Observed IB317Y4&IB317ZI showed hig

Observed IB317Y4&IB317ZI showed higher OVW, WPE, DCBN failure while bester MIN_NSR failure than DB3 wafer.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

สังเกต IB317Y4 และ IB317ZI พบสูง OVW, WPE, DCBN ล้มเหลวในขณะที่ความล้มเหลว MIN_NSR bester กว่า DB3 ขัดแผ่น

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

สังเกต IB317Y4 & IB317ZI แสดงให้เห็น OVW สูง WPE, ความล้มเหลวในขณะที่ความล้มเหลว DCBN bester MIN_NSR กว่าเวเฟอร์ DB3

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

สังเกต ib317y4 & ib317zi สูงกว่า wpe ovw , , dcbn ล้มเหลวในขณะที่เบสเตอร์ min_nsr ความล้มเหลวกว่าเวเฟอร์ db3 .