For each power cell, the pseudo dif

For each power cell, the pseudo differential cascode
structure shown in figure 4 is adopted. Each cascode cell is
composed of a common-source input transistor (M1/M4) and
two common gate stacked transistors (M2 & M3 / M5 & M6).

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

สำหรับแต่ละเซลล์พลังงาน cascode ต่างของหลอกใช้โครงสร้างที่แสดงในรูปที่ 4 แต่ละเซลล์ cascode มีประกอบด้วยทรานซิสเตอร์ทั่วไปแหล่งอินพุต (M1/M4) และประตูทั่วไปที่สองซ้อนทรานซิสเตอร์ (M2 และ M3 / M5 และ M6)

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

สำหรับเซลล์พลังงานแต่ละหลอกค่า cascode
โครงสร้างที่แสดงในรูปที่ 4 ถูกนำมาใช้ เซลล์ cascode แต่ละคนจะ
ประกอบไปด้วยการป้อนข้อมูลทรานซิสเตอร์ทั่วไปแหล่งที่มา (M1 / M4) และ
ทรานซิสเตอร์สองประตูซ้อนทั่วไป (M2 และ M3 / M5 และ M6)

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

สำหรับแต่ละเซลล์พลังงานที่แตกต่างกัน cascode เทียมโครงสร้างที่แสดงในรูปที่ 4 เป็นลูกบุญธรรม แต่ละ cascode เซลล์คือประกอบด้วยทั่วไปแหล่งสัญญาณทรานซิสเตอร์ ( M1 / M4 ) และร่วมสองประตูซ้อนทรานซิสเตอร์ ( M2 & M3 / M5 & M6 )