Onedimensionalthermoelectric materi

Onedimensional
thermoelectric materials are better candidates
for the construction of high performance thermoelectric
devices.13 20 The phonon drag might be caused by the
increased scattering between phonon and charge carrier.21
In addition, the sizeable reduction in thermal conductivity
could largely result from the scattering of mid- and
long-wavelength phonons at the interfaces of the nanoscale
inclusions.2 22 On the other hand, Collins et al. have
achieved extremely sensitive to the chemical environment
by thermoelectric power of single wall carbon nanotubes.22
To create novel gas sensors via thermoelectric power,
oxide materials with high Seebeck coefficient might be
a good choice. De to the advantages of the molybdates
in sensors, luminescent devices, supercapacitors, scintillator
materials, catalysis, they have been received great
attention.23–27 Cui et al.28 and Zhang et al.29 have prepared
FeMoO4 hollow microspheres respectively. The structural,
electronic and chemical properties of FeMoO4 have been
studied, indicating that the beta phase of FeMoO4 is stable
in a large range of temperature (25–800 C).30
In this paper, to understand the thermoelectric power
of the FeMoO4 nanorods, we have synthesized monoclinic
FeMoO4 nanorods by the hydrothermal method and measured
the electrical conductivity and Seebeck coefficient
of the film made of the FeMoO4 nanorods. The cause of
the high Seebeck coefficient of the FeMoO4 nanorods is
discussed by electronic density of states (DOS) using the
first-principle density functional method within the generalized
gradient approximation.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

Onedimensionalผู้สมัครที่ดีจะมีวัสดุแบบเทอร์โมอิเล็กทริกส์สร้างประสิทธิภาพสูงแบบเทอร์โมอิเล็กทริกส์devices.13 20 phonon ลากอาจเกิดจากการเพิ่มขึ้นโปรยระหว่าง phonon และค่าธรรมเนียม carrier.21นอกจากนี้ การนำความร้อนที่ลดลงสำหรับผู้พิการอาจมีผลจาก scattering ของกลาง - ใหญ่ และความยาวคลื่นยาว phonons ที่อินเทอร์เฟส nanoscaleinclusions.2 22 บนมืออื่น ๆ คอลลินส์และ al. ได้ความสำคัญมากต่อสิ่งแวดล้อมเคมีโดยพลังงานแบบเทอร์โมอิเล็กทริกส์ของผนังเดียวคาร์บอน nanotubes.22สร้างนวนิยายก๊าซเซ็นเซอร์ผ่านอำนาจแบบเทอร์โมอิเล็กทริกส์วัสดุออกไซด์กับสัมประสิทธิ์ Seebeck สูงอาจทางเลือกที่ดี เดอกับข้อดีของ molybdatesเซนเซอร์ อุปกรณ์ luminescent, supercapacitors, scintillatorวัสดุ เร่งปฏิกิริยา พวกเขาได้รับมากattention.23–27 นคุย et al.28 และเตียวร้อยเอ็ดเตรียม al.29FeMoO4 กลวง microspheres ตามลำดับ โครงสร้างอิเล็กทรอนิกส์ และสารเคมีคุณสมบัติของ FeMoO4 ได้ศึกษา ระบุว่า เฟสเบต้าของ FeMoO4 มั่นคงในช่วงของอุณหภูมิ (25-800 C) .30 มากในเอกสารนี้ เข้าใจพลังงานแบบเทอร์โมอิเล็กทริกส์ของ FeMoO4 nanorods เราได้สังเคราะห์ monoclinicNanorods FeMoO4 โดยวิธี hydrothermal และวัดค่าการนำไฟฟ้าและสัมประสิทธิ์ Seebeckฟิล์มทำ FeMoO4 nanorods สาเหตุของเป็นสัมประสิทธิ์ Seebeck สูงของ FeMoO4 nanorodsกล่าว โดยความหนาแน่นอิเล็กทรอนิกส์ของอเมริกา (DOS) โดยใช้การวิธีการทำงานหลักแรกความหนาแน่นภายในที่เมจแบบทั่วไปประมาณไล่ระดับ

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

Onedimensional
วัสดุเทอร์โมมีผู้สมัครที่ดีกว่า
สำหรับการก่อสร้างที่มีประสิทธิภาพสูงเทอร์โม
devices.13? 20 ลาก phonon อาจเกิดจาก
การกระเจิงที่เพิ่มขึ้นระหว่าง phonon และค่าใช้จ่าย carrier.21
นอกจากนี้การลดลงจำนวนมากในการนำความร้อน
ส่วนใหญ่จะเกิดจากการกระเจิงของกลางและ
โฟนันส์ความยาวคลื่นยาวที่อินเตอร์เฟซของนาโน
inclusions.2 ? 22 ในทางตรงกันข้าม, คอลลินและคณะ ได้
ประสบความสำเร็จอย่างยิ่งไวต่อสภาพแวดล้อมทางเคมี
ด้วยพลังของเทอร์โม nanotubes.22 คาร์บอนผนังเดียว
ในการสร้างวัดก๊าซนวนิยายผ่านพลังงานเทอร์โม,
วัสดุออกไซด์มีค่าสัมประสิทธิ์ Seebeck สูงอาจจะเป็น
ทางเลือกที่ดี ที่จะข้อดีของ molybdates
เซ็นเซอร์อุปกรณ์เรืองแสง, ซุปเปอร์, scintillator
วัสดุตัวเร่งปฏิกิริยาที่พวกเขาได้รับการตอบรับที่ดี
attention.23-27 Cui และ al.28 และ Zhang et al.29 ได้เตรียม
FeMoO4 microspheres กลวงตามลำดับ โครงสร้าง
อิเล็กทรอนิกส์และคุณสมบัติทางเคมีของ FeMoO4 ได้รับการ
ศึกษาแสดงให้เห็นว่าขั้นตอนเบต้าของ FeMoO4 ที่มีเสถียรภาพ
ในช่วงใหญ่ของอุณหภูมิ (25-800 องศาเซลเซียส) 0.30
ในบทความนี้จะเข้าใจพลังงานเทอร์โม
ของ FeMoO4 แท่งนาโน เราได้สังเคราะห์ monoclinic
แท่งนาโน FeMoO4 ด้วยวิธีไฮโดรเทอและวัด
ค่าการนำไฟฟ้าและค่าสัมประสิทธิ์ซีเบค
ของภาพยนตร์ที่ทำจาก FeMoO4 แท่งนาโน สาเหตุของ
ค่าสัมประสิทธิ์ Seebeck สูงของ FeMoO4 แท่งนาโนถูก
กล่าวถึงโดยความหนาแน่นอิเล็กทรอนิกส์ของรัฐ (DOS) โดยใช้
ความหนาแน่นแรกหลักการวิธีการทำงานภายในทั่วไป
ประมาณลาด

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

วัสดุเทอร์โม onedimensional

ผู้สมัครที่ดีสำหรับการสร้างอุปกรณ์เทอร์โม
ประสิทธิภาพสูง 13  20 Phonon ลาก อาจจะเกิดจากการกระเจิงระหว่าง Phonon
เพิ่มขึ้น และคิดค่าขนส่ง 21
นอกจากนี้การลดขนาดใหญ่ในการนำความร้อน ส่วนใหญ่ได้ผล

และการกระเจิงของกลางยาวคลื่นโฟนอนที่อินเทอร์เฟซของ nanoscale
inclusions 2  22 บนมืออื่น ๆ , คอลลินส์ et al . มีความไวต่อสภาพแวดล้อมมาก

โดยพลังงานเทอร์โมเคมีของท่อนาโนคาร์บอนผนังเดี่ยว 22
สร้างก๊าซเซนเซอร์ใหม่ผ่านทางเทอร์โมไฟฟ้า
ออกไซด์วัสดุด้วย วัดค่าสูงอาจ
เป็นทางเลือกที่ดี เดอ เพื่อประโยชน์ของโมลิบเดท
ในเซ็นเซอร์เรืองแสงอุปกรณ์ซุปเปอร์คาปาซิเตอร์เช่น
, วัสดุ , การเร่ง , พวกเขาได้รับความสนใจอย่างมาก
23 – 27 ชอยและ และ และ al.28 al.29 เตรียม
femoo4 กลวงและตามลำดับ โครงสร้างและสมบัติทางเคมีของ , อิเล็กทรอนิกส์

femoo4 ได้รับศึกษา ระบุว่า ขั้นตอนเบต้าของ femoo4 มั่นคง
ในช่วงกว้างของอุณหภูมิ ( 25 – 30
800  C )ในกระดาษนี้ , เข้าใจพลังของเทอร์โม
femoo4 nanorods เรามีโมโนคลินิก
femoo4 nanorods สังเคราะห์โดยวิธีไฮโดรเทอร์มอลและวัดค่าการนำไฟฟ้า และวัดค่า

ของฟิล์มที่ทำจาก femoo4 nanorods . สาเหตุของ
สูง วัดค่าสัมประสิทธิ์ของ femoo4 nanorods คือ
กล่าวถึงความหนาแน่นสถานะ ( DOS ) โดยใช้
โดยหลักการแรกของการทำงานวิธีการภายในการประมาณระดับทั่วไป