A popular biasing arrangement for e

A popular biasing arrangement for enhancement-type MOSFETs is provided in Fig. 7.37 .
The resistor R G brings a suitably large voltage to the gate to drive the MOSFET “on.” Since
IG = 0 mA, VRG = 0 V and the dc equivalent network appears as shown in Fig. 7.38

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

นิยมการจัดสำหรับชนิดเพิ่มประสิทธิภาพ MOSFETs biasing เข้ารูป 7.37ตัวต้านทาน R G นำแรงดันไฟฟ้าขนาดใหญ่เหมาะสมกับประตูเพื่อขับ MOSFET "บน" ตั้งแต่IG = 0 mA, VRG = 0 V และ dc เทียบเท่าเครือข่ายปรากฏดังแสดงในรูปที่ 7.38

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

จัดให้น้ำหนักที่ได้รับความนิยมสำหรับการเพิ่มประสิทธิภาพชนิด MOSFETs ที่ให้บริการในรูป 7.37.
ริโอนำตัวต้านทานแรงดันไฟฟ้าขนาดใหญ่ที่เหมาะสมไปที่ประตูที่จะขับรถมอสเฟต "บน." ตั้งแต่
IG = 0 mA, VRG = 0 V และ DC เครือข่ายเทียบเท่าปรากฏดังแสดงในรูป 7.38

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

นิยมจัดเพื่อส่งเสริมการขยายชนิดสอดไว้ในรูปที่ 7.37 .ตัวต้านทาน R G นำแรงดันเหมาะสมขนาดใหญ่ประตูขับมอสเฟต " บน " ตั้งแต่IG = 0 มา vrg = 0 V และ DC เทียบเท่าเครือข่ายปรากฏขึ้นดังแสดงในรูปที่ 7.38