The dielectric membranes consisted

The dielectric membranes consisted of a 0.2
m thick Si3N4 layer grown by LPCVD. Each chip had four membranes, the size of which was 900
m×900
m. (2) Deposition and patterning of a POCl3-doped polysilicon heating meander.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

เยื่อหุ้มเป็นฉนวนประกอบด้วย 0.2 m หนา Si3N4 ชั้นโดย LPCVD ชิปแต่ละสาร 4, 900 เมตร × 900 เมตร (2) มีขนาดที่ได้สะสมและ patterning polysilicon POCl3 doped ที่ร้อนคดเคี้ยว

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

เยื่ออิเล็กทริกประกอบด้วย 0.2? m ชั้น Si3N4 หนาเติบโตขึ้นโดย LPCVD ชิปแต่ละคนมีสี่เยื่อขนาดของซึ่งเป็น 900 เมตร× 900 เมตร (2) สะสมและการเลียนแบบของคดเคี้ยวความร้อนโพลีซิลิคอน POCl3 เจือ

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

หุ้มฉนวนหนา 0.2 เมตร ประกอบด้วย
Si3N4 ชั้นโต โดย lpcvd . แต่ละชิปมี 4 แผ่น ขนาดเท่ากับ 900
m × 900
เมตร ( 2 ) สะสมและการเลียนแบบของ pocl3 เจือ Polysilicon ความร้อนราคาถูก .