preparation. The sputtered a-TiO2 t

preparation. The sputtered a-TiO2 thin films were prepared via reactive sputtering of Ti target with the radio-frequency (r.f.) magnetron sputter system, followed by third element implantation of Fe, Cr, and V by MPII.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

การเตรียมการ มีเตรียมฟิล์มบางมี TiO2 sputtered ผ่านปฏิกิริยาสปัตเตอร์เป้าหมาย Ti กับความถี่วิทยุ (r.f.) magnetron sputter ระบบ ตาม ด้วยสามองค์ประกอบฝัง ของ Fe, Cr, V โดย MPII

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

การจัดเตรียม พ่นฟิล์มบาง A-TiO2 ได้จัดทำผ่านทางสปัตเตอร์ปฏิกิริยาของเป้าหมาย Ti ด้วยคลื่นความถี่วิทยุ (RF) ระบบแมกปะทุตามด้วยการปลูกถ่ายสามองค์ประกอบของเฟ Cr และ V โดย MPII

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

การเตรียมการ การ sputtered a-tio2 ฟิล์มเตรียมผ่านปฏิกิริยาการสปัตเตอร์ตีเป้าหมายด้วยคลื่นความถี่วิทยุ ( r.f. ) ตรอนละล่ำละลักระบบ ตามด้วยการใส่องค์ประกอบที่สามของ Fe , Cr , และ V โดย mpii .