Onedimensional
thermoelectric materials are better candidates
for the construction of high performance thermoelectric
devices.13 20 The phonon drag might be caused by the
increased scattering between phonon and charge carrier.21
In addition, the sizeable reduction in thermal conductivity
could largely result from the scattering of mid- and
long-wavelength phonons at the interfaces of the nanoscale
inclusions.2 22 On the other hand, Collins et al. have
achieved extremely sensitive to the chemical environment
by thermoelectric power of single wall carbon nanotubes.22
To create novel gas sensors via thermoelectric power,
oxide materials with high Seebeck coefficient might be
a good choice. De to the advantages of the molybdates
in sensors, luminescent devices, supercapacitors, scintillator
materials, catalysis, they have been received great
attention.23–27 Cui et al.28 and Zhang et al.29 have prepared
FeMoO4 hollow microspheres respectively. The structural,
electronic and chemical properties of FeMoO4 have been
studied, indicating that the beta phase of FeMoO4 is stable
in a large range of temperature (25–800 C).30
In this paper, to understand the thermoelectric power
of the FeMoO4 nanorods, we have synthesized monoclinic
FeMoO4 nanorods by the hydrothermal method and measured
the electrical conductivity and Seebeck coefficient
of the film made of the FeMoO4 nanorods. The cause of
the high Seebeck coefficient of the FeMoO4 nanorods is
discussed by electronic density of states (DOS) using the
first-principle density functional method within the generalized
gradient approximation.
วัสดุเทอร์โม onedimensional
ผู้สมัครที่ดีสำหรับการสร้างอุปกรณ์เทอร์โม
ประสิทธิภาพสูง 13 20 Phonon ลาก อาจจะเกิดจากการกระเจิงระหว่าง Phonon
เพิ่มขึ้น และคิดค่าขนส่ง 21
นอกจากนี้การลดขนาดใหญ่ในการนำความร้อน ส่วนใหญ่ได้ผล
และการกระเจิงของกลางยาวคลื่นโฟนอนที่อินเทอร์เฟซของ nanoscale
inclusions 2 22 บนมืออื่น ๆ , คอลลินส์ et al . มีความไวต่อสภาพแวดล้อมมาก
โดยพลังงานเทอร์โมเคมีของท่อนาโนคาร์บอนผนังเดี่ยว 22
สร้างก๊าซเซนเซอร์ใหม่ผ่านทางเทอร์โมไฟฟ้า
ออกไซด์วัสดุด้วย วัดค่าสูงอาจ
เป็นทางเลือกที่ดี เดอ เพื่อประโยชน์ของโมลิบเดท
ในเซ็นเซอร์เรืองแสงอุปกรณ์ซุปเปอร์คาปาซิเตอร์เช่น
, วัสดุ , การเร่ง , พวกเขาได้รับความสนใจอย่างมาก
23 – 27 ชอยและ และ และ al.28 al.29 เตรียม
femoo4 กลวงและตามลำดับ โครงสร้างและสมบัติทางเคมีของ , อิเล็กทรอนิกส์
femoo4 ได้รับศึกษา ระบุว่า ขั้นตอนเบต้าของ femoo4 มั่นคง
ในช่วงกว้างของอุณหภูมิ ( 25 – 30
800 C )ในกระดาษนี้ , เข้าใจพลังของเทอร์โม
femoo4 nanorods เรามีโมโนคลินิก
femoo4 nanorods สังเคราะห์โดยวิธีไฮโดรเทอร์มอลและวัดค่าการนำไฟฟ้า และวัดค่า
ของฟิล์มที่ทำจาก femoo4 nanorods . สาเหตุของ
สูง วัดค่าสัมประสิทธิ์ของ femoo4 nanorods คือ
กล่าวถึงความหนาแน่นสถานะ ( DOS ) โดยใช้
โดยหลักการแรกของการทำงานวิธีการภายในการประมาณระดับทั่วไป
การแปล กรุณารอสักครู่..
![](//thimg.ilovetranslation.com/pic/loading_3.gif?v=b9814dd30c1d7c59_8619)