The technique of Secondary Ion Mass

The technique of Secondary Ion Mass Spectrometry (SIMS) is the most sensitive of all the commonly-employed surface analytical techniques - capable of detecting impurity elements present in a surface layer at < 1 ppm concentration, and bulk concentrations of impurities of around 1 ppb (part-per-billion) in favourable cases. This is because of the inherent high sensitivity associated with mass spectrometric-based techniques.

There are a number of different variants of the technique :

Statics SIMS : used for sub-monolayer elemental analysis
Dynamic SIMS : used for obtaining compositional information as a function of depth below the surface
Imaging SIMS : used for spatially-resolved elemental analysis
All of these variations on the technique are based on the same basic physical process and it is this process which is discussed here, together with a brief introduction to the field of static SIMS. Further notes on dynamic and imaging SIMS can be obtained in Section 7.4 - SIMS Imaging and Depth Profiling.

In SIMS the surface of the sample is subjected to bombardment by high energy ions - this leads to the ejection (or sputtering) of both neutral and charged (+/-) species from the surface. The ejected species may include atoms, clusters of atoms and molecular fragments

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

เทคนิคของรองไอออนมวลใน Spectrometry (ซิมส์) สำคัญที่สุดของทั้งหมดว่าจ้างโดยทั่วไปผิววิเคราะห์เทคนิค - สามารถตรวจองค์ประกอบมลทินที่อยู่ในชั้นผิวที่เข้มข้น < 1 ppm และจำนวนมากความเข้มข้นของสิ่งสกปรกรอบ 1 ppb (ส่วนต่อล้าน) ในกรณีที่ดีได้ นี้เป็น เพราะความไวสูงโดยธรรมชาติที่เกี่ยวข้องกับมวล spectrometric ใช้เทคนิคมีจำนวนของตัวแปรต่าง ๆ เทคนิค:สถิตยศาสตร์ซิมส์: ใช้สำหรับการวิเคราะห์ธาตุ monolayer ย่อยซิมส์แบบไดนามิก: ใช้สำหรับรับข้อมูล compositional เป็นฟังก์ชันของความลึกใต้ผิวหนังภาพที่ซิมส์: ใช้สำหรับแก้ไข spatially วิเคราะห์ธาตุรูปแบบเหล่านี้ในเทคนิคทั้งหมดขึ้นอยู่กับกระบวนการทางกายภาพพื้นฐานเดียวกัน และเป็นกระบวนการที่อธิบายไว้ที่นี่ พร้อมแนะนำสั้น ๆ ในฟิลด์ของซิมส์แบบ นี้ หมายเหตุเพิ่มเติมเกี่ยวกับซิมส์แบบไดนามิก และถ่ายภาพได้ในส่วน 7.4 - ซิมส์ถ่ายภาพและสร้างโพรไฟล์ความลึกในพื้นผิวของตัวอย่างจะอยู่ภายใต้การระดมยิง โดยที่ประจุพลังงานสูง - ซิมส์นี้นำไปสู่พันธุ์ขับ (หรือสปัตเตอร์) ทั้งเป็นกลาง และคิดค่าธรรมเนียม (+/-) จากพื้นผิว พันธุ์ ejected อาจประกอบด้วยอะตอม อะตอมและโมเลกุลบางส่วนของกลุ่ม

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

เทคนิคการมวลสารไอออนรอง (SIMS) เป็นที่มีความสำคัญมากที่สุดของทุกพื้นผิวทั่วไปลูกจ้างเทคนิคการวิเคราะห์ - ความสามารถในการตรวจสอบองค์ประกอบบริสุทธิ์อยู่ในชั้นผิวที่ <1 ppm ความเข้มข้นและความเข้มข้นของกลุ่มของสิ่งสกปรกประมาณ 1 ppb ( ส่วนต่อพันล้านดอลลาร์) ในกรณีที่ดี นี้เป็นเพราะความไวสูงโดยธรรมชาติที่เกี่ยวข้องกับเทคนิคมวล spectrometric ตาม. มีจำนวนของสายพันธุ์ที่แตกต่างกันของเทคนิคคือสถิตซิมส์: ใช้สำหรับย่อย monolayer วิเคราะห์ธาตุแบบไดนามิกซิมส์: ใช้สำหรับการได้รับข้อมูล compositional เป็นหน้าที่ของความลึก ใต้พื้นผิวการถ่ายภาพ Sims: ใช้ในการวิเคราะห์ธาตุเชิงพื้นที่-แก้ไขทุกรูปแบบเหล่านี้เกี่ยวกับเทคนิคจะขึ้นอยู่กับกระบวนการทางกายภาพพื้นฐานเดียวกันและมันก็เป็นกระบวนการนี้ซึ่งจะกล่าวถึงที่นี่พร้อมกับแนะนำสั้น ๆ กับสาขาของซิมส์แบบคงที่ บันทึกเพิ่มเติมเกี่ยวกับซิมส์แบบไดนามิกและการถ่ายภาพจะได้รับในส่วนที่ 7.4 -. SIMS การถ่ายภาพและความลึก Profiling ใน SIMS พื้นผิวของตัวอย่างที่อยู่ภายใต้การโจมตีโดยไอออนพลังงานสูง - นี้นำไปสู่การออก (หรือสปัตเตอร์) ของทั้งสองที่เป็นกลางและการเรียกเก็บเงิน (+/-) สายพันธุ์จากพื้นผิว พุ่งออกมาชนิดที่อาจรวมถึงอะตอมกลุ่มของอะตอมและโมเลกุลเศษ

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

เทคนิคของรองไอออนมวลสาร ( ซิม ) ที่สําคัญที่สุดของทั้งหมดที่ใช้เทคนิคการวิเคราะห์พื้นผิว - สามารถตรวจสอบสิ่งเจือปนองค์ประกอบที่มีอยู่ในผิวชั้น < 1 ppm ความเข้มข้นและปริมาณขนาดใหญ่ของสิ่งสกปรกประมาณ 1 ppb ( part per billion ) ในรายดีนี้เป็นเพราะ บริษัท ที่เกี่ยวข้องกับความไวสูงมวลพื้นฐานเทคนิค

มีจำนวนของสายพันธุ์ที่แตกต่างกันของเทคนิค :

. ( ใช้สำหรับย่อยอย่างพลวัตการวิเคราะห์ธาตุ
ซิมส์ : ใช้สำหรับการได้รับข้อมูลส่วนประกอบตามระดับความลึกด้านล่างพื้นผิว
ภาพซิมส์ : ใช้สำหรับเปลี่ยนแก้ไข การวิเคราะห์ธาตุ
ทั้งหมดของรูปแบบเหล่านี้ในเทคนิคจะขึ้นอยู่กับพื้นฐานทางกายภาพกระบวนการและนี้คือกระบวนการซึ่งจะกล่าวถึงที่นี่ พร้อมกับสั้นเบื้องต้นด้านซิมส์ไม่เคลื่อนไหว เพิ่มเติมบันทึกในแบบไดนามิกและการถ่ายภาพซิมส์สามารถรับได้ในส่วน 7.4 - ซิมส์ภาพและความลึก
โปรไฟล์ในซิมส์ของพื้นผิวของตัวอย่างอยู่ภายใต้การโจมตีโดยไอออนพลังงานสูงนี้ นำไปสู่การฉีด ( หรือทำงาน ) ทั้งสองเป็นกลางและประจุ ( - ) สายพันธุ์จากพื้นผิว แต่ชนิดที่อาจรวมถึงกลุ่มของอะตอมและโมเลกุล อะตอม เศษ