We developed an one-step and two-st

We developed an one-step and two-step metal-assisted chemical etching method to produce self-organized GaN nanowire arrays. In one-step approach, GaN nanowire arrays are synthesized uniformly on GaN thin film surface. However, in a two-step etching processes, GaN nanowires are formed only in metal uncovered regions, and GaN regions with metal-covering show nano-porous sidewalls. We propose that nanowires and porous nanostructures are tuned by sufficient and limited etch rate, respectively. PL spectra shows a red-shift of band edge emission in GaN nanostructures. The formation mechanism of nanowires was illustrated by two separated electrochemical reactions occur simultaneously. The function of metals and UV light was illustrated by the scheme of potential relationship between energy bands in Si, GaN and standard hydrogen electrode potential of solution and metals.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

เราพัฒนาวิธีการช่วยโลหะกัดเคมีขั้นตอนเดียวและสองขั้นตอนการผลิตอาร์เรย์ nanowire กันจัดการตนเอง วิธีการขั้นตอนเดียว อาร์เรย์ nanowire กันจะสังเคราะห์อย่างสม่ำเสมอบนพื้นผิวฟิล์มกัน อย่างไรก็ตาม ในกระบวนการมีสองขั้นตอนแกะสลัก nanowires กันจะเกิดขึ้นเฉพาะในภูมิภาคเถโลหะ และภูมิภาคกัน ด้วยโลหะครอบคลุมแสดงรูพรุนนาโนเติม เราเสนอว่า nanowires และรูพรุน nanostructures ปรับความ โดยเพียงพอ และจำกัดกัดอัตรา ตามลำดับ มุม PL แสดงสีแดงกะของวงขอบปล่อยใน nanostructures กัน กลไกการก่อตัวของ nanowires ถูกแสดง โดยสองแยกปฏิกิริยาไฟฟ้าเคมีเกิดขึ้นพร้อมกัน การทำงานของโลหะและแสงยูวีได้แสดงตามแบบแผนของความสัมพันธ์อาจเกิดขึ้นระหว่างแถบพลังงานในศรี กัน และศักยภาพขั้วไฟฟ้าไฮโดรเจนมาตรฐานของโลหะ

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

เราได้พัฒนาเป็นขั้นตอนที่หนึ่งและสองขั้นตอนวิธีการโลหะช่วยแกะสลักสารเคมีในการผลิตตนเองจัดกานอาร์เรย์เส้นลวดนาโน ในแนวทางขั้นตอนเดียวกานอาร์เรย์เส้นลวดนาโนมีการสังเคราะห์สม่ำเสมอบนพื้นผิวของฟิล์มบางกาน อย่างไรก็ตามในสองขั้นตอนกระบวนการแกะสลัก nanowires กานจะเกิดขึ้นเฉพาะในภูมิภาคโลหะเปลือยเปล่าและภูมิภาคกานชิดกับการแสดงนาโนที่มีรูพรุนโลหะครอบคลุม เราเสนอว่า nanowires และโครงสร้างนาโนที่มีรูพรุนจะปรับจากอัตราการกัดเพียงพอและ จำกัด ตามลำดับ PL สเปกตรัมแสดงให้เห็นสีแดงกะการปล่อยวงขอบในโครงสร้างนาโนกาน กลไกการก่อตัวของเส้นลวดนาโนเป็นภาพสองปฏิกิริยาไฟฟ้าเคมีแยกเกิดขึ้นพร้อมกัน ฟังก์ชั่นของโลหะและแสงยูวีได้รับการแสดงโดยรูปแบบของความสัมพันธ์ที่อาจเกิดขึ้นระหว่างการใช้พลังงานในวงดนตรีศรีกานและศักยภาพของไฮโดรเจนอิเล็กโทรดมาตรฐานของการแก้ปัญหาและโลหะ

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

เราพัฒนาขั้นตอนเดียว 2 เรื่อง กัดโลหะเคมีวิธีการผลิต self-organized กาน nanowire อาร์เรย์ . ในวิธีการขั้นตอนเดียว กัน nanowire อาร์เรย์จะสังเคราะห์ฟิล์มบางจุดบนแกนพื้นผิว อย่างไรก็ตาม ในการกระบวนการสองขั้นตอน กันจะเกิดขึ้นเฉพาะในนาโนโลหะเปิดภูมิภาคและกาน ภูมิภาคครอบคลุมแสดงนาโน porous โลหะด้านข้าง เราเสนอให้มีรูพรุนนาโนนาโนจะปรับโดยเพียงพอและจำกัด etch คะแนน ตามลำดับ คุณสามารถแสดงกะแดงวงขอบต่อกานนาโน . การสร้างกลไกของนาโนที่ถูกแสดงโดยสองแยกทางเคมีปฏิกิริยาที่เกิดขึ้นพร้อมกัน การทำงานของโลหะและแสงยูวีเป็นภาพประกอบ โดยรูปแบบของความสัมพันธ์ที่อาจเกิดขึ้นระหว่างแถบพลังงานในจังหวัด กันและมาตรฐานศักยภาพขั้วของสารละลายไฮโดรเจน และโลหะ