The metal layers (20 nm titanium, 1

The metal layers (20 nm titanium, 100 nm platinum, and 50 nm titanium) were formed by physical vapour deposition and structured using a lift-off process. Subsequently, PECVD and reactive ion etching (RIE) were used to deposit and structure the insulation layer consisting of 800 nm silicon nitride and 200 nm silicon oxide.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ชั้นโลหะ (20 nm ไทเทเนียม แพลตตินั่ม nm 100 และ 50 nm ไทเทเนียม) ถูกก่อตั้งขึ้น โดยสะสมไอทางกายภาพ และโครงสร้างโดยใช้กระบวนการ lift-off ในเวลาต่อมา PECVD และไอออนปฏิกิริยาที่แกะสลัก (RIE) ใช้ การฝากโครงสร้างชั้นฉนวนประกอบด้วย 800 nm silicon nitride และ 200 nm ซิลิคอนออกไซด์

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ชั้นโลหะ (20 นาโนเมตรไทเทเนียมทองคำ 100 นาโนเมตรและ 50 นาโนเมตรไทเทเนียม) ถูกสร้างขึ้นโดยการสะสมไอทางกายภาพและโครงสร้างโดยใช้กระบวนการยกออก ต่อมา PECVD และไอออนแกะสลักปฏิกิริยา (ริเอะ) ถูกนำมาใช้ในการฝากและโครงสร้างชั้นฉนวนกันความร้อนที่ประกอบด้วย 800 นาโนเมตรซิลิคอนไนไตรด์และ 200 นาโนเมตรออกไซด์ซิลิกอน

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

โลหะชั้น ( 20 nm ไทเทเนียม , 100 nm แพลทินัม และ 50 nm ไทเทเนียม ) ถูกสร้างขึ้นโดยการสะสมไอทางกายภาพและโครงสร้างลิฟท์ปิดกระบวนการ ต่อมา pecvd ปฏิกิริยาไอออน ( ริเอะ ) และการใช้ในการฝากและโครงสร้างชั้นฉนวนที่ประกอบด้วย 800 nm ซิลิคอนไนไตรด์และ 200 nm ซิลิคอนออกไซด์