In order to asses the yield and ori

In order to asses the yield and origin of secondary electrons as
well as backscattered electrons in SEM, Monte Carlo simulations
using CASINO [19] have been utilized. The sample was modeled
using a 2 nm thick carbon layer on a 10 nm thick gold slab on top
of a silicon substrate. The density of the carbon layer has been
manually set to 0.5 g/cm3
. Secondary electron and backscattered
electron yields were calculated as well as the Zmax distribution.
SRIM [20] calculations have been used to obtain insight into the
contrast ratios for backscattered helium images. Backscatter yields for
nano-rods and CTA covered siliconwere calculated using the Kinchin–
Pease approximation. The same sample setup as above has been used
with the exception that the carbon layer has been replaced with a
layer of CTA stoichiometry and a density of 0.5 g/cm3
.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ในสั่งการประเมินผลผลิตและจุดเริ่มต้นของอิเล็กตรอนทุติยภูมิเป็นตลอดจนรูปอิเล็กตรอนใน SEM จำลองมอนติคาร์โลใช้คาสิโน [19] ได้รับไปใช้ ตัวอย่างสร้างขึ้นใช้เป็น 2 nm คาร์บอนหนาชั้นบน 10 nm หนาทองพื้นด้านบนของพื้นผิวเป็นซิลิโคน ความหนาแน่นของชั้นคาร์บอนได้ตั้งค่าเอง 0.5 g/cm3. อิเล็กตรอนทุติย และรูปมีคำนวณอัตราผลตอบแทนอิเล็กตรอนเช่นเดียวกับการแจก Zmaxการคำนวณ SRIM [20] เคยได้รับข้อมูลเชิงลึกในการอัตราส่วนความคมชัดสำหรับฮีเลียมรูปภาพ แสงกระจายกลับอัตราผลตอบแทนสำหรับแท่งนาโนและ CTA ครอบคลุมคำนวณโดยใช้ Kinchin – siliconwereประมาณโปรด มีการใช้การตั้งค่าตัวอย่างเดียวกันเป็นข้างต้นมีข้อยกเว้นที่ชั้นคาร์บอนถูกแทนที่ด้วยการชั้นของ CTA stoichiometry และความหนาแน่น 0.5 g/cm3.

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ในการสั่งซื้อเพื่อประเมินผลผลิตและต้นกำเนิดของอิเล็กตรอนรอง
เดียวกับอิเล็กตรอนที่สะท้อนกลับใน SEM, Monte Carlo จำลอง
โดยใช้คาสิโน [19] ได้ถูกนำมาใช้ กลุ่มตัวอย่างที่เป็นรูปแบบ
การใช้นาโนเมตร 2 ชั้นคาร์บอนหนาบนแผ่นทองนาโนเมตรหนา 10 อยู่ด้านบน
ของพื้นผิวซิลิกอน ความหนาแน่นของชั้นคาร์บอนที่ได้รับการ
ตั้งค่าด้วยตนเอง 0.5
g อิเล็กตรอนรองและสะท้อน
อัตราผลตอบแทนของอิเล็กตรอนจะถูกคำนวณเช่นเดียวกับการกระจาย Zmax.
Srim [20] การคำนวณได้ถูกนำมาใช้เพื่อให้ได้ข้อมูลเชิงลึกใน
อัตราส่วนความคมชัดสำหรับภาพฮีเลียมที่สะท้อนกลับ อัตราผลตอบแทน backscatter สำหรับ
นาโนแท่งและ CTA ปกคลุม siliconwere คำนวณโดยใช้ Kinchin-
ประมาณ Pease การตั้งค่าตัวอย่างเดียวกับข้างต้นถูกนำมาใช้
มีข้อยกเว้นว่าชั้นคาร์บอนที่ได้รับการแทนที่ด้วย
ชั้นของ CTA ปริมาณสารสัมพันธ์และความหนาแน่นของ 0.5
g

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

เพื่อประเมินปริมาณและที่มาของอิเล็กตรอนทุติยภูมิเป็นรวมทั้ง backscattered อิเล็กตรอนใน SEM , มอนติคาร์โลจำลองใช้คาสิโน [ 19 ] ได้ใช้ ตัวอย่างแบบจำลองใช้ 2 nm หนาชั้นคาร์บอน 10 nm หนาสีทองพื้นด้านบนของซิลิคอนที่ทนทาน ความหนาแน่นของชั้นมีคาร์บอนตนเองตั้ง 0.5 ลิตรกรัม. backscattered อิเล็กตรอนทุติยภูมิผลผลิตอิเล็กตรอนคำนวณเช่นเดียวกับซีแมกแจกจ่ายสริม [ 20 ] การคำนวณได้ถูกใช้เพื่อให้ได้ข้อมูลเชิงลึกในอัตราส่วนความคมชัด backscattered ฮีเลียมภาพ แบคสแคตเตอร์ผลผลิตสำหรับแท่งนาโนและ CTA ครอบคลุม siliconwere คำนวณโดยใช้ kinchin จำกัดทัวร์ประมาณ ตัวอย่างการตั้งค่าเดียวกันข้างต้นได้ถูกใช้มีข้อยกเว้นว่า ชั้นได้ถูกแทนที่ด้วยคาร์บอนชั้นของ CTA ปริมาณสัมพันธ์และความหนาแน่น 0.5 ลิตรกรัม.