานของอุปกรณ์โดยการเพิ่มคุณสมบัติการเก็บเกี่ยวของแสงบางเฉียบ C-Si พื้นผิวโดยใช้โครงสร้างนาโนศรีเคลือบป้องกันแสงสะท้อนหรืออนุภาคนาโนของโลหะ

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

งานวิจัยนี้อธิบายวิธีการในการพัฒนา nanowire เงินที่มีประสิทธิภาพ ( agnws ) อินเดียมทินออกไซด์ ( ITO ) heterojunction ฝังตัวซิลิคอนเซลล์แสงอาทิตย์จาก กลไกการทำงานของ heterojunction เซลล์แสงอาทิตย์เรียนโดยใช้แรงดันไฟฟ้าปัจจุบัน ( j-v ) และอิมพีแดนซ์สเปกโทรสโกปี ( ) เทคนิค ประสิทธิภาพค่อนข้างสูง ได้รับความสํา agnws ฝังตัวนี้ศรี heterojunction เซลล์แสงอาทิตย์ที่ agnws เครือข่ายทำหน้าที่เป็นโปร่งใสไว้ติดต่อ ค่าของ m ภายใต้ความมืดและไฟส่องสว่างที่ได้จาก 2.81 และ 2.79 ตามลำดับ มูลค่าที่ค่อนข้างสูงของ M หมายถึงการชาร์จในปัจจุบันในพื้นที่เขต agnws ฝังตัวนี้และชั้นศรี dominates ไดโอดในปัจจุบัน ในการประดิษฐ์เซลล์แสงอาทิตย์มูลค่าที่สูงกว่าของ RS เป็นหนึ่งในเหตุผลสำหรับราคา FF และประสิทธิภาพของอุปกรณ์ การศึกษาของเราจะเปิดเส้นทางสำหรับการใช้สถาปัตยกรรมใหม่สำหรับเซลล์แสงอาทิตย์ชนิดต่าง ๆ heterojunction โดยไม่ต้องเพิ่มเติมว่ากระบวนการ การปรับปรุงเพิ่มเติมเกี่ยวกับประสิทธิภาพการทำงานของอุปกรณ์ที่สามารถมองเห็นภาพโดยเพิ่มเติมลักษณะวัสดุเพื่อแสดงจุดเริ่มต้นของ FF ที่น่าสงสาร การศึกษาในอนาคตจะต้องทำเพื่อปรับปรุงประสิทธิภาพของอุปกรณ์โดยการเพิ่มแสงเกี่ยวคุณสมบัติของพื้นผิวที่ใช้ c-si ultrathin ศรีนาโนป้องกันการสะท้อนเคลือบหรืออนุภาคนาโนของโลหะ