which serves as the “fingerprint” o

which serves as the “fingerprint” of iron in silicon , was verified. Next, total iron concentration was calculated using and measured effective lifetime at an excess carrier density of 1e15 cm3 , which is close to the open circuit voltage of the cell.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ซึ่งเป็น "ลายนิ้วมือ" ของเหล็กในซิลิคอน ถูกตรวจสอบ ความเข้มข้นของเหล็กที่ต่อไป รวมคำนวณโดยใช้ และวัดประสิทธิภาพอายุการใช้งานที่มีความหนาแน่นผู้ขนส่วนเกินของ 1e15 cm3 ซึ่งใกล้เคียงกับแรงดันไฟฟ้าวงจรเปิดของเซลล์

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ซึ่งทำหน้าที่เป็น "ลายนิ้วมือ" ของเหล็กในซิลิกอนได้รับการยืนยัน ถัดไปความเข้มข้นเหล็กทั้งหมดที่คำนวณโดยใช้วัดและอายุการใช้งานที่มีประสิทธิภาพความหนาแน่นของผู้ให้บริการส่วนที่เกินจาก 1e15 cm3 ซึ่งอยู่ใกล้กับแรงดันไฟฟ้าวงจรเปิดของเซลล์