Bilayer TiO2:Ag/ZnO:Ag (TZO:Ag) oxi

Bilayer TiO2:Ag/ZnO:Ag (TZO:Ag) oxide film is fabricated by using silver doped zinc oxide (ZnO:Ag) and
silver doped titanium dioxide (TiO2:Ag) nanopowder synthesized by sol–gel Technique. X-ray diffraction
(XRD) and UV-Visible spectroscopy (UV-Vis) results confirm the formation of TZO:Ag film. Band gap
energies are 2.96 eV, 2.99 eV and 3.02 eV for annealed TiO2:Ag, ZnO:Ag and TZO:Ag respectively. Shortcircuit
photocurrent density (Jsc) is increased from 0.106 mA/cm2 for the DSSCs with a single ZnO film to
0.495 mA/cm2 and 0.461 mA/cm2 for the DSSCs with a ZnO:Ag thin film and TZO:Ag thin film,
respectively. Efficiency (h) of DSSC has been improved to 345.71% and 351.428% with Ag doped ZnO and
ZTO film respectively as compared to undoped ZnO film. This improvement is attributed to the presence
of localized surface plasmon resonance (SPR) effect associated with spatially dispersed metallic Ag
nanoparticles on the surface of oxide nanoparticles, which enhances the light-harvesting efficiency and
promotes the separation of photogenerated electron-hole pairs.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

Bilayer TiO2:Ag / ZnO:Ag (TZO:Ag) ออกไซด์ฟิล์มหลังสร้างโดยเงิน doped สังกะสีออกไซด์ (ZnO:Ag) และnanopowder เงิน doped ไทเทเนียมไดออกไซด์ (TiO2:Ag) ที่สังเคราะห์ โดยเทคนิคซอลเจล การเลี้ยวเบนเอ็กซ์เรย์(XRD) และก (UV-Vis) UV เห็นผลยืนยันการก่อตัวของฟิล์ม TZO:Ag ช่องว่างของวงพลังงานได้ 2.96 eV, eV 2.99 กก และ 3.02 eV สำหรับ annealed TiO2:Ag, ZnO:Ag และ TZO:Ag ตามลำดับ Shortcircuitphotocurrent ความหนาแน่น (Jsc) เพิ่มขึ้นจาก 0.106 mA/cm2 สำหรับ DSSCs ฟิล์ม ZnO เดียวกับmA 0.495 cm2 และ mA 0.461 cm2 สำหรับ DSSCs ZnO:Ag ฟิล์มบางและฟิล์มบาง TZO:Agตามลำดับ ประสิทธิภาพ (h) ของ DSSC ได้ถูกปรับปรุงให้ 345.71% และ 351.428% กับ Ag doped ZnO และฟิล์ม ZTO ตามลำดับเมื่อเทียบกับฟิล์ม ZnO undoped ปรับปรุงนี้ถูกบันทึกอยู่ของผิว plasmon แปล ผลการสั่นพ้อง (คอฟฟี่ช็อป/) ที่เกี่ยวข้องกับ spatially กระจายโลหะ Agเก็บกักบนพื้นผิวของออกไซด์เก็บกัก ซึ่งช่วยเพิ่มประสิทธิภาพการเก็บเกี่ยวแสง และส่งเสริมแยกของคู่อิเล็กตรอนหลุม photogenerated

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

bilayer TiO2: Ag / ZnO: Ag (TZO: Ag) ฟิล์มออกไซด์ถูกประดิษฐ์โดยใช้เงินเจือซิงค์ออกไซด์ (ZnO: Ag) และ
สีเงินไทเทเนียมไดออกไซด์เจือ (TiO2: Ag) nanopowder สังเคราะห์โดยเทคนิคโซลเจล X-ray diffraction
(XRD) และสเปกโทรสโกยูวีที่มองเห็นได้ (UV-Vis) ผลการยืนยันการก่อตัวของ TZO: ฟิล์ม Ag ช่องว่างแถบ
พลังงานเป็น 2.96 eV, 2.99 และ 3.02 eV eV สำหรับ TiO2 อบ: Ag, ซิงค์ออกไซด์: Ag และ TZO: Ag ตามลำดับ shortcircuit
หนาแน่น photocurrent (Jsc) เพิ่มขึ้นจาก 0.106 mA / cm2 สำหรับ DSSCs ด้วยฟิล์มซิงค์ออกไซด์เดียวที่
0.495 mA / cm2 และ 0.461 mA / cm2 สำหรับ DSSCs กับซิงค์ออกไซด์: Ag ฟิล์มบางและ TZO: Ag ฟิล์มบาง
ตามลำดับ ประสิทธิภาพ (ซ) ของ DSSC ได้รับการปรับปรุงให้ดีขึ้น 345.71% และ 351.428% กับ Ag เจือซิงค์ออกไซด์และ
ZTO ภาพยนตร์ตามลำดับเมื่อเทียบกับ undoped ฟิล์มซิงค์ออกไซด์ การปรับปรุงนี้ประกอบกับการปรากฏตัว
ของพื้นผิวด้วยคลื่น plasmon ภาษาท้องถิ่น (SPR) ผลกระทบที่เกี่ยวข้องกับโลหะกระจายตำแหน่ง Ag
อนุภาคนาโนบนพื้นผิวของอนุภาคนาโนออกไซด์ซึ่งจะช่วยเพิ่มประสิทธิภาพการใช้แสงเก็บเกี่ยวและ
ส่งเสริมการแยกของคู่อิเล็กตรอนหลุม photogenerated

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

โดยใช้ TiO2 : AG / ZnO : AG ( tzo : AG ) ออกไซด์ฟิล์มถูกสร้างโดยใช้เงินเจือสังกะสีออกไซด์ ( ZnO : AG ) และไทเทเนียมไดออกไซด์ ( TiO2
เงินเจือ : AG ) นาโนพาวเดอร์ที่สังเคราะห์โดยเทคนิคโซลเจล ) .
การเลี้ยวเบนรังสีเอกซ์ ( XRD ) และมองเห็นแสงยูวี ( UV VIS spectroscopy ) ยืนยัน การก่อตัวของ tzo : ฟิล์มเอจี . ช่องว่างแถบพลังงานที่มี 2.96
รถไฟฟ้า 2.99 EV และ 3.02 EV สำหรับอบ ) : AG , ซิงค์ออกไซด์ และ tzo : :เอจีตามลำดับ ความหนาแน่นกระแสโฟโตช๊อตข วงจร
( JSC ) เพิ่มขึ้นจาก 0.106 MA / cm2 สำหรับ dsscs กับฟิล์ม ZnO เดียว

0.495 MA / CM2 และ 0.461 MA / cm2 สำหรับ dsscs ด้วยฟิล์มบาง ZnO และเอจี tzo : ภาพยนตร์ โดยบาง
ตามลำดับ ประสิทธิภาพ ( H ) ของ DSSC ได้รับการปรับปรุงให้ 345.71 % และ 351.428 กับ AG ด้วยเช่นกันและ
zto ภาพยนตร์ตามลำดับเมื่อเทียบกับฟิล์ม ZnO เคมีไฟฟ้า .การปรับปรุงนี้จะเกิดจากการปรากฏตัว
ของการสะท้อน PLASMON พื้นผิวถิ่น ( SPR ) ผลกระทบที่เกี่ยวข้องกับการกระจายเปลี่ยนโลหะเอจี
นาโนบนพื้นผิวของอนุภาคนาโนของออกไซด์ ซึ่งช่วยเพิ่มประสิทธิภาพและส่งเสริมแสงเก็บเกี่ยว
แยก photogenerated อิเล็กตรอนหลุมคู่