To release the YSZ membrane, the si

To release the YSZ membrane, the silicon substrate is immersed into a 30wt% KOH solution for 5h at 85 C. Pt anode and cathode are then sputtered on both sides of the freestanding YSZ membrane to from the cell. The maximum power density is 677 mW cm-2 at 400C.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ปล่อยเยื่อ YSZ พื้นผิวซิลิคอนแช่อยู่ลงในโซลูชัน 30wt %เกาะสำหรับ 5h ที่แอโนด Pt 85 C. และแคโทดถูก sputtered แล้วทั้งสองด้านของเยื่อ YSZ ลอยไปจากเซลล์ ความหนาแน่นของพลังงานสูงสุดคือ 677 mW ซม.-2 ที่ 400 c

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ที่จะปล่อยเยื่อ YSZ พื้นผิวซิลิกอนจะแช่ลงในสารละลาย 30wt% KOH สำหรับ 5h ที่ 85 ซี Pt ขั้วบวกและขั้วลบจะ sputtered แล้วทั้งสองด้านของเมมเบรน YSZ อิสระไปจากเซลล์ ความหนาแน่นของพลังงานสูงสุดคือ 677 ซม mW-2 ที่ 400C

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ปล่อย ซึ่งเยื่อ , ซิลิคอนจะจุ่มลงในสารละลาย 30wt % ซึ่งได้แก่ที่ 85 C . PT ขั้วบวกและขั้วลบจะ sputtered บนทั้งสองข้างของอิสระ ซึ่งเยื่อจากเซลล์ ความหนาแน่นพลังงานสูงสุด 677 MW cm-2 ที่ส่วนควบ