UV-A (315-400 nm) range. The detect

UV-A (315-400 nm) range. The detector photoconductivity
increases almost significantly than at around 350 nm, as
presented in Fig. 9(a-d). These results have been previously
observed in an AlN MSM photodetector grown by MOCVD
on GaN substrate [37]. The data of Fig. 9(a and b) suggest that

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

UV-A (315-400 นาโนเมตร) ช่วง photoconductivity ตรวจจับ
การเพิ่มขึ้นอย่างมีนัยสำคัญเกือบกว่าที่ประมาณ 350 นาโนเมตรเป็น
การนำเสนอในรูป 9 (โฆษณา) ผลลัพธ์เหล่านี้เคยได้รับการ
ตั้งข้อสังเกตใน photodetector MSM ALN เติบโตขึ้นโดย MOCVD
บนพื้นผิวกาน [37] ข้อมูลของรูป 9 (ข) แสดงให้เห็นว่า

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

รังสียูวี เอ ( 315-400 nm ) ช่วง เครื่องตรวจจับ photoconductivity
เพิ่มเกือบอย่างมากกว่าที่ประมาณ 350 nm เป็น
นำเสนอในรูปที่ 9 ( AD ) ผลลัพธ์เหล่านี้ได้รับก่อนหน้านี้
สังเกตใน ALN MSM โฟโตดีเทกเตอร์โต โดย mocvd
บนพื้นผิวกาน [ 37 ] ข้อมูลในรูปที่ 9 ( A และ B )
แนะนำว่า