Similar to KOH etching, TMAH is com

Similar to KOH etching, TMAH is commonly used for fast removal and silicon
micromachining.
1. TMAH Etching Rates vs. Orientation
The orientation dependence of the TMAH etch rate is similar to KOH and varies
similarly in accordance to the atomic organization of the crystallographic plane.
Table 3 relates silicon orientation-dependent etch rates of TMAH (20.0wt%,
79.8°C) to orientation. Table 3 is taken directly from

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

เช่นเดียวกับเกาะกัด TMAH โดยทั่วไปใช้สำหรับกำจัดอย่างรวดเร็วและซิลิคอนmicromachining1. แกะสลักราคาเทียบกับแนว TMAHกัดการอาศัยแนวของ TMAH คล้ายกับเกาะ และแตกต่างกันไปในทำนองเดียวกันในองค์กรของเครื่องบิน crystallographic อะตอมตาราง 3 ซิลิคอนที่เกี่ยวข้องขึ้นอยู่กับการวางแนวกัดของ TMAH (20.0wt%79.8 ° C) จะวาง นำมาโดยตรงจากตาราง 3

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

คล้ายกับเกาะแกะสลัก, TMAH
เป็นที่นิยมใช้ในการกำจัดได้อย่างรวดเร็วและซิลิกอนไมโคร.
1 TMAH
อัตราการกัดกับปฐมนิเทศการพึ่งพาอาศัยทิศทางของอัตราการกัดTMAH
คล้ายกับเกาะและแตกต่างกันไปในทำนองเดียวกันตามองค์กรอะตอมของเครื่องบินcrystallographic.
ตารางที่ 3 อัตราการกัดเกี่ยวข้องกับการวางแนวทางขึ้นอยู่กับซิลิกอนของ TMAH (20.0wt%
79.8 ° C) เพื่อวาง ตารางที่ 3 จะได้รับการโดยตรงจาก

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

คล้ายคลึงกับเกาะกัดกรด , tmah เป็นที่นิยมใช้เพื่อกำจัดอย่างรวดเร็วและซิลิคอน micromachining
.
1 tmah กัดอัตราและปฐมนิเทศ
ปฐมนิเทศการพึ่งพาอาศัยกันของ tmah etch คะแนนคล้ายกับเกาะและแตกต่างกัน
ในทํานองเดียวกันตามองค์กรปรมาณูของเครื่องบินทาง .
3 ตารางที่เกี่ยวข้องกับซิลิคอน ขึ้นอยู่กับทิศทางกัดอัตรา tmah ( 20.0wt %
42 kDa ° C ) การปฐมนิเทศตารางที่ 3 จะได้รับโดยตรงจาก