The BEAM-LEAD technique is a proces

The BEAM-LEAD technique is a process developed to batch-fabricate (fabricate many at once) semiconductor circuit elements and integrated circuits with electrodes extended beyond the edges of the wafer, as shown in figure 1-27. This type of structure imposes no electrical difficulty, and parasitic capacitance (under 0.05 picofarad per lead) is equivalent to that of a wire-bonded and brazed-chip assembly. In addition, the electrodes may be tapered to allow for lower inductance, impedance matching, and better heat conductance. The beam-lead technique is easily accomplished and does not have the disadvantages of chip brazing and wire bonding. The feasibility of this technique has been demonstrated in a variety of digital, linear, and thin-film circuits.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

เทคนิคการนำลำแสงเป็นกระบวนการพัฒนาในการประดิษฐ์ชุด (ปั้นหลายครั้ง) องค์ประกอบของวงจรสารกึ่งตัวนำและวงจรรวมที่ มีขั้วไฟฟ้าที่ขยายในขอบของเวเฟอร์ ดังที่แสดงในรูปที่ 1-27 กำหนดประเภทของโครงสร้างนี้ไม่ยากไฟฟ้า และปรสิตความจุ (ใต้ picofarad 0.05 ต่อลูกค้าเป้าหมาย) คือเทียบเท่ากับแอสเซมบลีที่ถูกผูก มัดลวด และประสานชิ นอกจากนี้ ขั้วไฟฟ้าอาจเรียวเพื่อให้สามารถเหนี่ยวนำต่ำ ความต้านทานตรงกัน และการนำพาความร้อนได้ดี เทคนิคการนำลำแสงได้อย่างง่ายดาย และไม่มีข้อเสียของชิประสานและลวดยึด ความเป็นไปได้ของเทคนิคนี้ได้ถูกแสดงให้เห็นในความหลากหลายของวงจรดิจิตอล เชิงเส้น และ ฟิล์มบาง

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

เทคนิค BEAM ตะกั่วเป็นกระบวนการที่พัฒนาขึ้นเพื่อสานชุด (สานหลายครั้ง) องค์ประกอบวงจรเซมิคอนดักเตอร์และแผงวงจรไฟฟ้าที่มีขั้วไฟฟ้าขยายเกินขอบของแผ่นเวเฟอร์ดังแสดงในรูปที่ 1-27 ประเภทของโครงสร้างนี้มีการเรียกเก็บไม่มีความยากลำบากไฟฟ้าและความจุปรสิต (ใต้ 0.05 picofarad ต่อนำ) เทียบเท่ากับที่ของการชุมนุมลวดถูกผูกมัดและประสาน-ชิป นอกจากนี้ขั้วอาจจะเรียวเพื่อให้สามารถเหนี่ยวนำต่ำกว่าการจับคู่ความต้านทานและสื่อกระแสไฟฟ้าความร้อนได้ดี เทคนิคลำแสงตะกั่วจะประสบความสำเร็จได้อย่างง่ายดายและไม่ได้มีข้อเสียของการประสานชิปและพันธะลวด ความเป็นไปได้ของเทคนิคนี้ได้แสดงให้เห็นในความหลากหลายของดิจิตอลเชิงเส้นและวงจรแบบฟิล์มบาง

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

เทคนิค beam-lead เป็นกระบวนการพัฒนาชุดปั้น ( ปั้นหลายครั้ง ) วงจรสารกึ่งตัวนำธาตุและวงจรรวมที่มีขั้วไฟฟ้าที่ขยายเกินขอบของเวเฟอร์ ดังแสดงในรูปที่ 1-27 . โครงสร้างประเภทนี้ไม่ยากและเก็บไฟฟ้า , ความจุปรสิต ( น้อยกว่า 0.05 พิโกฟารัดต่อตะกั่ว ) เทียบเท่ากับที่ของลวดผูก และประสานประกอบชิป นอกจากนี้ ขั้วไฟฟ้าที่อาจจะเรียวเพื่อให้ลดอิมพีแดนซ์ที่ตรงกันและความนำไฟฟ้าเหนี่ยวนำความร้อนได้ดีกว่า คานาเทคนิคคือสำเร็จได้อย่างง่ายดายและไม่มีข้อเสียของชิปและประสานลวดเชื่อม . ความเป็นไปได้ของเทคนิคนี้ได้แสดงในความหลากหลายของดิจิตอลเชิงเส้นและวงจรแบบฟิล์ม