A common phenomenon of polymer sola

A common phenomenon of polymer solar cells with metal oxide electron-transport layers (ETLs), known as “light-soaking” issue, is that the as-prepared device exhibits an anomalous S-shaped J-V characteristic, resulting in an extremely low fill factor (FF) and thus a poor power conversion efficiency. However, the S-shape disappears upon white light illumination with UV spectral components, meanwhile the performance parameters of the device recover the normal values eventually. This behavior appears to be of general validity for various metal oxide layers regardless of the synthesis and fabricating processes. Its origin is still under debate, while the ETL interface problems have generally been claimed to be the underlying reason so far. In this paper, both conventional and inverted cells with using ZnO nanoparticles (NPs) as ETL are fabricated to clarify the interface effect of the ETL on the light soaking procedure. The inverted device shows a typical light-soaking issue with an initial FF less than 20% as expected, whereas the J-V curves of the conventional cell remain regular shapes throughout the test. This result indicates that the ITO/ZnO interface is a key reason of S-shaped J-V characteristics, which is further verified via the use of Cs2CO3/ZnO ETL. The insert of Cs2CO3 layer isolates the ITO electrode from contacting with ZnO layer, and the kink disappears in the as-prepared device with this bi-layered ETL inverted structure. Our explanation for the result above is that the oxygen impurities absorbed onto the surface of ZnO NPs during fabrication process, behave as strong electron traps, and thus increasing the width of the energy barrier (EB) at the interface of ITO/ZnO. Subsequently, photogenerated electrons accumulate in the ZnO layer adjacent to the interface, resulting in extremely poor performance. Upon white light illumination, however, the trap sites are filled by photogenerated carriers within the ZnO layer, and therefore narrowing the EB. As the barrier width becomes thin enough to be freely tunneled through, a good selectivity behavior of ZnO ETL is reached, leading to a fully remarkable recovery in device performances.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ปรากฏการณ์ที่พบบ่อยของเซลล์แสงอาทิตย์พอลิเมอร์ชั้นขนส่งอิเล็กตรอนของโลหะออกไซด์ (ETLs), เป็นปัญหา "แสงแช่" คือ ว่า เป็นเตรียมอุปกรณ์แสดงที่ผิดปกติทรง S J V ลักษณะ ปัจจัยการเติมต่ำมาก (FF) และการแปลงพลังงานที่ไม่ดี อย่างไรก็ตาม S-รูปร่างหายไปเมื่อขาวสว่างด้วย UV สเปกตรัมประกอบ ในขณะเดียวกัน ประสิทธิภาพพารามิเตอร์ของอุปกรณ์กู้คืนค่าปกติในที่สุด ลักษณะการทำงานนี้ปรากฏขึ้นเพื่อ ให้มีผลบังคับใช้ทั่วไปสำหรับชั้นออกไซด์โลหะต่าง ๆ โดยไม่คำนึงถึงการสังเคราะห์และการสร้างสรรกระบวนการ ต้นกำเนิดของมันจะยังคงอยู่อภิปราย ในขณะที่โดยทั่วไปมีอ้างปัญหาอินเทอร์เฟซของ ETL เป็น เหตุผลพื้นฐานมาก ในเอกสารนี้ มีประดิษฐ์ทั่วไป และการแบ่งเซลล์ โดยใช้เก็บกัก ZnO (NPs) เป็น ETL เพื่อชี้แจงผลอินเทอร์เฟซของ ETL แสงแช่ตอน อุปกรณ์คว่ำแสดงปัญหาแช่ไฟทั่วไป ด้วยการเริ่มต้น FF น้อยกว่า 20% ตามที่คาดไว้ ในขณะที่เส้นโค้ง J V ของเซลล์ธรรมดายังคง รูปร่างปกติตลอดการทดสอบ ผลลัพธ์นี้บ่งชี้ว่า อินเทอร์เฟซ ITO/ZnO เป็นเหตุผลสำคัญของลักษณะรูปทรง S J V ซึ่งมีการตรวจสอบเพิ่มเติมผ่านการใช้งาน Cs2CO3/ZnO ETL การแทรกชั้น Cs2CO3 แยกขั้ว ITO จากการติดต่อกับเลเยอร์ ZnO และปเกย์หายไปในอุปกรณ์เป็นการเตรียมพร้อมกับโครงสร้างกลับ ETL นี้ชั้นสอง เราอธิบายผลข้างต้นมีที่สกปรกออกซิเจนถูกดูดซึมลงบนผิวของ ZnO NPs ในระหว่างกระบวนการผลิต การทำงานเป็นกับดักแรงอิเล็กตรอน และเพิ่มความกว้างของอุปสรรคพลังงาน (EB) ที่อินเทอร์เฟซของ ITO/ZnO ต่อมา อิเล็กตรอน photogenerated สะสมในชั้น ZnO ติดกับอินเตอร์เฟซ เกิดประสิทธิภาพต่ำมาก เมื่อขาวสว่าง อย่างไรก็ตาม ดักเต็มไป โดยสายการบิน photogenerated ในชั้น ZnO จึง กวดขันการ EB เป็นความกว้างอุปสรรคจะบางพอที่จะเป็นอิสระ tunneled ผ่าน ลักษณะการทำงานของ ZnO ETL ใวดีถึง นำไปสู่การฟื้นตัวอย่างโดดเด่นในอุปกรณ์แสดง

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ปรากฏการณ์ที่พบบ่อยของเซลล์แสงอาทิตย์พอลิเมอกับชั้นโลหะออกไซด์ขนส่งอิเล็กตรอน (ETLs) หรือที่เรียกว่า "ไฟแช่" ปัญหาคือว่าอุปกรณ์เป็นเตรียมการจัดแสดงนิทรรศการ S-รูปผิดปกติ JV ลักษณะผลในปัจจัยที่เติมในระดับต่ำมาก (FF) และทำให้ประสิทธิภาพการแปลงพลังงานที่ไม่ดี อย่างไรก็ตาม S-รูปร่างหายไปเมื่อแสงสีขาวส่องสว่างที่มีส่วนประกอบของสเปกตรัมรังสียูวีในขณะเดียวกันค่าประสิทธิภาพของอุปกรณ์กู้คืนค่าปกติในที่สุด พฤติกรรมนี้ดูเหมือนจะเป็นของความถูกต้องโดยทั่วไปสำหรับชั้นออกไซด์ของโลหะต่าง ๆ โดยไม่คำนึงถึงการสังเคราะห์และกระบวนการผลิต ต้นกำเนิดของมันยังคงอยู่ภายใต้การอภิปรายในขณะที่ปัญหาการเชื่อมโยง ETL ได้รับการอ้างโดยทั่วไปจะเป็นเหตุผลพื้นฐานเพื่อให้ห่างไกล ในบทความนี้ทั้งเซลล์ธรรมดาและคว่ำกับการใช้อนุภาคนาโนซิงค์ออกไซด์ (NPS) เป็น ETL จะถูกประดิษฐ์เพื่อชี้แจงผลกระทบของอินเตอร์เฟซของ ETL เกี่ยวกับขั้นตอนแสงแช่ อุปกรณ์กลับแสดงให้เห็นถึงปัญหาแสงแบบทั่วไปกับ FF เริ่มต้นน้อยกว่า 20% ตามที่คาดไว้ในขณะที่เส้นโค้ง JV ของเซลล์เดิมยังคงรูปทรงปกติตลอดการทดสอบ ผลที่ได้นี้แสดงให้เห็นว่าอินเตอร์เฟซ ITO / ZnO เป็นเหตุผลสำคัญของการร่วมทุนลักษณะตัว S ซึ่งมีการยืนยันต่อไปผ่านการใช้ Cs2CO3 / ZnO ของ ETL แทรกของชั้น Cs2CO3 แยกอิเล็กโทรดอีโต้จากการติดต่อด้วยชั้นซิงค์ออกไซด์และหงิกงอจะหายไปในอุปกรณ์ตามที่จัดทำขึ้นด้วยโครงสร้างสองชั้น ETL ฤๅษีนี้ คำอธิบายของเราสำหรับผลข้างต้นคือสิ่งสกปรกออกซิเจนดูดซึมเข้าสู่พื้นผิวของซิงค์ออกไซด์ของกรมอุทยานฯ ในระหว่างขั้นตอนการผลิตประพฤติดักอิเล็กตรอนเป็นที่แข็งแกร่งและเป็นการเพิ่มความกว้างของอุปสรรคพลังงาน (EB) ที่อินเตอร์เฟซของ ITO / ซิงค์ออกไซด์ ต่อจากนั้นอิเล็กตรอน photogenerated สะสมในชั้น ZnO ที่อยู่ติดกับอินเตอร์เฟซที่ส่งผลให้ประสิทธิภาพที่ดีมาก เมื่อส่องสว่างแสงสีขาว แต่เว็บไซต์ดักที่เต็มไปโดยผู้ให้บริการ photogenerated ภายในชั้นซิงค์ออกไซด์และดังนั้นจึงแคบ EB ในฐานะที่เป็นอุปสรรคความกว้างกลายเป็นบางพอที่จะเจาะได้อย่างอิสระผ่านพฤติกรรมการเลือกที่ดีของ ZnO ETL ถึงนำไปสู่​​การฟื้นตัวที่โดดเด่นอย่างเต็มที่ในการแสดงอุปกรณ์

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

เป็นปรากฏการณ์ทั่วไปเซลล์แสงอาทิตย์พอลิเมอร์ที่มีโลหะออกไซด์การขนส่งอิเล็กตรอนชั้น ( etls ) , ที่รู้จักกันเป็น " แสง " ปัญหาเปียก นั่นเป็นเตรียมอุปกรณ์จัดแสดงเป็นรูปลักษณะที่ j-v ส่งผลเป็นปัจจัยมากน้อยเติม ( FF ) และดังนั้นจึงยากจน การแปลงพลังงานประสิทธิภาพ อย่างไรก็ตาม เมื่อแสงสว่างหายไป S-shape แสงสีขาวที่มีส่วนประกอบของยูวีเงาขณะที่ประสิทธิภาพพารามิเตอร์ของอุปกรณ์กู้คืนค่าปกติในที่สุด พฤติกรรมนี้จะปรากฏขึ้นที่จะใช้ทั่วไปสำหรับชั้นออกไซด์โลหะต่าง ๆโดยไม่คำนึงถึงการสังเคราะห์และศึกษากระบวนการ ที่มาของมันจะยังคงอยู่ภายใต้การอภิปราย ขณะที่ ETL อินเตอร์เฟซปัญหามักอ้างว่าเหตุผลเพื่อให้ห่างไกล ในกระดาษนี้ ทั้งแบบธรรมดาและแบบเซลล์ที่มีการใช้อนุภาคนาโนซิงค์ออกไซด์ ( NPS ) ETL จะประดิษฐ์ให้อินเตอร์เฟซที่ผลของ ETL บนแสงขั้นตอนการแช่ รถอุปกรณ์แสดงให้เห็นโดยทั่วไปไฟแช่ปัญหากับ FF ครั้งแรกไม่ถึง 20 % ตามคาด ส่วน j-v เส้นโค้งของเซลล์ปกติยังคงรูปร่างปกติตลอดการทดสอบ ผลที่ได้นี้แสดงว่าอินเทอร์เฟซนี้ / ZnO เป็นเหตุผลสำคัญของรูปลักษณะ j-v ซึ่งเป็นการเพิ่มเติมการตรวจสอบผ่านการใช้ cs2co3 / ZnO ETL แทรกชั้น cs2co3 เลท โต้ ไฟฟ้า จากการติดต่อกับชั้น ZnO และหยิกหยองหายไปในเป็นเตรียมอุปกรณ์กับบีหลายแบบ , โครงสร้าง คำอธิบายสำหรับผลข้างต้นว่า ออกซิเจนดูดซึมสิ่งสกปรกบนผิวของ ZnO โดยในระหว่างขั้นตอนการทำตัวเป็นกับดักอิเล็กตรอนที่แข็งแกร่ง และดังนั้นจึง เพิ่มความกว้างของพลังงานกีดขวาง ( EB ) ที่รอยต่อของ ITO / เช่นกัน ต่อมา photogenerated อิเล็กตรอนสะสมใน ZnO ชั้นติดกับเฟส ส่งผลให้ประสิทธิภาพมากจน เมื่อแสงสว่าง , สีขาวอย่างไรก็ตาม กับดักเว็บไซต์ที่เต็มไปด้วย photogenerated พาหะภายในชั้นซิงค์ออกไซด์ และดังนั้นจึง ลด EB เป็นอุปสรรคกว้างกลายเป็นบางพอที่จะเป็นอิสระ tunneled ผ่านพฤติกรรมการที่ดีของ ZnO , ถึง , นำไปสู่การฟื้นตัวอย่างโดดเด่นในการแสดงอุปกรณ์