The first model of the ZnO conducti

The first model of the ZnO conduction mechanism was based on space charge limited current (SCLC) [55]. Although yielding high coefficients of non-linearity α [56], this model is inappropriate to ZnO varistors because of the passive role of
the intergranular layer in determining the breakdown voltage [39, 53]. Subsequently, a simple tunnelling process [39, 47] and a two-step transport mechanism [52] that consisted of steps of electron hopping [57] and electron tunnelling were suggested. None of these models could account for the high α observed in ZnO varistors.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

รุ่นแรกของกลไก ZnO จึงเป็นไปตามธรรมเนียมพื้นที่จำกัดปัจจุบัน (SCLC) [55] รุ่นนี้แม้ว่าผลผลิตไม่ใช่แบบดอกไม้α [56] สัมประสิทธิ์สูง เหมาะสมกับ ZnO varistors เนื่องจากบทบาทแฝง
ชั้น intergranular ในการกำหนดแรงดันไฟฟ้าชำรุด [39, 53] ในเวลาต่อมา อย่าง tunnelling กระบวนการ [39 47] และกลไกขนส่งสองขั้นตอน [52] ซึ่งประกอบด้วยขั้นตอนของอิเล็กตรอนกระโดด [57] และอิเล็กตรอน tunnelling ได้แนะนำ โมเดลเหล่านี้ไม่ได้บัญชีสำหรับαสูงใน ZnO varistors

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

รุ่นแรกของกลไกการนำซิงค์ออกไซด์มีพื้นฐานอยู่บนค่าใช้จ่ายในปัจจุบันพื้นที่ จำกัด (SCLC) [55] แม้ว่าผลผลิตสูงของค่าสัมประสิทธิ์ที่ไม่เป็นเชิงเส้น-α [56] แบบนี้ไม่เหมาะสมที่จะซิงค์ออกไซด์วาริสเตอร์เพราะบทบาทของ
ชั้นขอบเกรนในการกำหนดแรงดันไฟฟ้าเสีย [39, 53] ต่อจากนั้นขั้นตอนการขุดเจาะอุโมงค์ง่าย [39, 47] และกลไกการขนส่งสองขั้นตอน [52] ที่ประกอบด้วยขั้นตอนของอิเล็กตรอนกระโดด [57] และอิเล็กตรอนอุโมงค์ได้รับข้อเสนอแนะ ไม่มีรูปแบบเหล่านี้สามารถอธิบายαสูงพบในวาริสเตอร์ซิงค์ออกไซด์

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

รุ่นแรกของซิงค์ออกไซด์ที่มีกลไกตามพื้นที่รับผิดชอบ จำกัด ปัจจุบัน ( SCLC ) [ 55 ] แม้ว่าที่ให้ผลผลิตสูงโดยไม่α [ 56 ] แบบจำลองนี้ไม่เหมาะสมที่จะซิงค์ออกไซด์วาริสเตอร์มีเพราะเรื่อยๆบทบาทของ
ชั้น ( ในการกำหนดแรงดันเบรคดาวน์ 39 [ 53 ] ต่อมาอุโมงค์ง่ายกระบวนการ [ 39 ,47 ] และ [ 52 ] 2 กลไกการขนส่งที่ประกอบด้วยขั้นตอนของอิเล็กตรอนกระโดด [ 57 ] และอิเล็กตรอนอุโมงค์ถูกแนะนำ ไม่มีโมเดลเหล่านี้อาจทำให้สูงαสังเกตในซิงค์ออกไซด์วาริสเตอร์มี .