and showed a considerable increase

and showed a considerable increase in Z. Later, Lin-Chung
et al. [11] and Broido et al. [12] included the effects of
thermal transport in the finite barrier layers and carrier
tunneling between layers in the above model to get a
modified Z. Encouraged by these findings, various new
materials, having layered structure, have been investigated
in the last few years, which include NaCo2O4 [13],
(ZnO)mIn2O3 [14], CuAlO2 single crystal [15], etc.
Materials of delafossite structure MIMIIIO2 (where
MI=Cu, Ag, Pt, Pd; MIII=Al, Ga, In, Cr, Fe, Co, etc.)
possess natural layered structure [16–18]. Hence, they can
become promising thermoelectric materials according to
Hicks model. Polycrystalline CuAlO2 thin film is a p-type
transparent conducting oxide, which has tremendous potential
to be used in optoelectronic device technology [19–21].
In our previous works [22,23], we have reported the
synthesis and structural as well as electro-optical characteristics
of p-CuAlO2 thin film prepared by dc-sputtering
technique. In this communication, we have reported the
thermoelectric properties as well as electrical characteristics
of this technologically important material. Previously,
Koumoto et al. [15] studied the thermoelectric properties
of CuAlO2 single crystal and suggested that it may become
a good thermoelectric material. From literature survey, it
appears that no detail study on the thermoelectric properties
of CuAlO2 thin film has been reported so far. In this study,
we have prepared the films by dc-sputtering method. During
the synthesis process, the postdeposition annealing time (ta)
of the films in O2 atmosphere was taken as a varying
parameter, to observe any variation in the thermoelectric and
electrical properties in the films and tried to explain the
electrical transport mechanism therefrom. This study may
help to produce tailored material having improved thermoelectric
and electrical characteristics for better device
application.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

และแสดงให้เห็นการเพิ่มขึ้นมากใน Z ภายหลัง หลินชุal. ร้อยเอ็ด [11] และ Broido et al. [12] รวมผลของขนส่งความร้อนในชั้นกั้นจำกัดและบริษัทขนส่งทันเนลระหว่างชั้นในแบบจำลองข้างต้นจะได้รับการEncouraged z.แก้ไข โดยการค้นพบเหล่านี้ ต่าง ๆ ใหม่มีการตรวจสอบวัสดุ มีชั้นโครงสร้างในไม่กี่ปี มี NaCo2O4 [13],MIn2O3 (ZnO) [14], CuAlO2 เดียวคริสตัล [15] เป็นต้นMIMIIIO2 โครงสร้างวัสดุของ delafossite (ซึ่งMI = Cu, Ag, Pt, Pd MIII =อัล Ga ใน Cr, Fe, Co ฯลฯ .)มีโครงสร้างแบบธรรมชาติ [16-18] ดังนั้น พวกเขาสามารถเป็น วัสดุแบบเทอร์โมอิเล็กทริกส์สัญญาตามแบบจำลอง hicks ค CuAlO2 ฟิล์มบางคือ p-โปร่งใสทำออกไซด์ ซึ่งมีศักยภาพมหาศาลที่จะใช้ในเทคโนโลยีอุปกรณ์ optoelectronic [19-21]ในผลงานก่อนหน้านี้ของเรา [22,23], เราได้รายงานตัวการสังเคราะห์และลักษณะโครงสร้าง เป็นออปติคอ ลจี้p CuAlO2 ฟิล์มบางโดยพ่น dcเทคนิคการ ในการสื่อสารนี้ เราได้รายงานตัวคุณสมบัติแบบเทอร์โมอิเล็กทริกส์เป็นลักษณะไฟฟ้าวัสดุที่สำคัญเทคโนโลยีนี้ ก่อนหน้านี้Koumoto et al. [15] ศึกษาคุณสมบัติแบบเทอร์โมอิเล็กทริกส์ของเดียว CuAlO2 น้ำ และแนะนำที่อาจแบบเทอร์โมอิเล็กทริกส์วัสดุดี จากการสำรวจวรรณกรรม มันปรากฏว่าไม่มีการศึกษารายละเอียดคุณสมบัติแบบเทอร์โมอิเล็กทริกส์ของ CuAlO2 ฟิล์มบางมีการรายงานจน ในการศึกษานี้เราได้เตรียมภาพยนตร์ โดยวิธีสปัตเตอร์ dc ในระหว่างการกระบวนการสังเคราะห์ postdeposition หลอมเวลา (ตา)ภาพยนตร์ใน O2 บรรยากาศถูกนำมาเป็นความแตกต่างกันไปพารามิเตอร์ การปฏิบัติอื่น ๆ ในแบบเทอร์โมอิเล็กทริกส์ และคุณสมบัติทางไฟฟ้าในภาพยนตร์ และพยายามที่จะอธิบายการไฟฟ้าขนส่งระบบ therefrom การศึกษานี้อาจช่วยในการผลิตวัสดุเฉพาะที่มีการปรับปรุงแบบเทอร์โมอิเล็กทริกส์และลักษณะไฟฟ้าสำหรับอุปกรณ์ดีกว่าแอพลิเคชัน

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

และแสดงให้เห็นการเพิ่มขึ้นอย่างมากในซีต่อมาหลิน Chung
และคณะ [11] และ Broido และคณะ [12] รวมถึงผลกระทบของ
การขนส่งความร้อนในชั้นอุปสรรค จำกัด และผู้ให้บริการ
ขุดเจาะอุโมงค์ระหว่างชั้นในรูปแบบดังกล่าวข้างต้นจะได้รับ
การแก้ไข Z. รับการสนับสนุนจากการค้นพบเหล่านี้ใหม่ ๆ
วัสดุที่มีโครงสร้างชั้นได้รับการตรวจสอบ
ในช่วงไม่กี่ปีที่ผ่านมา ซึ่งรวมถึง NaCo2O4 [13]
(ZnO) mIn2O3 [14], CuAlO2 ผลึกเดี่ยว [15] ฯลฯ
วัสดุของโครงสร้าง delafossite MIMIIIO2 (ซึ่ง
MI = Cu, Ag, Pt, Pd; MIII = อัล Ga, ใน, Cr, Fe, Co, ฯลฯ )
มีโครงสร้างชั้นธรรมชาติ [16-18] ดังนั้นพวกเขาสามารถ
กลายเป็นวัสดุเทอร์โมที่มีแนวโน้มเป็นไปตาม
รูปแบบที่ฮิกส์ Polycrystalline CuAlO2 ฟิล์มบางเป็นชนิดพี
ดำเนินออกไซด์โปร่งใสซึ่งมีศักยภาพ
ที่จะนำมาใช้ในด้านเทคโนโลยีอุปกรณ์ optoelectronic [19-21].
ในผลงานของเราก่อนหน้า [22,23] เราได้รายงาน
การสังเคราะห์และโครงสร้างเช่นเดียวกับ ลักษณะไฟฟ้าแสง
ของ P-CuAlO2 ฟิล์มบางที่จัดทำโดย DC-สปัตเตอร์
เทคนิค ในการสื่อสารนี้เราได้รายงาน
คุณสมบัติเทอร์โมเช่นเดียวกับคุณสมบัติทางไฟฟ้า
ของวัสดุที่สำคัญเทคโนโลยีนี้ ก่อนหน้านี้
Koumoto และคณะ [15] การศึกษาคุณสมบัติของเทอร์โม
ของผลึก CuAlO2 เดียวและบอกว่ามันอาจจะกลายเป็น
วัสดุเทอร์โมที่ดี จากการสำรวจวรรณกรรมก็
ปรากฏว่าไม่มีการศึกษารายละเอียดเกี่ยวกับคุณสมบัติของเทอร์โม
ของ CuAlO2 ฟิล์มบางได้รับการรายงานเพื่อให้ห่างไกล ในการศึกษานี้
เราได้เตรียมภาพยนตร์โดยวิธีการแบบ DC-สปัตเตอร์ ในระหว่าง
กระบวนการสังเคราะห์, เวลาหลอม postdeposition (TA)
ของภาพยนตร์ในบรรยากาศที่ O2 ถูกนำมาเป็นที่แตกต่างกัน
พารามิเตอร์ที่จะสังเกตเห็นการเปลี่ยนแปลงใด ๆ ในเทอร์โมและ
คุณสมบัติทางไฟฟ้าในภาพยนตร์และพยายามที่จะอธิบาย
กลไกการขนส่งไฟฟ้านั้น การศึกษาครั้งนี้อาจ
ช่วยในการผลิตวัสดุที่เหมาะมีการปรับปรุงให้ดีขึ้นเทอร์โม
ลักษณะและไฟฟ้าสำหรับอุปกรณ์ที่ดีกว่า
การประยุกต์ใช้

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

และมีการเพิ่มขึ้นเป็นอย่างมากในซี ต่อมาหลินชุง
et al . [ 11 ] และ บร โด et al . [ 12 ] รวมผลของ
การขนส่งความร้อนในชั้นขอบเขตกั้นพาหะ
อุโมงค์ระหว่างชั้นในรูปแบบข้างต้นได้รับการสนับสนุนโดยการค้นพบนี้ Z

ต่าง ๆวัสดุใหม่ มีชั้นโครงสร้าง ได้รับการสอบสวน
ในไม่กี่ปี ซึ่งรวมถึง naco2o4
[ 13 ]( ไฟฟ้า ) min2o3 [ 14 ] , [ 15 ] cualo2 ผลึกเดี่ยว ฯลฯ วัสดุโครงสร้าง delafossite mimiiio2
(
มิ = Cu Ag , Pt , PD ; miii = ล , GA , CR , Fe , Co , ฯลฯ )
มีธรรมชาติชั้นโครงสร้าง [ 16 – 18 ] ดังนั้น พวกเขาสามารถเป็นวัสดุเทอร์โม ตามสัญญา

ฮิคส์แบบ ฟิล์มบางเป็น cualo2 polycrystalline โปร่งใสการพี

ออกไซด์ซึ่งมีศักยภาพมหาศาลต้องใช้อุปกรณ์เทคโนโลยี Optoelectronic [ 19 – 21 ] .
ในก่อนหน้านี้ของเราทำงาน [ 22,23 ] เราได้รายงาน
การสังเคราะห์และโครงสร้าง ตลอดจนลักษณะของฟิล์มบาง electro-optical
p-cualo2 เตรียมโดยเทคนิคดีซีสปัตเตอริง

ในการสื่อสารนี้เราได้รายงาน
คุณสมบัติของเทอร์โม ตลอดจนลักษณะไฟฟ้า
วัสดุเทคโนโลยีที่สำคัญนี้ ก่อนหน้านี้
โคโมโตะ et al . [ 15 ] การศึกษาคุณสมบัติของเทอร์โม
cualo2 ผลึกเดี่ยวและชี้ให้เห็นว่ามันอาจกลายเป็น
ดีเทอร์โม วัสดุ จากการสำรวจวรรณกรรม มัน
ปรากฏว่าไม่มีรายละเอียดการศึกษาสมบัติเทอร์โม
ฟิล์มบาง cualo2 ได้รับการรายงานเพื่อให้ห่างไกล ในการศึกษานี้
เราได้เตรียมภาพยนตร์โดยวิธีดีซีสปัตเตอริง . ระหว่าง
กระบวนการสังเคราะห์การ postdeposition การอบอ่อน ( TA )
ของภาพยนตร์ในบรรยากาศที่ถ่ายโดยเปลี่ยน O2
พารามิเตอร์เพื่อสังเกตการเปลี่ยนแปลงใดๆใน เทอร์โมไฟฟ้าคุณสมบัติในภาพยนตร์และ

และพยายามอธิบายกลไกการขนส่งไฟฟ้าจาก . การศึกษานี้อาจช่วยในการผลิตวัสดุที่เหมาะ

มีการปรับปรุงและคุณลักษณะการเทอร์โมไฟฟ้าอุปกรณ์
ดีกว่า