first wafer:1 – oxidation,2 – Al ev

first wafer:
1 – oxidation,
2 – Al evaporation,
3 – lithography & Al pattern,
4 – spin thick photo-resist as sacrificial layer for 4.6 lm,
5 – lithography, 6 – ploy silicon deposition (LPCVD), 7 –
lithography & poly silicon pattern, 8 – releasing the
structure; second wafer: 1 – silicon dry etching 2 – wafer
bonding.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

แผ่นเวเฟอร์แรก:1 – ออกซิเดชัน2 – อัลระเหย3 – ภาพพิมพ์หินและอัลลาย4 – หมุนภาพต่อต้านหนาเป็นชั้นบูชาสำหรับ 4.6 lm5 – ภาพพิมพ์หิน –พลอยซิลิคอนสะสม (LPCVD), 7-6ภาพพิมพ์หินและโพลีซิลิคอนรูป 8 – ปล่อยตัวโครงสร้าง แผ่นเวเฟอร์ที่สอง: แผ่นเวเฟอร์ –ซิลิคอนแห้งแกะสลัก 2-1ยึด

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

เวเฟอร์แรก:
1 - ออกซิเดชัน
2 - ระเหยอัล
3 - พิมพ์หินและรูปแบบอัล
4 - หนาหมุนภาพต้านทานเป็นชั้นสำหรับการเสียสละ 4.6 LM,
5 - พิมพ์หิน, 6 - วิธีการทับถมซิลิกอน (LPCVD) 7 -
พิมพ์หินและ รูปแบบซิลิกอนโพลี 8 - ปล่อย
โครงสร้าง เวเฟอร์ที่สอง: 1 - ซิลิกอนแห้งแกะ 2 - เวเฟอร์
พันธะ

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

แผ่นแรก :
1
2 ) และปฏิกิริยาอัลการระเหย ,
3 –หิน&ล รูปแบบ ,
4 –ปั่นหนาเป็นชั้นสำหรับภาพต่อต้านการที่ 4.6 LM
5 – 6 , หุ้นส่วน–พลอย ซิลิคอน สะสม ( lpcvd ) 7
&โพลีซิลิคอนและภายในแบบแผน 8 –ปล่อย
โครงสร้าง ; เวเฟอร์ที่สอง : 1 – 2 –การกัดซิลิคอนเวเฟอร์
แห้ง เชื่อม