featuring a novel AFP has beenexper

featuring a novel AFP has been
experimentally verified. Fabrication results show good
agreement with simulation results. When comparing to HEMTs
with conventional FP, a 3× higher breakdown voltage was
obtained. The process for the AFP HEMT is fully compatible
with the commercial RF GaN technology without the need for
any additional photolithography and processing step.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

มีนวนิยาย AFP ได้ทดลองจริง ผลผลิตแสดงดีข้อตกลงกับผลการทดลอง เมื่อเทียบกับ HEMTsด้วย FP ธรรมดา แรงดัน 3 ×สูงแบ่งเป็นรับ กระบวนการสำหรับ AFP HEMT จะเข้ากันได้ด้วยเทคโนโลยี RF กันในเชิงพาณิชย์โดยไม่ต้องphotolithography ใด ๆ เพิ่มเติมและขั้นตอนการประมวลผล

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

เนื้อเรื่องนวนิยายเอเอฟพีได้รับ
การยืนยันการทดลอง ผลการแปรรูปแสดงที่ดี
ข้อตกลงกับผลการจำลอง เมื่อเทียบกับ HEMTs
กับการชุมนุม FP, 3 ×แรงดันพังทลายสูงขึ้น
ได้ กระบวนการสำหรับเอเอฟพี HEMT เป็นอย่างเข้ากันได้
กับเทคโนโลยี RF กานเชิงพาณิชย์โดยไม่จำเป็นต้องสำหรับ
photolithography เพิ่มเติมใด ๆ และขั้นตอนการประมวลผล

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

สำนักข่าวเอเอฟพีได้มีนวนิยายโดยสามารถตรวจสอบได้ แสดงผลผลิตที่ดีสอดคล้องกับผลการจำลอง เมื่อเปรียบเทียบกับ hemtsกับ FP แบบ 3 ×สูงกว่าแรงดันเบรคดาวน์ คือที่ได้รับ กระบวนการสำหรับ AFP hemt เป็นอย่างเข้ากันได้ด้วยเทคโนโลยี RF เชิงพาณิชย์โดยไม่ต้องกาน43 เพิ่มเติมใด ๆและขั้นตอนการประมวลผล