This experiment showed that sputter

This experiment showed that sputtering technology of ZnO:Ga thin films at different positions against a substrate holder have significant impact on electrical properties of the films, namely resistivity, which has decreased about one order of magnitude at tilt-angle 80o against zero tilt-angle.
No significant changes were observed in case of optical properties of the films in dependence on the tilt-angle. Deposition temperature at each tilt-angle has only slight influence on the all investigated physical properties.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

การทดลองนี้แสดงให้เห็นว่าพ่นเทคโนโลยีของฟิล์มบาง ZnO:Ga ที่ตำแหน่งแตกต่างกันกับยึดพื้นผิวที่มีผลกระทบสำคัญต่อคุณสมบัติทางไฟฟ้าของฟิล์ม คือความต้านทาน การลดขนาดของใบสั่งเดียวที่เอียงมุม 80o กับมุมเอียงเป็นศูนย์ไม่เปลี่ยนแปลงที่สำคัญสุภัคกรณีคุณสมบัติแสงของฟิล์มพึ่งพาในมุมเอียง อุณหภูมิสะสมในแต่ละมุมเอียงที่มีคุณสมบัติทางกายภาพทั้งหมด investigated อิทธิพลเล็กน้อยเท่านั้น

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

การทดลองนี้แสดงให้เห็นว่าสปัตเตอร์เทคโนโลยีของซิงค์ออกไซด์: Ga ฟิล์มบางที่ตำแหน่งที่แตกต่างกันกับผู้ถือสารตั้งต้นมีผลกระทบอย่างมีนัยสำคัญเกี่ยวกับคุณสมบัติทางไฟฟ้าของภาพยนตร์คือความต้านทานซึ่งได้ลดลงประมาณหนึ่งในลำดับความสำคัญที่ 80o เอียงมุมกับศูนย์เอียงมุม .
ไม่มีการเปลี่ยนแปลงอย่างมีนัยสำคัญในกรณีของคุณสมบัติทางแสงของภาพยนตร์ในการพึ่งพาเอียงมุม อุณหภูมิสะสมในแต่ละมุมเอียงมีอิทธิพลเพียงเล็กน้อยต่อสมบัติทางกายภาพทั้งหมดตรวจสอบ

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

การทดลองนี้แสดงให้เห็นว่าเทคโนโลยีฟิล์มบาง ZnO GA สปัตเตอร์ที่ตำแหน่งต่างกันกับพื้นผิวยึดมีผลกระทบอย่างมากต่อสมบัติทางไฟฟ้าของฟิล์ม คือความต้านทาน ซึ่งลดลงประมาณหนึ่งอันดับของขนาดในมุมเอียง 80o กับมุมเอียง
0ไม่มีการเปลี่ยนแปลงที่สำคัญที่พบในกรณีของสมบัติทางแสงของฟิล์มในการพึ่งพามุมเอียง . การสะสมอุณหภูมิในแต่ละมุมเอียงเพียงเล็กน้อยมีอิทธิพลทั้งหมดตรวจสอบคุณสมบัติทางกายภาพ .