• Physical challenges: These are du

• Physical challenges: These are due to the increment of tunneling and leakage currents as the devices are
becoming smaller, thus impacts the performance and functionality of CMOS devices.
• Material challenges: These basically come from the inability of the dielectric and wiring materials to provide
reliable insulation and conduction, respectively with continued scaling.
• Power-thermal challenges: These are because of the ever increasing number of transistors integrated per unit-area,
which demands larger power consumption and higher thermal dissipation.
• Technological challenges: These are the results from the incompetency of lithography-based techniques to provide
the resolution below the wavelength of the light to
manufacture to CMOS devices.
• Economical challenges: These are mainly due to the rising in cost of production, fab, and testing that may
reach a point where it will be not affordable from economic point of view.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

•ความจริง: นี่คือเนื่องจากการเพิ่มขึ้นของกระแสรั่วไหลและการทันเนลเป็นอุปกรณ์
กลายเป็นมีขนาดเล็กลง ส่งผลกระทบต่อประสิทธิภาพการทำงานของอุปกรณ์ CMOS ดัง
•วัสดุท้าทาย: เหล่านี้โดยทั่วไปมาจากไม่ dielectric และสายวัสดุให้
ฉนวนที่เชื่อถือได้และนำ ตามลำดับ โดยมีมาตราส่วนอย่างต่อเนื่อง
•พลังงานความร้อนความท้าทาย: เหล่านี้มีจำนวนรวมต่อหน่วยพื้นที่ transistors เคยเพิ่มขึ้น
ซึ่งต้องใช้พลังงานขนาดใหญ่และสูงขึ้นความร้อนกระจาย
•เทคโนโลยีความท้าทาย: เหล่านี้เป็นผลลัพธ์จากการ incompetency ของเทคนิคภาพพิมพ์หินโดยให้
ความละเอียดต่ำความยาวคลื่นของแสงที่จะ
ผลิตอุปกรณ์ CMOS
•ความประหยัด: เหล่านี้เป็นส่วนใหญ่เนื่องจากไรซิ่งในต้นทุนการผลิต fab และการทดสอบที่อาจ
ถึงจุดที่มันจะไม่ราคาไม่แพงจากมุมมองทางเศรษฐกิจ

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

•ความท้าทายทางกายภาพ: เหล่านี้เป็นผลมาจากการเพิ่มขึ้นของการขุดอุโมงค์และการรั่วไหลของกระแสเป็นอุปกรณ์ที่มี
ขนาดที่เล็กลงจึงส่งผลกระทบต่อผลการดำเนินงานและการทำงานของอุปกรณ์ CMOS
•ความท้าทายวัสดุเหล่านี้โดยทั่วไปมาจากการไร้ความสามารถของวัสดุที่เป็นฉนวนและการเดินสายไฟที่จะให้
ฉนวนกันความร้อนที่เชื่อถือได้และการนำตามลำดับที่มีการปรับอย่างต่อเนื่อง
•ความท้าทายพลังงานความร้อนเหล่านี้เป็นเพราะจำนวนที่เพิ่มขึ้นของทรานซิสเตอร์แบบบูรณาการต่อหน่วยพื้นที่
ที่มีความต้องการใช้พลังงานที่มีขนาดใหญ่และความร้อนที่สูงขึ้นการกระจาย
•ความท้าทายทางเทคโนโลยีเหล่านี้เป็นผล จาก incompetency ของเทคนิคการพิมพ์ที่ใช้เพื่อให้มี
ความละเอียดต่ำกว่าความยาวคลื่นของแสงที่
ผลิตไปยังอุปกรณ์ CMOS
•ความท้าทายประหยัด: เหล่านี้ส่วนใหญ่เกิดจากการเพิ่มขึ้นของต้นทุนการผลิต Fab และการทดสอบที่อาจจะ
ถึงจุดที่ มันจะไม่ได้ราคาไม่แพงจากจุดทางเศรษฐกิจในมุมมองของ

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

- ความท้าทายทางกายภาพเหล่านี้เนื่องจากปริมาณการก่อสร้างอุโมงค์และการรั่วไหลของกระแสไฟฟ้าเป็นอุปกรณ์
ตัวเล็ก ดังนั้นผลกระทบต่อสมรรถนะและการทำงานของอุปกรณ์ CMOS .
- วัสดุความท้าทาย : เหล่านี้จะมาจากการไร้ความสามารถของวัสดุไดอิเล็กทริกและเดินสายให้
ฉนวนกันความร้อนที่เชื่อถือได้และการปรับอย่างต่อเนื่องตามลำดับด้วย
.- พลังงานความร้อนความท้าทายเหล่านี้เป็นเพราะหมายเลขที่เคยเพิ่มขึ้นของทรานซิสเตอร์แบบบูรณาการต่อพื้นที่หน่วย ซึ่งความต้องการพลังงาน
ขนาดใหญ่และสูงกว่าการกระจายความร้อน .
- เทคโนโลยีความท้าทายเหล่านี้เป็นผลจากการไม่มีความสามารถของหินพื้นฐานเทคนิคให้
ละเอียดด้านล่างความยาวคลื่นของแสง
ผลิต CMOS อุปกรณ์ .
- ประหยัด ความท้าทายเหล่านี้เป็นหลักเนื่องจากการเพิ่มขึ้นในค่าใช้จ่ายของการผลิต fab และการทดสอบที่อาจ
ถึงจุดที่มันจะไม่ได้มากจากมุมมองทางเศรษฐกิจ .