2. Hetero-junction thin film solar

2. Hetero-junction thin film solar cells
2.1. CdTe thin films
The research on CdTe thin film solar cell started since 1950's,
and the current research efforts are devoted for improving effi-
ciency of the CdTe thin film solar cells. Since CdTe has an optimal
band gap of 1.49 eV for single-junction devices, efficiencies above
20% should be achievable in the commercial CdTe solar cells [27].
For example, in August 2014, First Solar reported a device with
21.0% conversion efficiency [8]. The efficiency of the CdTe/CdS thin
film solar cells was reported to be 22% [28]. However, the stability
of efficiency could be a potential problem for the CdTe based solar
cells due to existence of defects in grain boundaries and intragrain
dislocations. It is presumed that the carriers recombine, and
reduce the average life time of minority carriers [29]. The photovoltaic
performance of the CdTe solar cells depends not only on
efficiency but also on many other factors such as open circuit
voltage Voc, fill factor (FF), choice of substrate, close circuit current
Jsc and area of deposition. The configuration of the solar cell also
influences the performance of the solar cell for example, the
superstrate solar cell has been applied in order to improve the
absorption capability of the solar cell [30]. The maximum effi-
ciency values of the laboratory and commercial scale, and the
associated solar cell parameters with respect to different preparation
methods are listed in Table 1 [30–44].
The values of Voc and FF for the optimized deposition and
fabrication technologies of the CdTe solar cells are around
1000 mV and 85% respectively. These optimized values of fill factor
(FF) and open circuit voltage (Voc) along with the short circuit
current density (Jsc)
27 mA cm2 can result in 2170.5% efficient
laboratory scale CdTe solar cell [8]. It is possible to increase Voc by
increasing the built-in voltage and maximizing the net acceptor
density in the absorber region of the CdTe thin film materials. It
was observed that a higher value of Voc can be obtained by
increasing the doping level (Cu dopant), but with the increase in
Voc the value of FF was reduced which affected the overall performance
of the solar cell [8]. The increase in the acceptor density
will decrease the width of the space charge region. Effect of
compensating acceptors was also observed due to the probability
of Cu involvement into the window layer [46]. These effects cause
the reduction in space charge width which increases the probability
of light absorbance in the undepleted region [47].
Kim et al. [48] studied the environmental issues of CdTe thin
film solar cell. Carbon emission from the CdTe device is 62.5%
lower than (a-Si) PV system and 83.5% lower than a single crystal
silicon photovoltaic panel [49]. For each gram of CO2 emission in
the energy production from the grid, 0.03 μg arsenic, 0.01 μg of
cadmium, 0.09 μg of chromium, 0.1 μg of lead (Pb) and 0.01 μg of
mercury (Hg) are emitted. Such emissions can be reduced by

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

2. ผ่อนแยกฟิล์มเซลล์แสงอาทิตย์2.1. CdTe ฟิล์มบางวิจัยเซลล์แสงอาทิตย์ฟิล์ม CdTe เริ่มต้นตั้งแต่ปี 1950และวิจัยปัจจุบันได้ทุ่มเทในการปรับปรุง effi-ไฟฟ้าของเซลล์แสงอาทิตย์ฟิล์มบางของ CdTe ตั้งแต่ CdTe มีการที่ดีที่สุดช่องว่างในวงของ 1.49 eV เดียวเชื่อมต่ออุปกรณ์ ประสิทธิภาพข้างต้น20% ควรจะทำได้ในเซลล์แสงอาทิตย์ CdTe พาณิชย์ [27]ตัวอย่างเช่น สิงหาคม 2014 อาทิตย์แรกรายงานอุปกรณ์21.0 ประสิทธิภาพการแปลง% [8] ประสิทธิภาพของ CdTe/บางเซลล์แสงอาทิตย์ฟิล์มรายงานเป็น 22% [28] อย่างไรก็ตาม ความมั่นคงประสิทธิภาพอาจจะเป็นปัญหาที่อาจเกิดขึ้นสำหรับ CdTe ที่ใช้พลังงานแสงอาทิตย์เซลล์เนื่องจากมีความบกพร่องในขอบเขตของเกรนและ intragraindislocations คาดว่าจะให้บริการการรวมเข้าด้วยกัน และลดเวลาเฉลี่ยชีวิตของชนกลุ่มน้อยสายการบิน [29] เซลล์แสงอาทิตย์ประสิทธิภาพของเซลล์แสงอาทิตย์ CdTe ขึ้นไม่เฉพาะบนอย่างมีประสิทธิภาพแต่ในปัจจัยอื่น ๆ เช่นวงจรเปิดแรงดันไฟฟ้า Voc เติมปัจจัย (FF), พื้นผิว เลือกปิดวงจรปัจจุบันJsc และของสะสม การกำหนดค่าของเซลล์แสงอาทิตย์ยังมีผลต่อประสิทธิภาพการทำงานของเซลล์แสงอาทิตย์เช่น การเซลล์แสงอาทิตย์ superstrate ได้ถูกใช้เพื่อปรับปรุงการความสามารถในการดูดซึมของเซลล์แสงอาทิตย์ [30] Effi-สูงสุดค่าไฟฟ้าของห้องปฏิบัติการและระดับเชิงพาณิชย์ และพารามิเตอร์เซลล์แสงอาทิตย์ที่เกี่ยวข้องเกี่ยวกับเตรียมที่แตกต่างกันวิธีระบุไว้ในตารางที่ 1 [30-44]ค่า Voc และ FF สำหรับเพิ่มประสิทธิภาพ และเทคโนโลยีการผลิตเซลล์แสงอาทิตย์ CdTe อยู่รอบ ๆmV 1000 และ 85% ตามลำดับ ค่าเหล่านี้เหมาะสมที่สุดของการเติมปัจจัย(FF) และแรงดันวงจร (Voc) พร้อมกับลัดวงจรเปิดสามารถทำความหนาแน่นของกระแส (Jsc) 27 mA ซม. 2 2170.5% มีประสิทธิภาพห้องปฏิบัติการขนาด CdTe อาทิตย์ [8] จำเป็นต้องเพิ่ม Voc โดยเพิ่มแรงดันไฟฟ้าในตัวและเพิ่มให้เป็นผู้รับสุทธิความหนาแน่นในภูมิภาคตัวดูดซับของวัสดุฟิล์ม CdTe มันถูกตรวจสอบว่า ค่าที่สูงกว่าของ Voc สามารถได้รับโดยเพิ่มระดับยาสลบ (Cu dopant), แต่ มีการเพิ่มขึ้นของVoc ที่ค่าของ FF ไม่ลดลงซึ่งผลกระทบประสิทธิภาพการทำงานโดยรวมของเซลล์แสงอาทิตย์ [8] การเพิ่มขึ้นของความหนาแน่นให้เป็นผู้รับจะลดความกว้างของเขตพื้นที่ค่าธรรมเนียม ผลของการยังถูกย่อยชดเชย acceptors เนื่องจากความน่าเป็นของ Cu มีส่วนร่วมในชั้นหน้าต่าง [46] ทำให้เกิดผลเหล่านี้การลดค่าธรรมเนียมพื้นที่กว้างซึ่งน่าเป็นของแสง absorbance ในภูมิภาค undepleted [47]Kim et al. [48] ศึกษาปัญหาสิ่งแวดล้อมของ CdTe บางเซลล์แสงอาทิตย์ฟิล์ม ปล่อยก๊าซคาร์บอนจากอุปกรณ์ CdTe คือ 62.5%ต่ำกว่า (มี Si) ระบบ PV และ 83.5% ต่ำกว่าแบบผลึกเดี่ยวซิลิโคนแผงพลังงานแสงอาทิตย์ [49] สำหรับแต่ละกรัมของ CO2 ปล่อยในการผลิตพลังงานจากกริด 0.03 ไมโครกรัมสารหนู 0.01 ไมโครกรัมของแคดเมียม 0.09 ไมโครกรัมของโครเมียม 0.1 ไมโครกรัมของตะกั่ว (Pb) และ 0.01 ไมโครกรัมของปรอท (Hg) ปล่อยออกมา สามารถลดการปล่อยก๊าซดังกล่าว