On the Si-terminated (0001) basal p

On the Si-terminated (0001) basal plane,


vacuum annealing leads to small graphene domains typically 30100nm in diameter,

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

บนจบศรี (0001) โรคเครื่องบิน การอบเหนียวดูดนำไป 100nm ปกติ 30 โดเมน graphene ขนาดเล็กเส้นผ่านศูนย์กลาง

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ในศรีสิ้นสุด (0001) เครื่องบินฐานหลอมสูญญากาศจะนำไปสู่โดเมนกราฟีนที่มีขนาดเล็กมักจะ30? 100nm เส้นผ่าศูนย์กลาง

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ในจังหวัดยกเลิก ( 0001 ) เครื่องบินแรกเริ่ม ,


สิว annealing นำไปสู่เล็กกราฟีนโดเมนมักจะ 30  100nm เส้นผ่านศูนย์กลาง