The addition of donor impurities co

The addition of donor impurities contributes electron energy levels high in the semiconductor band gap so that electrons can be easily excited into the conduction band. This shifts the effective Fermi level to a point about halfway between the donor levels and the conduction band.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

นอกเหนือจากผู้บริจาคสิ่งสกปรกก่อให้เกิดอิเล็กตรอนระดับพลังงานที่สูงในช่องว่างวงสารกึ่งตัวนำเพื่อให้อิเล็กตรอนสามารถตื่นเต้นได้อย่างง่ายดายเป็นการนำวงดนตรี นี้เลื่อนระดับพลังงานแฟร์มีประสิทธิภาพไปยังจุดเกี่ยวกับครึ่งทางระหว่างระดับผู้บริจาคและนำวง

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

นอกเหนือจากสิ่งสกปรกบริจาคก่ออิเล็กตรอนระดับพลังงานสูงในช่องว่างวงเซมิคอนดักเตอร์เพื่อให้อิเล็กตรอนสามารถจะตื่นเต้นได้ง่ายในการนำวงดนตรี นี้กะแฟร์ระดับประสิทธิภาพในการจุดกึ่งกลางระหว่างระดับผู้บริจาคและการนำวงดนตรี

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

นอกจากนี้สิ่งสกปรกที่มีผู้บริจาคอิเล็กตรอนพลังงานระดับสูงในกลุ่มเซมิคอนดักเตอร์ช่องว่างดังนั้นอิเล็กตรอนสามารถตื่นเต้นในการนำวงดนตรี นี้กะประสิทธิภาพแฟร์ระดับถึงจุดเกี่ยวกับครึ่งทางระหว่างผู้บริจาคระดับและนำวงดนตรี .