5.3. Effect of the ALD operating te

5.3. Effect of the ALD operating temperature
Theoretically, the operating temperature in ALD reactor has sig- nificant influence on the chemical reactions between precursor gases and substrate surface. To investigate its effect on the film growth, Fig. 6 illustrates the obtained experimental data of Al2O3 film thickness after 60 cycles’ operation, where three operating temperatures, 150C, 200C and 250C, are applied respectively. By using the spectroscopic ellipsometers (HORIBAUVISEL), the film thickness on both two edges of the silicon wafer surface (point A and point B) is measured under different purging conditions observation that the increase of purging time has increased the film thickness, since that the purging time only affects the comple- tion of surface reactions. When the operating temperature is fur- ther increased from 200C to 250C, Fig. 6 shows that the film thickness is decreased, and this decreasing trend would be enhanced (both A and B) if the purging time is decreased from 20s to 8s. Travis et al. [13] attributed this phenomenon to that the temperature increasing has made desorption process more favorableto the adsorptionprocess,and thusdecreased the surface species formation. However, the temperature rising actually has intensified not only the surface desorption rate butalso the surface backward reactions of film formation in the experiment. Besides, because the temperature rise inevitably leads to the expansion of gas species in reactor chamber, the changes on partial pressure of precursors above the substrate surface would also contribute to this decreasing on film formation.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

5.3. ผลของ ALD อุณหภูมิตามหลักวิชา อุณหภูมิการทำงานในเครื่องปฏิกรณ์ ALD มี sig nificant influence ในปฏิกิริยาเคมีระหว่างก๊าซสารตั้งต้นและพื้นผิวของพื้นผิว การตรวจสอบผลของการเจริญเติบโต film, Fig. 6 แสดงความหนา film Al2O3 ข้อมูลทดลองได้รับหลังจากการดำเนินงาน 60 รอบ ที่สามปฏิบัติอุณหภูมิ 150C, C ที่ 200 และ 250C ใช้ตามลำดับ โดยใช้ ellipsometers ด้าน (HORIBAUVISEL), มีวัดความหนา film บนขอบทั้งสองของผิวแผ่นเวเฟอร์ซิลิกอน (จุด A และจุด B) ภายใต้อื่นล้างเงื่อนไขการสังเกตที่ล้างเวลาเพิ่มขึ้นความหนา film ตั้งแต่ ที่เวลา purging comple-สเตรชันของปฏิกิริยาผิวมีผลต่อเท่านั้น เมื่ออุณหภูมิทำงาน เพิ่มขึ้นจาก 200C 250C เธอ ขน Fig. 6 แสดงว่า ความหนา film จะลดลง และจะเพิ่มแนวโน้มที่ลดลงนี้ (ทั้ง A และ B) ถ้าเวลา purging จะลดลงจากวัย 20 กับ 8s ทราวิส et al. [13] เกิดจากปรากฏการณ์นี้เพื่อให้อุณหภูมิเพิ่มขึ้นได้ทำ desorption ประมวลผลเพิ่มเติม favorableto adsorptionprocess และ thusdecreased ก่อชนิดผิว อย่างไรก็ตาม อเรที่จริงได้ intensified ไม่เพียงแต่ผิว desorption อัตรา butalso ปฏิกิริยาย้อนหลังผิวของผู้แต่ง film ในการทดลอง นอกจาก เนื่องจากอุณหภูมิที่เพิ่มขึ้นย่อมนำไปสู่การขยายพันธุ์ก๊าซในห้องเครื่องปฏิกรณ์ การเปลี่ยนแปลงในความดันบางส่วนของ precursors เหนือพื้นผิวพื้นผิวจะร่วมนี้ลดลงในผู้แต่ง film

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

5.3 ผลกระทบของอุณหภูมิ ALD
ทฤษฎีอุณหภูมิในเตาปฏิกรณ์ ALD มีลายมือชื่อพรรณี Fi ลาดเทในอิทธิพลในปฏิกิริยาเคมีระหว่างก๊าซสารตั้งต้นและพื้นผิว เพื่อตรวจสอบผลกระทบต่อการเจริญเติบโตของ LM Fi, รูป 6 แสดงให้เห็นถึงผลการทดลองที่ได้รับความหนาของ Al2O3 Fi LM หลังจากการดำเนินการ 60 รอบ 'ที่สามอุณหภูมิปฏิบัติการ 150C 200C และ 250C, ถูกนำมาใช้ตามลำดับ โดยใช้ ellipsometers สเปกโทรสโก (HORIBAUVISEL) ความหนา Fi LM ทั้งสองขอบของพื้นผิวซิลิกอนเวเฟอร์ (จุด A และจุด B) เป็นวัดภายใต้การสังเกตสภาพการกวาดล้างที่แตกต่างกันว่าการเพิ่มขึ้นของเวลาการถ่ายได้เพิ่มขึ้นความหนา Fi LM ตั้งแต่ที่ เวลาถ่ายจะมีผลต่อการ comple- ของปฏิกิริยาพื้นผิว เมื่ออุณหภูมิปฏิบัติการบิดา fur- เพิ่มขึ้นจาก 200C ถึง 250C, รูป 6 แสดงให้เห็นว่ามีความหนา Fi LM จะลดลงและแนวโน้มที่ลดลงนี้จะได้รับการเพิ่มขึ้น (ทั้ง A และ B) ถ้ามีเวลากวาดล้างจะลดลงจากยุค 20 ที่จะ 8s เทรวิสและคณะ [13] ประกอบกับปรากฏการณ์นี้ว่าอุณหภูมิที่เพิ่มขึ้นได้ทำให้กระบวนการดูดซับมากขึ้น favorableto adsorptionprocess และ thusdecreased การสร้างสายพันธุ์พื้นผิว แต่อุณหภูมิที่เพิ่มขึ้นจริงมี Intensi Fi เอ็ดไม่เพียง แต่อัตราการคายพื้นผิวพื้นผิว butalso ปฏิกิริยาย้อนกลับของการก่อ LM Fi ในการทดลอง นอกจากนี้เนื่องจากอุณหภูมิที่เพิ่มขึ้นอย่างหลีกเลี่ยงไม่นำไปสู่การขยายตัวของสายพันธุ์ก๊าซในห้องปฏิกรณ์การเปลี่ยนแปลงความดันบางส่วนของสารตั้งต้นที่สูงกว่าพื้นผิวก็จะนำไปสู่การลดลงนี้ในรูปแบบ LM Fi

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

5.3 . ผลของอุณหภูมิ ald
ทฤษฎีอุณหภูมิในปฏิกรณ์ ald มี Sig - ฉันจึงไม่สามารถในfl uence ในปฏิกิริยาทางเคมีระหว่างสารตั้งต้น และก๊าซพื้นผิวพื้นผิว เพื่อศึกษาผลกระทบต่อจึง LM การเจริญเติบโต ภาพที่ 6 แสดงให้เห็นถึงข้อมูลการทดลองของ Al2O3 จึง LM หนาหลังจาก 60 รอบ ' ปฏิบัติการที่อุณหภูมิ 150C , สาม ,และใช้ 250c 200 , ตามลำดับ โดยการใช้ ellipsometers สเปกโทรสโกปี ( horibauvisel ) , ความหนาผมจึงทั้งสองขอบของพื้นผิวเวเฟอร์ซิลิคอน ( จุด A และจุด B ) เป็นวัดที่อยู่ภายใต้เงื่อนไขที่แตกต่างกันในการตรวจสอบ เพิ่มเวลาการเพิ่มขึ้นจึง LM ความหนา ตั้งแต่ว่า การกวาดล้างครั้งเท่านั้นต่อความกดดัน , ปฏิกิริยาของพื้นผิวเมื่ออุณหภูมิสูง เป็นขนสัตว์มีเพิ่มขึ้นจาก 200 ไป 250c , ฟิค 6 แสดงว่า LM หนาจึงลดลง และแนวโน้มลดลงจะเพิ่มขึ้น ( ทั้ง A และ B ) ถ้าการเวลาจะลดลงจาก 20 ถึง 8s ทราวิส et al . [ 13 ] เกิดจากปรากฏการณ์นี้ว่า การเพิ่มอุณหภูมิ ทำให้กระบวนการดูดซับมากกว่าที่ adsorptionprocess favorableto ,thusdecreased พื้นผิวและชนิดข้อมูล อย่างไรก็ตาม อุณหภูมิที่เพิ่มขึ้นจริงได้จึงไม่ใช่แค่ผิวหน้า intensi เอ็ดคืนเท่ากันโดยผิวย้อนกลับปฏิกิริยาของ LM จึงก่อตัวในการทดลอง นอกจากนี้ เนื่องจากอุณหภูมิที่เพิ่มขึ้น ย่อมนำไปสู่การขยายตัวของชนิดก๊าซในห้องเครื่องปฏิกรณ์การเปลี่ยนแปลงในความดันบางส่วนของการอยู่เหนือพื้นผิวพื้นผิวจะนำไปสู่การลดลงในรูปแบบนี้จึง
อิม .