Table 12.1 Various deposition proce

Table 12.1 Various deposition processes used for depositing amorphous silicon-based materials

Processes

Maximum ratea [A/s]

Advantages

Disadvantages

Manufacturers

Reference

RF PECVD

3

High quality, uniform

Slow

Many

[77-79]

DC PECVD

3

High quality, uniform

Slow

BP Solar

[66, 67]

VHF PECVD

20

High quality, fast especially for nc-Si

Poor uniformity

Oerlikon Solar, Sharp

[68, 94]

Microwave

PECVD

100

Very fast

Film quality not as good

Canon

[70]

Hot-wire

50

Very fast

Poor uniformity

None

[71, 72]

Photo-CVD

1

High quality

Slow

None

[73, 74]

Sputtering

3

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ตารางที่ 12.1 กระบวนการสะสมต่าง ๆ ใช้วัสดุซิลิโคนไปฝากกระบวนการสูงสุด ratea [a / s]ข้อดีข้อเสียผู้ผลิตอ้างอิงRF PECVD3คุณภาพสูง เหมือนกันช้าหลาย[77-79]DC PECVD3คุณภาพสูง เหมือนกันช้าBP พลังงานแสงอาทิตย์[66, 67]VHF PECVD20คุณภาพสูง อย่างรวดเร็วโดยเฉพาะอย่างยิ่งสำหรับ nc-ซีความสม่ำเสมอดีOerlikon อาทิตย์ คม[68, 94]ไมโครเวฟPECVD100อย่างรวดเร็วภาพยนตร์คุณภาพที่ไม่ดีแคนนอน[70]Hot-wire50อย่างรวดเร็วความสม่ำเสมอดีไม่มี[71, 72]ภาพถ่าย-CVD1คุณภาพสูงช้าไม่มี[73, 74]สปัตเตอร์3

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ตารางที่ 12.1 กระบวนการทับถมต่างๆที่ใช้ในการฝากวัสดุซิลิคอนอสัณฐานกระบวนการratea สูงสุด [A / S] ข้อดีข้อเสียผู้ผลิตอ้างอิงRF PECVD 3 คุณภาพสูงสม่ำเสมอช้าหลาย[77-79] ซี PECVD 3 คุณภาพสูงสม่ำเสมอช้าBP แสงอาทิตย์[ 66, 67] VHF PECVD 20 ที่มีคุณภาพสูงได้อย่างรวดเร็วโดยเฉพาะอย่างยิ่งสำหรับ NC-Si แย่สม่ำเสมอOerlikon Solar, ชาร์ป[68, 94] ไมโครเวฟPECVD 100 อย่างรวดเร็วมีคุณภาพฟิล์มไม่ดีของแคนนอน[70] ร้อนสาย50 รวดเร็วมากแย่สม่ำเสมอไม่มี[71, 72] ภาพถ่าย CVD 1 ที่มีคุณภาพสูงช้าไม่มี[73, 74] สปัตเตอร์3