ConclusionTZO thin film was deposit

Conclusion
TZO thin film was deposited on glass substrate by a sol–gel method. The X-ray diffraction pattern confirmed that TZO thin film had a polycrystalline structure. The optical properties indicate that TZO thin film is transparent in the visible region and the band gap of the TZO thin film is found to be about 3.346 eV. The resistivity of the TZO thin film deposited on glass is measured as 3.8 × 104  cm. It can be concluded that TZO thin film can be utilized as a transparent semi-conductive electrode for electro-optical applications.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

บทสรุปมีฝาก TZO ฟิล์มบางบนพื้นผิวแก้ว โดยวิธีโซลเจล รูปแบบการเลี้ยวเบนเอ็กซ์เรย์ยืนยันว่า TZO ฟิล์มบางมีโครงสร้างที่ค คุณสมบัติแสงบ่งชี้ว่า TZO ฟิล์มบางไม่โปร่งใสในภูมิภาคเห็น และพบช่องว่างวงของฟิล์มบาง TZO จะ เกี่ยวกับ 3.346 eV วัดความต้านทานของฟิล์มบาง TZO ฝากบนกระจกเป็น 3.8 × 104 ซม. จึงสามารถสรุปได้ว่า สามารถใช้ฟิล์มบาง TZO เป็นอิเล็กโทรดไฟฟ้ากึ่งโปร่งใสสำหรับจี้แสง

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

สรุป
TZO ฟิล์มบางถูกวางบนพื้นผิวแก้วโดยวิธีโซลเจล รูปแบบการเลี้ยวเบนรังสีเอกซ์ยืนยันว่า TZO ฟิล์มบางมีโครงสร้างผลึก คุณสมบัติทางแสงระบุว่า TZO ฟิล์มบางมีความโปร่งใสในภูมิภาคที่มองเห็นและช่องว่างของวง TZO ฟิล์มบาง ๆ จะพบว่ามีประมาณ 3.346 eV ความต้านทานของ TZO ฟิล์มบาง ๆ วางลงบนแก้วเป็นวัดที่เป็น 3.8 × 104? ซม. มันสามารถสรุปได้ว่า TZO ฟิล์มบางสามารถใช้เป็นขั้วไฟฟ้ากึ่งตัวนำโปร่งใสสำหรับการใช้งานไฟฟ้าแสง

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

สรุป
tzo ฝากฟิล์มบางบนแผ่นแก้วด้วยวิธีโซล - เจล . ลวดลายการเลี้ยวเบนรังสีเอกซ์ tzo ยืนยันว่าฟิล์มบาง มีโครงสร้าง polycrystalline . คุณสมบัติของแสง พบว่าฟิล์มบางโปร่งใส tzo ในภูมิภาค และมองเห็นช่องว่างแถบของ tzo ฟิล์มบาง ๆ พบว่าเป็นเรื่อง 3.346 EVสภาพต้านทานไฟฟ้าของฟิล์มบางบนกระจก tzo ฝากวัดเป็น 3.8 × 104  cm สรุปได้ว่า tzo ฟิล์มบาง ๆ สามารถนำมาใช้เป็นสื่อกระแสไฟฟ้าโปร่งใสกึ่งไฟฟ้าสำหรับการใช้งาน electro-optical .