potential-induced degradation in n-

potential-induced degradation in n-type front junction silicon photovoltaic modules can be basically explained by the enhanced front surface recombination between electron and hole on the silicon cell, whereas the polarity of voltage leading to potential-induced degradation depends on the structure of silicon cell

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ลดโอกาสเกิดในอาทิตย์สามารถโดยทั่วไปอธิบายได้ โดยการเพิ่มหน้า surface รวมตัวกันระหว่างอิเล็กตรอนและหลุมบนเซลล์ซิลิคอน ในขณะที่ขั้วของแรงดันไฟฟ้าที่นำไปสู่การลดศักยภาพที่เกิดขึ้นกับโครงสร้างของเซลล์ซิลิคอนซิลิคอนชนิด n หน้าแยก

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

การย่อยสลายที่อาจเกิดขึ้นที่เกิดขึ้นใน N-หน้าชนิดซิลิคอนแผงเซลล์แสงอาทิตย์สามารถอธิบายได้โดยทั่วไปโดยการรวมตัวกันของพื้นผิวที่เพิ่มขึ้นด้านหน้าระหว่างอิเล็กตรอนและหลุมบนมือถือซิลิกอนในขณะที่ขั้วของแรงดันไฟฟ้าที่นำไปสู่​​การสลายตัวที่อาจเกิดขึ้นที่เกิดขึ้นอยู่กับโครงสร้างของเซลล์ซิลิกอน

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ศักยภาพและการย่อยสลายในหน้าทั่วไปแยกแผงเซลล์แสงอาทิตย์ซิลิคอนสามารถอธิบายได้โดยทั่วไป โดยการปรับปรุงพื้นผิวด้านหน้า การรวมตัวกันระหว่างอิเล็กตรอนและหลุมในซิลิคอนเซลล์ ส่วนขั้วของแรงดันเหนี่ยวนำศักยภาพการสลายตัวขึ้นอยู่กับโครงสร้างของซิลิคอนเซลล์