Concentration and thermal release o

Concentration and thermal release of hydrogen in hydrogenated amorphous SiC (a-SiC:H) films were studied. The films were prepared onto Si (111) wafers at room temperature by rf planer magnetron sputtering in a gas mixture of argon at partial pressures of 0.33 Pa and hydrogen from 0.065 to 1.3 Pa.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ปล่อยความเข้มข้นและความร้อนของไฮโดรเจนใน SiC สัณฐานไฮโดรเจน (เป็น-SiC: H) ภาพยนตร์ที่มีศึกษา ภาพยนตร์วจัดลงศรีเวเฟอร์ (111) ที่อุณหภูมิห้อง โดยการผลิตกล่องจากกระดาษกบ rf สปัตเตอร์ในส่วนผสมของก๊าซอาร์กอนที่ความดันบางส่วนของ 0.33 ของ Pa และไฮโดรเจนจาก 0.065 กับ 1.3 บางปะอิน

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ความเข้มข้นและปล่อยความร้อนของไฮโดรเจนไฮโดรเจนสัณฐานดังนี้ (a-SiC: H) ภาพยนตร์ที่มีการศึกษา ภาพยนตร์ที่ได้จัดทำขึ้นบนศรี (111) เวเฟอร์ที่อุณหภูมิห้องโดย RF กบ magnetron sputtering ในส่วนผสมของก๊าซอาร์กอนที่ความดันบางส่วนของป่า 0.33 และไฮโดรเจน 0.065-1.3 ป่า

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ความเข้มข้นของไฮโดรเจน และปล่อยความร้อนไฮโดรเจนไป SIC ( ฟิล์มบางอะมอร์ฟัส : H ) ภาพยนตร์ที่แตกต่างกัน ภาพยนตร์ที่ถูกเตรียมไว้บนศรี ( 111 ) เวเฟอร์ที่อุณหภูมิห้องโดยแมกนีตรอนสปัตเตอร์ RF กบในแก๊สผสมของอาร์กอนที่บางส่วนโดย 0.33 PA และไฮโดรเจนจาก 0.065 1.3 .