As a rule, any impurity will increa

As a rule, any impurity will increase the resistivity of a pure
metal. Bombardment of metallic targets in a reactive gas such as oxygen,
nitrogen or methane will generally increase resistivity. Tantalum nitride
is probably the prime illustration of the ability to tailor film properties.
By altering the deposition conditions, either resistor or capacitor films
may be routinely deposited. The effect of nitrogen on the and TCR of
tantalum films, shown in Figure 7.5 is widely known[7.2]. The resistivity
curve in Figure 7. 5 includes a plateau and levels out at about
with a TCR in order of -75 ppm/°C. The exact shape and displacement
of both TCR and resistivity will shift depending on a number of
deposition factors, such as substrate temperature, pumping speed, gas
ratios and internal sputtering configuration. Reactive sputtering has also
been used to deposit ruthenium dioxide resistors, which are usually
screened. Jia et. al.,[7.3] deposited resistive films with controlled
resistivity and TCR by varying deposition temperature and oxygen
partial pressure.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

เป็นกฎ มลทินใด ๆ จะเพิ่มความต้านทานของบริสุทธิ์โลหะ ระดมยิงเป้าหมายโลหะในก๊าซปฏิกิริยาเช่นออกซิเจนไนโตรเจนหรือมีเทนจะโดยทั่วไปเพิ่มความต้านทาน แทนทาลัม nitrideอาจเป็นภาพหลักของความสามารถในการปรับแต่งคุณสมบัติของฟิล์มโดยเปลี่ยนแปลงเงื่อนไขสะสม ฟิล์มตัวต้านทานหรือตัวเก็บประจุอาจจะเป็นประจำฝากไว้ ผลของไนโตรเจนในการ และ TCR ของแทนทาลัมฟิล์ม แสดงในรูปที่ 7.5 เป็นรู้จักกันอย่างกว้างขวาง [7.2] ความต้านทานที่เส้นโค้งในรูปที่ 7 5 ประกอบด้วยราบสูง และระดับออกที่เกี่ยวกับมี TCR ในใบสั่งของ - ppm 75 องศาเซลเซียส รูปร่างที่แน่นอนและปริมาณกระบอกสูบของ TCR และความต้านทานจะเปลี่ยนขึ้นอยู่กับจำนวนปัจจัยสะสม เช่นพื้นผิวอุณหภูมิ ความเร็ว แก๊สปั๊มน้ำกำหนดค่าพ่นภายในและอัตราส่วน พ่นปฏิกิริยามีใช้ฝากรูทีเนียมไดออกไซด์ resistors ซึ่งมักฉาย เจียและ ควบคุม [7.3] ฟิล์มหน้านำฝากด้วย al.ความต้านทานและ TCR ต่าง ๆ สะสมอุณหภูมิและออกซิเจนความดันบางส่วน

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

เป็นกฎที่ปนเปื้อนใด ๆ
ที่จะเพิ่มความต้านทานของบริสุทธิ์โลหะ
การโจมตีของเป้าหมายโลหะในก๊าซปฏิกิริยาเช่นออกซิเจนไนโตรเจนหรือก๊าซมีเทนโดยทั่วไปจะเพิ่มความต้านทาน
ไนไตรด์แทนทาลัมน่าจะเป็นภาพที่สำคัญของความสามารถในการปรับแต่งคุณสมบัติของฟิล์ม. โดยการเปลี่ยนแปลงเงื่อนไขของพยานทั้งภาพยนตร์ต้านทานตัวเก็บประจุหรืออาจนำมาฝากกันเป็นประจำ ผลของไนโตรเจนและ TCR ของภาพยนตร์แทนทาลัมแสดงในรูปที่7.5 เป็นที่รู้จักกันอย่างกว้างขวาง [7.2] ต้านทานโค้งในรูปที่ 7 5 รวมถึงที่ราบสูงและระดับออกที่เกี่ยวกับTCR ในคำสั่งของ -75 ppm / ° C รูปร่างที่แน่นอนและการเคลื่อนที่ของทั้งสอง TCR และความต้านทานจะเปลี่ยนขึ้นอยู่กับจำนวนของปัจจัยการสะสมเช่นอุณหภูมิพื้นผิวความเร็วสูบน้ำก๊าซอัตราส่วนและการกำหนดค่าสปัตเตอร์ภายใน สปัตเตอร์แอกทีฟยังได้ถูกนำมาใช้ในการฝากต้านทานก๊าซรูทีเนียมซึ่งมักจะมีการคัดเลือก เจี่ยและ al., [7.3] ฝากหนังทานที่มีการควบคุมความต้านทานและTCR จากอุณหภูมิที่แตกต่างกันการสะสมและออกซิเจนความดันบางส่วน