In Fig. 3.5 both biasing potentials

In Fig. 3.5 both biasing potentials have been applied to a pnp transistor, with the
resulting majority- and minority-carrier flow indicated. Note in Fig. 3.5 the widths of
the depletion regions, indicating clearly which junction is forward-biased and which
is reverse-biased. As indicated in Fig. 3.5, a large number of majority carriers will
diffuse across the forward-biased p-n junction into the n-type material. The question
then is whether these carriers will contribute directly to the base current IB or pass
directly into the p-type material. Since the sandwiched n-type material is very thin
and has a low conductivity, a very small number of these carriers will take this path
of high resistance to the base terminal. The magnitude of the base current is typically
on the order of microamperes as compared to milliamperes for the emitter and collector
currents. The larger number of these majority carriers will diffuse across the
reverse-biased junction into the p-type material connected to the collector terminal as
indicated in Fig. 3.5. The reason for the relative ease with which the majority carriers
can cross the reverse-biased junction is easily understood if we consider that for
the reverse-biased diode the injected majority carriers will appear as minority carriers
in the n-type material. In other words, there has been an injection of minority carriers
into the n-type base region material. Combining this with the fact that all the
minority carriers in the depletion region will cross the reverse-biased junction of a
diode accounts for the flow indicated in Fig. 3.5.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ในมะเดื่อ 3.5 ทั้งศักยภาพการให้น้ำหนักที่ได้รับนำไปใช้กับทรานซิสเตอร์ PNP ด้วย
ผลให้การไหลของส่วนใหญ่และชนกลุ่มน้อยผู้ให้บริการที่ระบุไว้ ทราบในมะเดื่อ 3.5 ความกว้างของ
ภูมิภาคลดลงแสดงให้เห็นอย่างชัดเจนซึ่งเป็นจุดเชื่อมต่อไปข้างหน้าอย่างลำเอียงและซึ่ง
ได้กลับลำเอียง ตามที่ระบุไว้ในภาพ 3.5 เป็นจำนวนมากของผู้ให้บริการส่วนใหญ่จะ
กระจายทั่วลำเอียงไปข้างหน้า PN แยกเป็นวัสดุประเภท n คำถาม
แล้วก็คือว่าผู้ให้บริการเหล่านี้จะมีส่วนร่วมโดยตรงกับฐานปัจจุบันหรือผ่านอิบ
โดยตรงลงในวัสดุชนิดพี ตั้งแต่วัสดุประเภท n แซนวิชเป็นบางมาก
และมีการนำต่ำจำนวนน้อยมากของผู้ให้บริการเหล่านี้จะใช้เส้นทางนี้
ของความต้านทานสูงไปยังสถานีฐานขนาดของฐานปัจจุบันโดยทั่วไปจะมี
โดยคำสั่งของ microamperes เมื่อเทียบกับ milliamperes กับอีซีแอลและนักสะสม
กระแส จำนวนมากของผู้ให้บริการส่วนใหญ่เหล่านี้จะกระจายไปทั่วชุม
กลับลำเอียงเป็นวัสดุชนิดพีที่เชื่อมต่อไปยังสถานีเก็บเป็น
ที่ระบุไว้ในมะเดื่อ 3.5 เหตุผลได้อย่างง่ายดายญาติกับที่ผู้ให้บริการส่วนใหญ่
สามารถข้ามทางแยกกลับลำเอียงเป็นที่เข้าใจได้อย่างง่ายดายถ้าเราพิจารณาว่าสำหรับ
ไดโอดกลับลำเอียงผู้ให้บริการส่วนใหญ่ฉีดจะปรากฏเป็นผู้ให้บริการน้อย
ในวัสดุประเภท n ในคำอื่น ๆ ที่ได้มีการฉีดของผู้ให้บริการเป็นผู้ถือหุ้นส่วนน้อย
n-ประเภทวัสดุภูมิภาคฐาน รวมนี้กับความจริงที่ว่าทุก
ผู้ให้บริการที่เป็นชนกลุ่มน้อยในภูมิภาคลดลงจะข้ามทางแยกกลับลำเอียงบัญชี
ไดโอดสำหรับการไหลที่ระบุไว้ในมะเดื่อ 3.5

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ใน Fig. 3.5 ทั้งศักยภาพ biasing ใชักับทรานซิสเตอร์ pnp กับ
กระแสส่วนใหญ่ - และชนกลุ่มน้อยผู้เกิดขึ้นที่ระบุ หมายเหตุใน Fig. 3.5 ความกว้างของ
ภูมิภาคจนหมด ระบุชัดเจนเป็นชุมทางที่ลำเอียงไปข้างหน้าและ
เป็นภาพย้อนกลับ ตามที่ระบุใน Fig. 3.5 จำนวนมากของสายการบินส่วนใหญ่จะ
กระจายผ่านทาง p n ลำเอียงไปข้างหน้าเป็นวัสดุชนิด n คำถาม
คือว่าสายการบินเหล่านี้จะช่วยให้ IB ปัจจุบันพื้นฐานโดยตรง หรือผ่าน
ลงวัสดุชนิด p เนื่องจากวัสดุชนิด n sandwiched มาก
นำต่ำ มีจำนวนเล็ก ๆ ของสายการบินเหล่านี้จะใช้เส้นทางนี้
ของความต้านทานสูงกับสถานีฐาน ขนาดของตัวฐานจะ
ขั้น microamperes เมื่อเทียบกับ milliamperes สำหรับตัวส่งและตัวเก็บรวบรวม
กระแส หมายเลขขนาดใหญ่ของสายการบินส่วนใหญ่เหล่านี้จะกระจายทั่ว
ลำเอียงกลับเชื่อมต่อเป็นชนิด p วัสดุเชื่อมต่อกับเทอร์มินัลเป็นตัวเก็บรวบรวม
ระบุใน Fig. 3.5 เหตุผลง่ายสัมพันธ์กับสายการบินส่วนใหญ่
สามารถข้ามแยกกลับลำเอียงเป็นที่เข้าใจถ้าเราพิจารณาว่าสำหรับ
ไดโอดลำเอียงกลับสายการบินส่วนใหญ่ฉีดที่จะปรากฏเป็นชนกลุ่มน้อยสาย
ในวัสดุชนิด n ได้ ในคำอื่น ๆ มีฉีดของชนกลุ่มน้อยสาย
เป็นวัสดุชนิด n ฐานภูมิภาค รวมนี้ ด้วยความจริงที่ทั้งหมด
ชนกลุ่มน้อยสายการบินในภูมิภาคนี้จนหมดจะข้ามแยกกลับความโน้มเอียงของการ
บัญชีไดโอดสำหรับขั้นตอนระบุไว้ใน Fig. 3.5

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ในรูป. ศักยภาพ biasing 3.5 ทั้งสองได้รับการนำมาใช้กับวิทยุทรานซิสเตอร์ PnP Cap พร้อมด้วยที่
ซึ่งจะช่วยส่งผลให้จำนวนมากและมีชนกลุ่มน้อยผู้ให้บริการระบุการไหล หมายเหตุ:ในรูป 3.5 ความกว้างของพื้นที่ทำให้หมดสิ้นลง
ที่แสดงถึงได้อย่างชัดเจนซึ่งทางแยกจะส่งต่อ - อุปทานและซึ่ง
ซึ่งจะช่วยเป็นย้อนกลับอุปทาน. ตามที่ได้อธิบายไว้ในรูป 3.5 จำนวนขนาดใหญ่ของผู้ให้บริการส่วนใหญ่จะตอบแทน
กระจายทั่วทั้งส่งต่อ - อุปทาน P - N ทางแยกเข้าไปในวัสดุ N - พิมพ์ได้ คำถามที่
ซึ่งจะช่วยให้ผู้ให้บริการมีไม่ว่าจะโดยตรงนี้จะช่วยในการวาณิชธนกิจในปัจจุบันฐานหรือผ่านวัสดุ
ซึ่งจะช่วยโดยตรงเข้ากับ P - พิมพ์ เนื่องด้วยวัสดุเชื่อมต่อในประกบ N - พิมพ์ที่บางมาก
และมีการนำต่ำจำนวนขนาดเล็กเป็นอย่างมากของผู้ให้บริการเหล่านี้จะนำพาธนี้
ซึ่งจะช่วยในการต่อต้านสูงเพื่อไปยังอาคารโดยสารฐานขนาดของฐานในปัจจุบันโดยทั่วไปจะ
ซึ่งจะช่วยในการสั่งซื้อของ microamperes เมื่อเทียบกับกระแสน้ำ milliamperes สำหรับโถรองและ Consumer ที่
หมายเลขขนาดใหญ่ของผู้ให้บริการส่วนใหญ่เหล่านี้จะแพร่ผ่านทางแยก
ย้อนกลับ - อุปทานเข้าไปในวัสดุ P - ประเภท การเชื่อมต่อ:เพื่อไปยังอาคารโดยสารที่รองที่เป็น
ซึ่งจะช่วยระบุไว้ในรูป 3.5 . เหตุผลที่ทำให้สะดวกง่ายดายด้วยซึ่งผู้ให้บริการส่วนใหญ่
ตามมาตรฐานสามารถข้ามทางแยกย้อนกลับ - อุปทานได้อย่างง่ายดายทำความเข้าใจถ้าเราพิจารณาว่าสำหรับ
ย้อนกลับ - อุปทานไดโอดวัด อุณหภูมิ แบบฉีดขึ้นรูปที่ส่วนใหญ่ผู้ให้บริการจะปรากฏขึ้นเป็นผู้ให้บริการส่วนน้อย
ซึ่งจะช่วยในการทำงาน N - ประเภท ในคำอื่นๆได้มีการฉีดที่ของผู้ให้บริการของชนกลุ่มน้อย
ซึ่งจะช่วยเข้าไปในวัสดุเชื่อมต่อในเขตพื้นที่ฐาน N - พิมพ์ได้ การผสมผสานแห่งนี้พร้อมด้วยที่จริงแล้วว่าทั้งหมดที่
ตามมาตรฐานผู้ให้บริการส่วนน้อยใน ภูมิภาค ทำให้หมดสิ้นลงที่จะข้ามทางแยกย้อนกลับ - อุปทานของบัญชี
ไดโอดวัด อุณหภูมิ สำหรับการไหลของที่ระบุไว้ในรูป 3.5 .