The discovery in 1953 that adsorpti

The discovery in 1953 that adsorption of a gas onto the surface of a metal oxide semiconductor produced a large change in its electrical resistance signalled the advent of mixed metal oxide semiconductor sensor (MMOS) technology. The effect is commercially exploited for only a few oxides due to the requirement for a unique combination of resistivity, magnitude of resistance change in gas (sensitivity) and humidity effects.
Amongst the oxides which are used as MMOS sensors are
ZnO2, TiO2, Cr2TiO3, WO3 and SnO2.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

การค้นพบในปี 1953 ที่ดูดซับก๊าซบนพื้นผิวของสารกึ่งตัวนำ oxide โลหะการผลิตการเปลี่ยนแปลงขนาดใหญ่ในการถือกำเนิดของเทคโนโลยีเซนเซอร์ (MMOS) สารกึ่งตัวนำโลหะออกไซด์ผสมวันที่ความต้านทานไฟฟ้า ในเชิงพาณิชย์มีการใช้ประโยชน์ผลสำหรับเฉพาะกี่ออกไซด์เนื่องจากความต้องการสำหรับการผสมต้าน ขนาดของความต้านทานการเปลี่ยนแปลงในผลความชื้นและก๊าซ (ไว) ในบรรดาออกไซด์ซึ่งใช้เป็น MMOS เซอร์ ZnO2, TiO2, Cr2TiO3, WO3 และ SnO2

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

การค้นพบในปี 1953 การดูดซับก๊าซลงบนพื้นผิวของสารกึ่งตัวนำโลหะออกไซด์ที่ผลิตมีการเปลี่ยนแปลงขนาดใหญ่ในความต้านทานไฟฟ้าของสัญญาณการถือกำเนิดของโลหะผสมเซ็นเซอร์ออกไซด์เซมิคอนดักเตอร์ (MMOs) เทคโนโลยี ผลที่ได้คือการใช้ประโยชน์ในเชิงพาณิชย์เพียงไม่กี่ออกไซด์เนื่องจากความต้องการสำหรับการผสมผสานเอกลักษณ์ของความต้านทานขนาดของการเปลี่ยนแปลงความต้านทานในก๊าซ (ไว) และผลกระทบที่มีความชื้น.
บรรดาออกไซด์ซึ่งจะใช้เป็นเซ็นเซอร์ MMOs มี
ZnO2, TiO2, Cr2TiO3, WO3 และ SnO2