stacks. This important application

stacks. This important application of ultra-thin SiO_x layers is as tunnel oxides for the rear side of the Tunnel Oxide Passivated Contact (TOPCon) cell concept. The structural properties of theSiO_X layers that were analyzed by X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) and compared to the iV_OC data. It indicate that a minimum oxide layer thickness of approx. 1.4 nm and a high amount of oxygen rich sub oxides species are required to obtain a good interface passivation stable up to annealing temperatures of 900℃

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

กอง โปรแกรมนี้สำคัญชั้น SiO_x เฉียบเป็นอุโมงค์ออกไซด์สำหรับด้านหลังของแนวคิดเซลล์อุโมงค์ Passivated ออกไซด์ติดต่อ (TOPCon) คุณสมบัติโครงสร้างของชั้น theSiO_X ที่ถูกวิเคราะห์ โดย X-ray photoelectron สเปกโทรสโก (XPS) และเมื่อเปรียบเทียบกับข้อมูลที่ iV_OC มันบ่งชี้ว่า เป็นออกไซด์ต่ำชั้นหนาประมาณ 1.4 nm และมีออกซิเจนเกิดออกไซด์ย่อยหลากหลายสายพันธุ์ต้องขอดีของอินเทอร์เฟซทู่มีเสถียรภาพถึงหลอมอุณหภูมิ 900℃

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

สแต็ค โปรแกรมนี้ที่สำคัญของชั้น SiO_x บางเฉียบเป็นอุโมงค์ออกไซด์สำหรับด้านหลังของอุโมงค์ออกไซด์ Passivated ติดต่อ (Topcon) แนวคิดมือถือ คุณสมบัติของโครงสร้างของชั้น theSiO_X ที่ถูกวิเคราะห์โดย X-ray โฟโตอิเล็กตรอนสเปกโทรสโก (XPS) และเมื่อเทียบกับข้อมูล iV_OC มันแสดงให้เห็นว่าความหนาของชั้นออกไซด์ต่ำสุดประมาณ 1.4 นาโนเมตรและเป็นจำนวนเงินที่สูงของออกซิเจนที่อุดมไปด้วยสายพันธุ์ย่อยออกไซด์จะต้องได้รับฟิล์มอินเตอร์เฟซที่ดีมีเสถียรภาพขึ้นกับอุณหภูมิการหลอม 900 ℃

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

กองนั้น โปรแกรมที่สำคัญของชั้น sio_x บางเฉียบเป็นอุโมงค์ออกไซด์สำหรับด้านหลังของอุโมงค์ประกอบออกไซด์ติดต่อ ( Topcon ) แนวคิดมือถือ สมบัติเชิงโครงสร้างของ thesio_x ชั้นวิเคราะห์โดยเครื่อง X-ray photoelectron spectroscopy ( XPS ) และเปรียบเทียบกับข้อมูล iv_oc . มันแสดงให้เห็นว่าอย่างน้อยชั้นความหนาของออกไซด์ประมาณ 1.4 นาโนเมตร และปริมาณออกซิเจนที่อุดมไปด้วยออกไซด์ชนิดย่อยจะต้องได้รับที่ดีติดต่อรุ้งมั่นคงถึงอุณหภูมิอบ 900 ℃