The precursor (1 g) and spherical S

The precursor (1 g) and spherical SiO2 (1 g) are well mixed and placed in an alumina crucible and then heated at 300 8C for 2 h with a heating rate of 10 8C min1. The unattached C-dots are removed by filtering with 100 mm meshes and repeated washing with DI water. The prepared SiO2 supported C-dots (CD@SiO2 for short) is dried at 85 8C before use.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

สารตั้งต้น (1 กรัม) และทรงกลม SiO2 (1 กรัม) ผสมกัน และวางอยู่ในเบ้าหลอมอลูมินาแล้ว ความร้อนที่ 300 8C สำหรับ h 2 กับอัตราความร้อน 10 C 8 นาที 1 ไม่ได้แนบ C จุดจะถูกเอาออก โดยการกรองด้วยตาข่าย 100 mm และซ้ำซักผ้ากับน้ำ DI SiO2 เตรียมสนับสนุนจุด C (CD@SiO2 สั้น ๆ) ตากแห้งที่ 8C 85 ก่อนใช้

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ผู้นำ (1 กรัม) และทรงกลม SiO2 (1 กรัม) เป็นอย่างดีผสมและอยู่ในเบ้าหลอมอลูมิเนียมและจากนั้นความร้อนที่ 300 8C เป็นเวลา 2 ชั่วโมงโดยมีอัตราความร้อน 10 นาที 8C 1 โสด C-จุดจะถูกลบออกโดยการกรองด้วยตาข่าย 100 มิลลิเมตรและซ้ำซักผ้าด้วยน้ำ DI เตรียม SiO2 สนับสนุน C-จุด (CD @ SiO2 สั้น) จะแห้งที่ 85 8C ก่อนการใช้งาน

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

สารตั้งต้น ( 1 กรัม ) และทรงกลม SiO2 ( 1 กรัม ) ผสมกันและอยู่ในเบ้าอะลูมินา และความร้อนแล้ว 300 8C 2 ชั่วโมงด้วยอัตราความร้อน 10 8C min1 . การ c-dots แนบจะถูกเอาออกโดยการกรองด้วย 100 มม. และล้างด้วยน้ำ DI เมนต์ซ้ำ . เตรียมสนับสนุน c-dots SiO2 ( ซีดี @ SiO2 สำหรับสั้น ) เป็น 85 8C แห้งก่อนใช้งาน