SS8550 2W Output Amplifier of Porta

SS8550 2W Output Amplifier of Portable Radios in Class B Push-pull Operation. � Complimentary to SS8050 � Collector Current: IC=1.5A � Collector Power Dissipation: PC=2W (TC=25�C) TO-92 1 1. Emitter 2. Base 3. Collector PNP Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings Ta=25�C unless otherwise noted Symbol Parameter Ratings Units VCBO Collector-Base Voltage -40 V VCEO Collector-Emitter Voltage -25 V VEBO Emitter-Base Voltage -6 V IC Collector Current -1.5 A PC Collector Power Dissipation 1 W TJ Junction Temperature 150 �C TSTG Storage Temperature -65 ~ 150 �C Electrical Characteristics Ta=25�C unless otherwise noted Symbol Parameter Test Condition Min. Typ. Max. Units BVCBO Collector-Base Breakdown Voltage IC= -100�A, IE=0 -40 V BVCEO Collector-Emitter Breakdown Voltage IC= -2mA, IB=0 -25 V BVEBO Emitter-Base Breakdown Voltage IE= -100�A, IC=0 -6 V ICBO Collector Cut-off Current VCB= -35V, IE=0 -100 nA IEBO Emitter Cut-off Current VEB= -6V, IC=0 -100

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ss8550 ขยายเอาท์ 2w จากวิทยุแบบพกพาใน Class B การดำเนินงาน Push-Pull ฟรีที่ ss8050 สะสมปัจจุบัน: IC = 1.5A กระจายพลังงานสะสม: PC = 2w (TC = 25c) เพื่อ-92 1 1 2 อีซีแอล 3 ฐานสะสมซิลิคอนทรานซิสเตอร์ PNP epitaxial คะแนนสูงสุดสัมบูรณ์ ta = 25c ถ้าไม่สังเกตเห็นสัญลักษณ์พารามิเตอร์หน่วย vcbo คะแนนสะสมฐานแรงดัน -40 V Vceo สะสมอีซีแอลแรงดัน -25 วีอีซีแอลบรรจุฐานแรงดัน -6 V IC สะสมปัจจุบัน -15 คอมพิวเตอร์สะสมพลังงานกระจาย 1 W T​​J อุณหภูมิ 150 C แยก tstg อุณหภูมิการเก็บรักษา -65 ~ 150 C ลักษณะไฟฟ้า ta = 25c สัญลักษณ์พารามิเตอร์ถ้าไม่สังเกตเห็นการทดสอบสภาพนาที ทั่วไป สูงสุด หน่วย bvcbo สะสมฐานสลายแรงดันไฟฟ้า IC =-100a คือ = 0 -40 V bvceo สลายแรงดันไฟฟ้าสะสมอีซีแอล IC-=-2mA, IB = 0 -25 V bvebo สลายแรงดันไฟฟ้าอีซีแอลฐาน-ie =-100a,IC = 0 -6 สะสมวี icbo การตัดกระแสไฟ VCB =-35V เช่น 0 = -100 อีซีแอล na iebo ตัด VEB ปัจจุบัน =-6V, IC = 0 -100

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

เพาเวอร์แอมป์ออก 2W SS8550 ของวิทยุแบบพกพาในการดำเนินงานผลักดันดึงคลาส B เสีย SS8050 เก็บปัจจุบัน: IC = 1.5A รวบรวมอำนาจกระจาย: PC = 2W (TC = 25 C) 1 ถึง 92 1 ตัวส่ง 2 ฐาน 3 เก็บ PNP Epitaxial ซิลิคอนทรานซิสเตอร์สัมบูรณ์สูงสุดอันดับ Ta = 25 C แปลงสัญลักษณ์พารามิเตอร์จัดอันดับหน่วย VCBO ฐานรวบรวมแรงดัน -40 V VCEO เก็บตัวส่งแรงดันไฟฟ้า -25 แรงดันตัวส่งฐาน VEBO V-6 V IC เก็บปัจจุบัน -15 PC รวบรวมอำนาจกระจาย 1 W TJ ชุมทางอุณหภูมิ 150 C TSTG เก็บไข้-65 ~ C 150 ตาลักษณะไฟฟ้า = 25 C แปลงสัญลักษณ์พารามิเตอร์ทดสอบเงื่อนไขต่ำสุด Typ. สูงสุด แรงดันไฟฟ้าแบ่งฐานรวบรวม BVCBO หน่วย IC =-100 A, IE = 0 -40 V BVCEO ตัวส่งรวบรวมแบ่งแรงดัน IC = - 2mA, IB = 0 -25 V BVEBO แบ่งฐานตัวส่งแรงดันไฟฟ้า IE =-100 A IC = 0-6 V ICBO รวบรวมตัด VCB ปัจจุบัน = - 35V, IE = 0 -100 นา VEB ปัจจุบันตัดตัวส่ง IEBO = - 6V, IC = 0 -100

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

SS แอมพลิฟา ยเออร์ 8550 2 W เอาต์พุตของวิทยุแบบพกพาในระดับ First Class B push - ดึงการทำงาน อภิ นันทนาการสำหรับ SS 8050 ที่รองปัจจุบัน: ic = 1.5 A ที่รองการใช้พลังงาน:เครื่องพีซี= 2 W ( TC = 25 C )เพื่อ - 9211 . Consumer 2 . ฐาน 3 .โถรอง PnP Cap epitaxial ซิลิโคนทรานซิสเตอร์สูงสุดไม่ว่าในกรณีใดๆการจัดอันดับตา= 25 C เว้นแต่ระบุไว้เป็นอย่างอื่นสัญลักษณ์พารามิเตอร์การจัดอันดับหน่วย vcbo collector-base แรงดันไฟฟ้า 40 V vceo collector-emitter แรงดันไฟฟ้า - 25 V vebo emitter-base แรงดันไฟฟ้า 6 V IC ที่รองปัจจุบัน - 1 .5 พีซีที่รองการใช้พลังงาน 1 W TJ ' s Dining Room ทางแยก อุณหภูมิ 150 C tstg อุณหภูมิ ในการเก็บรักษา -65 ~ 150 C ไฟฟ้าลักษณะตา= 25 C เว้นแต่ระบุไว้เป็นอย่างอื่นสัญลักษณ์พารามิเตอร์การทดสอบ สภาพ นาที. ทั่วไป สูงสุด( MAX ). ชุด bvcbo collector-base แบ่งระดับแรงดันไฟฟ้า IC = 100 A IE = 0 - 40 V bvceo collector-emitter แบ่งระดับแรงดันไฟฟ้า IC = - 2 MA วาณิชธนกิจ= 0 - 25 V bvebo emitter-base แบ่งระดับแรงดันไฟฟ้า IE = 100 AIC = 0 - 6 V icbo โถรองตัด - ปิดปัจจุบัน vcb = -35 V IE = 0 -100 นา iebo Consumer ตัด - ปิดปัจจุบัน VEB = 6 V IC = 0 -100