Synthesis of SiC was achieved by us

Synthesis of SiC was achieved by using concentrated solar energy provided by the IER-UNAM solar. The synthesis consisted in 5 steps, where the last 2 steps were performed by using concentrated solar energy. In this step, silica synthesized by the sol–gel method was used as a precursor of silicon, and sucrose as precursor of carbon. The last step of the synthesis was carried out at a temperature of 1500 C in argon atmosphere; in this case a graphite crucible was used to support the sample. According to the results of TEM, the SiC particles system is polydisperse in size, with grains of nanometer order size. Results showed that it is feasible the use of concentrated solar energy for the synthesis of SiC with lower CO2 emissions than conventional methods.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

สังเคราะห์ของ SiC สำเร็จ โดยใช้พลังงานแสงเข้มข้นโดย IER-UNAM พลังงานแสงอาทิตย์ สังเคราะห์ประกอบด้วย 5 ขั้นตอน ที่ดำเนินขั้นตอน 2 ครั้งล่าสุด โดยใช้พลังงานแสงเข้มข้น ในขั้นตอนนี้ ซิลิกาที่สังเคราะห์ โดยวิธีโซลเจลถูกใช้เป็นสารตั้งต้นของซิลิคอน และซูโครสเป็นสารตั้งต้นของคาร์บอน ขั้นตอนสุดท้ายของการสังเคราะห์ถูกดำเนินการที่อุณหภูมิ 1500 C ในบรรยากาศอาร์กอน ในกรณีนี้ ครูซิเบิลแกรไฟต์ถูกใช้เพื่อสนับสนุนตัวอย่าง ตามผลลัพธ์ของยการ ระบบอนุภาค SiC ไม่ polydisperse ในขนาด ธัญพืช nanometer สั่งขนาด ผลลัพธ์แสดงให้เห็นว่า มันจะเป็นไปได้การใช้พลังงานแสงเข้มข้นสำหรับสังเคราะห์ SiC ปล่อย CO2 ต่ำกว่าวิธีการปกติ

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

การสังเคราะห์ SiC ได้สำเร็จโดยใช้พลังงานแสงอาทิตย์ที่มีความเข้มข้นจัดไว้ให้โดย IER - แสงอาทิตย์ไต้หวัน การสังเคราะห์ประกอบด้วย 5 ขั้นตอนที่ 2 ขั้นตอนที่ดำเนินการโดยใช้พลังงานแสงอาทิตย์ที่มีความเข้มข้น ในขั้นตอนนี้ซิลิกาสังเคราะห์โดยโซล- วิธีการเจลที่ใช้เป็นสารตั้งต้นของซิลิกอนและน้ำตาลซูโครสเป็นสารตั้งต้นของคาร์บอน ขั้นตอนสุดท้ายของการสังเคราะห์ได้ดำเนินการที่อุณหภูมิ 1500 C ในบรรยากาศอาร์กอนนั้น ในกรณีนี้เบ้าหลอมไฟท์ถูกใช้ในการสนับสนุนของกลุ่มตัวอย่าง ตามผลของ TEM ระบบอนุภาคดังนี้คือ polydisperse ในขนาดที่มีเมล็ดขนาดการสั่งซื้อนาโนเมตร ผลการศึกษาพบว่ามันเป็นไปได้ที่การใช้พลังงานแสงอาทิตย์ที่มีความเข้มข้นในการสังเคราะห์ SiC ที่มีการปล่อย CO2 ต่ำกว่าวิธีการเดิม

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

การสังเคราะห์ซิลิกอนสําเร็จโดยใช้พลังงานแสงอาทิตย์เข้มข้นโดย ier-unam พลังงานแสงอาทิตย์ การสังเคราะห์ประกอบด้วย 5 ขั้นตอนที่ 2 ขั้นตอนคือการใช้พลังงานแสงอาทิตย์เข้มข้น . ในขั้นตอนนี้ , ซิลิกาที่สังเคราะห์โดยวิธีโซล - เจล ถูกใช้เป็นสารตั้งต้นของซิลิคอนและซูโครสเป็นสารตั้งต้นของคาร์บอนขั้นตอนสุดท้ายของการกระทำที่อุณหภูมิ 1500 องศาเซลเซียส ในบรรยากาศอาร์กอน ในกรณีนี้เป็นเบ้าแกรไฟต์ถูกใช้เพื่อสนับสนุนทฤษฎี ตามผลลัพธ์ของ TEM , SIC อนุภาคระบบ polydisperse ขนาดกับเม็ดขนาดสั่งนาโนเมตร .ผลการศึกษาพบว่ามีความเป็นไปได้ในการใช้พลังงานแสงอาทิตย์เข้มข้นสำหรับการสังเคราะห์ของ SIC กับการลดการปล่อย CO2 สูงกว่าวิธีปกติ