For deep understanding of PL processes, we studied the
excitation density dependence of the broad PL bands.
Fig. 2(a) shows the excitation-density dependence of the PL
intensity of undoped KTaO3 and LiTaO3 crystals under pulse laser
excitation. For undoped KTaO3 crystals, the PL intensity shows
quadratic dependence on the excitation density under weak
excitation, indicating that bimolecular recombination of photoexcited
electrons and holes determines the PL process. Under
high-density excitation above 300 mJ/cm2
, the PL intensity shows
saturation behavior, which is probably due to an increase of
nonradiative three-body Auger recombination rate [15]. Undoped
SrTiO3 and BaTiO3 crystals also show similar excitation-density
dependence (not shown here. For SrTiO3, see Refs. 15 and 16.).
Unlike the case of KTaO3, the PL intensity of undoped LiTaO3
crystals linearly depends on the excitation density. Similar linear
excitation-density dependence is observed in undoped LiNbO3
crystals. Perovskite oxides used in this work have high dielectric
constants [23,29–31], and thus no excitonic effects appear at
room temperature. Then, this linear dependence implies that
carrier tapping determines the PL process. These results mean
that the PL processes of KTaO3, SrTiO3 and BaTiO3 are completely
different from those of LiTaO3 and LiNbO3.
Fig. 2(b) shows the excitation density dependence of PL
intensity in Arþ-irradiated KTaO3 (under cw excitation) and
LiTaO3 (under pulse laser excitation) samples. Arþ-irradiated
KTaO3 sample shows a broad blue PL under weak cw excitation,
whose intensity linearly increases with an increase of excitation
density. This suggests that the PL in Arþ-irradiated KTaO3
samples is dominated by the radiative recombination of doped
electrons and photoexcited holes. As discussed with respect to
Fig. 2(a) and (b), the PL behaviors of undoped and electron-doped
samples are determined by single-carrier trapping, radiative
bimolecular recombination, and nonradiative three-carrier Auger
recombination processes
เพื่อความเข้าใจลึกของกระบวนการที่คุณ เราศึกษาการกระตุ้นความหนาแน่นของวง
คุณกว้าง รูปที่ 2 ( ก ) แสดงให้เห็นถึงความตื่นเต้นของการพึ่งพาของพวกเขาและความเข้มของ ktao3 เคมีไฟฟ้า
litao3 ผลึกภายใต้การกระตุ้นด้วยเลเซอร์
ชีพจร สำหรับคริสตัล ktao3 เคมีไฟฟ้า , pl เข้มแสดง
สมพึ่งกระตุ้นความหนาแน่นภายใต้การกระตุ้นจุดอ่อน
,ระบุว่า การรวมตัวของสารชีวโมเลกุล photoexcited
อิเล็กตรอนและหลุมกำหนดกระบวนการ PL . ภายใต้
ความหนาแน่นสูงกระตุ้นสูงกว่า 300 MJ / cm2
, ความเข้มอิ่มตัวที่จะแสดงพฤติกรรม ซึ่งอาจจะเกิดจากการเพิ่มขึ้นของอัตราการ nonradiative
3 ตัวสว่าน [ 15 ] srtio3 เคมีไฟฟ้าและยังแสดงคล้ายผลึก batio3
การกระตุ้นความหนาแน่น ( ไม่แสดงที่นี่สำหรับ srtio3 ดูอ้างอิง 15 และ 16 ) .
ซึ่งแตกต่างจากกรณีของ ktao3 , คุณความเข้มของผลึก litao3
เคมีไฟฟ้าเชิงขึ้นอยู่กับการกระตุ้นความหนาแน่น คล้ายเส้น
กระตุ้นความหนาแน่นการพึ่งพาเป็นที่สังเกตในผลึก LiNbO3
เคมีไฟฟ้า . เพอรอฟสไกต์ออกไซด์ที่ใช้ในงานวิจัยนี้มีฉนวนสูง
23,29 ค่าคงที่ [ 31 ] , และดังนั้นจึงไม่มีผล excitonic ปรากฏที่
อุณหภูมิห้อง จากนั้นการเชิงเส้นบางที่
ผู้ให้บริการกำหนดกระบวนการที่จะแตะ . ผลลัพธ์เหล่านี้หมายถึง
ที่กระบวนการของ ktao3 PL , และ srtio3 batio3
อย่างสมบูรณ์แตกต่างจาก litao3 และผลึก .
รูปที่ 2 ( ข ) แสดงความตื่นเต้นของการพึ่งพาของ PL
เข้มใน AR þ - ฉายรังสี ktao3 ( ภายใต้ CW กระตุ้น ) และ
litao3 ( ภายใต้ชีพจรเลเซอร์กระตุ้น ) ตัวอย่าง AR þ
- รังสีktao3 ตัวอย่างคร่าว ๆที่จะแสดงสีฟ้าภายใต้การกระตุ้น CW อ่อนแอ
ที่มีความเข้มเฉลี่ยเพิ่มขึ้นเพิ่มขึ้นความหนาแน่นของแผ่น
นี้แสดงให้เห็นว่าพีอาร์þ - ฉายรังสี ktao3
ตัวอย่างมีการปกครองโดยการกระจายของอิเล็กตรอนและหลุม photoexcited ด้วย
. ตามที่ได้คุยกันไว้ ด้วยความเคารพ
รูปที่ 2 ( ก ) และ ( ข ) , พฤติกรรมของพวกเขาและอิเล็กตรอนเจือ
เคมีไฟฟ้าตัวอย่างจะถูกกำหนดโดยผู้ให้บริการเดียวดัก radiative
สารชีวโมเลกุลการและ nonradiative สามผู้ให้บริการ auger
การกระบวนการ
การแปล กรุณารอสักครู่..