The trapping of electrons can inhib

The trapping of electrons can inhibit electron/hole recombination during irradiation, thereby increasing the lifetime of charge carriers. Doping of TiO2 with metal ion introduces a new energy level (dopant impurity level) by the dispersion of metal nano particles in titania matrix which acts as electron trap, and also assures enhancement of photocatalytic activity[17].

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ดักของอิเล็กตรอนสามารถยับยั้งอิเล็กตรอน/หลุม recombination ระหว่างวิธีการฉายรังสี จึงช่วยเพิ่มอายุการใช้งานของสายการบินค่าธรรมเนียม โดปปิงค์ของ TiO2 มีไอออนโลหะแนะนำระดับพลังงานใหม่ (dopant มลทินระดับ) โดยการกระจายตัวของอนุภาคนาโนโลหะในเมตริกซ์ซซีซึ่งทำหน้าที่เป็นกับดักของอิเล็กตรอน และยัง มั่นใจว่าประสิทธิภาพของกิจกรรมกระ [17]

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ดักของอิเล็กตรอนสามารถยับยั้งการรวมตัวกันอีกอิเล็กตรอน / หลุมในระหว่างการฉายรังสีจึงช่วยเพิ่มอายุการใช้งานของผู้ให้บริการคิดค่าใช้จ่าย ยาสลบของ TiO2 กับโลหะไอออนแนะนำระดับพลังงานใหม่ (เจือปนระดับการปนเปื้อน) โดยการกระจายตัวของอนุภาคนาโนโลหะไททาเนียมในเมทริกซ์ซึ่งทำหน้าที่เป็นกับดักอิเล็กตรอนและยังมั่นใจว่าการเพิ่มประสิทธิภาพของกิจกรรมออกไซด์ [17]

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

อนุภาคของอิเล็กตรอนสามารถยับยั้งการในระหว่างการฉายรังสีอิเล็กตรอน / หลุม จึงเพิ่มอายุการใช้งานของประจุพาหะ โด๊ปของ TiO2 กับไอออนโลหะที่มีระดับพลังงานใหม่ ( ระดับมลโดพันท์ ) โดยการกระจายตัวของอนุภาคนาโนไททาเนียโลหะในเมทริกซ์ซึ่งทำหน้าที่เป็นกับดักอิเล็กตรอน และยังมั่นใจการรีกิจกรรม [ 17 ] .